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公开(公告)号:CN105580136B
公开(公告)日:2021-02-19
申请号:CN201480053552.7
申请日:2014-09-19
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/00 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L27/14
Abstract: 本技术涉及能够以更简单的方式来提高抗裂性的半导体装置和固体摄像器件。所述半导体装置具有:上侧基板,其包括Si基板和层叠于该Si基板上的布线层;以及下侧基板,其包括Si基板和层叠于该Si基板上的布线层,所述下侧基板被接合至所述上侧基板。此外,在所述上侧基板中形成有引线接合用或探测用焊盘,而且,在位于所述引线接合用或探测用焊盘与所述下侧基板的所述Si基板之间的各个所述布线层中以呈放射状层叠的方式设置有用于保护所述引线接合用或探测用焊盘的拐角部分或侧边部分的焊盘。本技术能够被应用于固体摄像器件。
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公开(公告)号:CN110797320A
公开(公告)日:2020-02-14
申请号:CN201910897516.3
申请日:2014-09-19
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L23/48 , H01L23/482 , H01L23/488 , H01L21/60 , H01L21/768 , H01L27/146
Abstract: 本技术涉及能够以更简单的方式来提高抗裂性的半导体装置和固体摄像器件。所述半导体装置具有:第一基板,其具有多个布线层;以及第二基板,其具有多个布线层,并且被接合至第一基板,其中,在第一基板和第二基板中的一个基板中设置有焊盘,在焊盘与以最靠近另一个基板的方式位于所述另一个基板侧上的布线层之间在各布线层中设置有由金属形成的金属布线,并且在与所述焊盘或所述金属布线相邻的位于所述另一个基板侧上的布线层中,在处于上一层中的所述焊盘或所述金属布线的至少拐角部分处设置有其它的金属布线,其中,所述其它的金属布线在所述拐角部分处与处于所述上一层中的所述焊盘或所述金属布线的边缘重叠。本技术能够被应用于固体摄像器件。
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公开(公告)号:CN103022062B
公开(公告)日:2016-12-21
申请号:CN201210241867.7
申请日:2012-07-12
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/369 , H04N5/225
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14634 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14685 , H01L27/1469 , H01L2224/08145 , H01L2224/80896 , H01L2224/82 , H01L2224/92 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , H01L2224/80001
Abstract: 本发明涉及固体摄像器件和固体摄像装置及它们的制造方法及电子设备。所述固体摄像器件具有:传感器基板,其具有像素区域,在所述像素区域上排列有光电转换器;驱动电路,其设置在所述传感器基板的与所述光电转换器的受光面相反的正面侧上;绝缘层,其设置在所述受光面上并且具有阶梯结构,在所述阶梯结构中,所述像素区域的膜厚度比设置在所述像素区域外侧的周边区域的膜厚度薄;配线,其在所述受光面侧设置在所述周边区域中;以及片上透镜,其设置在所述绝缘层上的与所述光电转换器对应的位置处。根据本发明,能够改善光电转换器的光接收性能,并能够改善产出率和器件可靠性,从而提高图像质量。
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公开(公告)号:CN105580136A
公开(公告)日:2016-05-11
申请号:CN201480053552.7
申请日:2014-09-19
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/00 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L27/14
Abstract: 本技术涉及能够以更简单的方式来提高抗裂性的半导体装置和固体摄像器件。所述半导体装置具有:上侧基板,其包括Si基板和层叠于该Si基板上的布线层;以及下侧基板,其包括Si基板和层叠于该Si基板上的布线层,所述下侧基板被接合至所述上侧基板。此外,在所述上侧基板中形成有引线接合用或探测用焊盘,而且,在位于所述引线接合用或探测用焊盘与所述下侧基板的所述Si基板之间的各个所述布线层中以呈放射状层叠的方式设置有用于保护所述引线接合用或探测用焊盘的拐角部分或侧边部分的焊盘。本技术能够被应用于固体摄像器件。
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公开(公告)号:CN106449676A
公开(公告)日:2017-02-22
申请号:CN201610797377.3
申请日:2012-07-12
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H01L23/48
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14634 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14685 , H01L27/1469 , H01L2224/08145 , H01L2224/80896 , H01L2224/82 , H01L2224/92 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , H01L2224/80001
Abstract: 本发明涉及半导体装置和电子设备。半导体装置包括:传感器基板,包括:第一半导体基板;第一配线层,形成在第一半导体基板的第一主面侧;绝缘材料层,形成在第一半导体基板的第二主面侧;连接导电层,形成在绝缘材料层上,其中连接导电层的上面侧包括凹部;第一膜,形成在连接导电层上且覆盖连接导电层的凹部的内表面;和第二膜,形成在第一膜上,其中第一膜和第二膜中的至少一部分在凹部内;和逻辑基板,包括:第二半导体基板;和第二配线层,形成在第二半导体基板的第一主面侧,其中,传感器基板和逻辑基板结合在一起以使第一配线层面对第二配线层,且连接导电层将第一配线层中的第一配线与第二配线层中的第二配线电连接。
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公开(公告)号:CN103258829A
公开(公告)日:2013-08-21
申请号:CN201310049234.0
申请日:2013-02-07
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/374
CPC classification number: H01L31/02325 , H01L27/14603 , H01L27/14614 , H01L27/14623 , H01L27/14625 , H01L27/14629 , H01L27/14636 , H01L27/14641 , H01L27/14685 , H01L27/14689
Abstract: 本发明提供一种固态成像装置、图像传感器、制造图像传感器的方法以及电子设备,该固态成像装置包括像素阵列单元,其中每一个具有根据接收光的量产生且存储光电荷的光电转换单元以及存储该光电荷的电荷存储单元的多个单位像素设置在半导体基板上,其中电荷存储单元形成在入射在光电转换单元上的光的路径上。
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公开(公告)号:CN113097240B
公开(公告)日:2024-01-19
申请号:CN202110188871.0
申请日:2014-09-19
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/768 , H01L23/48 , H01L25/065 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本技术涉及能够以更简单的方式来提高抗裂性的半导体装置和固体摄像器件。所述半导体装置具有:上侧基板,其包括Si基板和层叠于该Si基板上的布线层;以及下侧基板,其包括Si基板和层叠于该Si基板上的布线层,所述下侧基板被接合至所述上侧基板。此外,在所述上侧基板中形成有引线接合用或探测用焊盘,而且,在位于所述引线接合用或探测用焊盘与所述下侧基板的所述Si基板之间的各个所述布线层中以呈放射状层叠的方式设置有用于保护所述引线接合用或探测用焊盘的拐角部分或侧边部分的焊盘。本技术能够被应用于固体摄像器件。
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公开(公告)号:CN110797320B
公开(公告)日:2023-12-15
申请号:CN201910897516.3
申请日:2014-09-19
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L23/48 , H01L23/482 , H01L23/488 , H01L21/60 , H01L21/768 , H01L27/146
Abstract: 本技术涉及能够以更简单的方式来提高抗裂性的半导体装置和固体摄像器件。所述半导体装置具有:第一基板,其具有多个布线层;以及第二基板,其具有多个布线层,并且被接合至第一基板,其中,在第一基板和第二基板中的一个基板中设置有焊盘,在焊盘与以最靠近另一个基板的方式位于所述另一个基板侧上的布线层之间在各布线层中设置有由金属形成的金属布线,并且在与所述焊盘或所述金属布线相邻的位于所述另一个基板侧上的布线层中,在处于上一层中的所述焊盘或所述金属布线的至少拐角部分处设置有其它的金属布线,其中,所述其它的金属布线在所述拐角部分处与处于所述上一层中的所述焊盘或所述金属布线的边缘重叠。本技术能够被应用于固体摄像器件。
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公开(公告)号:CN113097240A
公开(公告)日:2021-07-09
申请号:CN202110188871.0
申请日:2014-09-19
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/768 , H01L23/48 , H01L25/065 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本技术涉及能够以更简单的方式来提高抗裂性的半导体装置和固体摄像器件。所述半导体装置具有:上侧基板,其包括Si基板和层叠于该Si基板上的布线层;以及下侧基板,其包括Si基板和层叠于该Si基板上的布线层,所述下侧基板被接合至所述上侧基板。此外,在所述上侧基板中形成有引线接合用或探测用焊盘,而且,在位于所述引线接合用或探测用焊盘与所述下侧基板的所述Si基板之间的各个所述布线层中以呈放射状层叠的方式设置有用于保护所述引线接合用或探测用焊盘的拐角部分或侧边部分的焊盘。本技术能够被应用于固体摄像器件。
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公开(公告)号:CN103022062A
公开(公告)日:2013-04-03
申请号:CN201210241867.7
申请日:2012-07-12
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/369 , H04N5/225
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14634 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14685 , H01L27/1469 , H01L2224/08145 , H01L2224/80896 , H01L2224/82 , H01L2224/92 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , H01L2224/80001
Abstract: 本发明涉及固体摄像器件和固体摄像装置及它们的制造方法及电子设备。所述固体摄像器件具有:传感器基板,其具有像素区域,在所述像素区域上排列有光电转换器;驱动电路,其设置在所述传感器基板的与所述光电转换器的受光面相反的正面侧上;绝缘层,其设置在所述受光面上并且具有阶梯结构,在所述阶梯结构中,所述像素区域的膜厚度比设置在所述像素区域外侧的周边区域的膜厚度薄;配线,其在所述受光面侧设置在所述周边区域中;以及片上透镜,其设置在所述绝缘层上的与所述光电转换器对应的位置处。根据本发明,能够改善光电转换器的光接收性能,并能够改善产出率和器件可靠性,从而提高图像质量。
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