公开(公告)号：CN111327846A

公开(公告)日：2020-06-23

申请号：CN202010127285.0

申请日：2015-07-01

Applicant: 索尼公司

Inventor： 榊原雅树 ,  青柳健一 ,  山田斉尔

IPC: H04N5/369 ,  H04N5/3745 ,  H04N5/378 ,  H03K5/24 ,  H03K5/08 ,  H01L27/146

Abstract: 本发明涉及成像器件。所述成像器件包括：像素电路，其包括：光电转换器；浮动扩散层；传输晶体管，所述传输晶体管用于将在所述光电转换器处产生的电荷传输至所述浮动扩散层；第一差分晶体管，所述第一差分晶体管连接至所述浮动扩散层；以及复位晶体管，所述复位晶体管用于使保持在所述浮动扩散层中的电荷复位；比较器，其包括：所述第一差分晶体管；第二差分晶体管；以及输出节点；并且其中，所述第一差分晶体管和所述第二差分晶体管布置在第一半导体基板上，并且所述输出节点布置在第二半导体基板上。

公开(公告)号：CN110190076A

公开(公告)日：2019-08-30

申请号：CN201910445485.8

申请日：2014-03-14

Applicant: 索尼公司

Inventor： 藤井宣年 ,  萩本贤哉 ,  青柳健一 ,  香川惠永

IPC: H01L27/146 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 一种半导体装置，包括：第一基板，具有暴露第一电极和第一绝缘膜的接合表面；绝缘薄膜，覆盖该第一基板的该接合表面；以及第二基板，具有暴露第二电极第二绝缘膜的接合表面，在该第二基板的该接合表面和该第一基板的该接合表面接合在一起并在该第二基板的该接合表面和该第一基板的该接合表面之间夹设该绝缘薄膜的状态下该第二基板接合到该第一基板，该第一电极和该第二电极将该绝缘薄膜的一部分变形并且破坏以使该第一电极和该第二电极彼此直接电连接。还公开了半导体装置的制造方法。

公开(公告)号：CN104620385B

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：CN201380031398.9

申请日：2013-06-11

Applicant: 索尼公司

Inventor： 藤井宣年 ,  青柳健一

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/369

Abstract: 本公开的目的是改善半导体装置例如其中层叠多个基板的具有三维结构的固态成像设备中的耐热性、扩散阻力和可靠性。再者，本公开涉及半导体装置、半导体装置的制造方法以及包括半导体装置的电子装置。本公开的半导体装置包括第一基板和第二基板，该第一基板包括第一层间绝缘膜和第一配线层，第一配线层具有从第一层间绝缘膜突出预定量的第一连接电极，第二基板包括第二层间绝缘膜和第二配线层，第二配线层具有从第二层间绝缘膜突出预定量的第二连接电极。在第一基板和第二基板之间的贴合表面上，第一连接电极和第二连接电极彼此接合，并且同时在层叠方向上彼此面对的第一层间绝缘膜的至少一部分和第二层间绝缘膜的一部分彼此接合。

公开(公告)号：CN110190076B

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN201910445485.8

申请日：2014-03-14

Applicant: 索尼公司

Inventor： 藤井宣年 ,  萩本贤哉 ,  青柳健一 ,  香川惠永

IPC: H01L27/146 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 一种半导体装置，包括：第一基板，具有暴露第一电极和第一绝缘膜的接合表面；绝缘薄膜，覆盖该第一基板的该接合表面；以及第二基板，具有暴露第二电极第二绝缘膜的接合表面，在该第二基板的该接合表面和该第一基板的该接合表面接合在一起并在该第二基板的该接合表面和该第一基板的该接合表面之间夹设该绝缘薄膜的状态下该第二基板接合到该第一基板，该第一电极和该第二电极将该绝缘薄膜的一部分变形并且破坏以使该第一电极和该第二电极彼此直接电连接。还公开了半导体装置的制造方法。

公开(公告)号：CN110211979B

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN201910468930.2

申请日：2014-03-14

Applicant: 索尼公司

Inventor： 藤井宣年 ,  萩本贤哉 ,  青柳健一 ,  香川惠永

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/768 ,  H01L23/485 ,  H01L21/60 ,  H04N5/225

Abstract: 一种半导体装置，包括：第一基板，具有暴露第一电极和第一绝缘膜的接合表面；绝缘薄膜，覆盖该第一基板的该接合表面；以及第二基板，具有暴露第二电极第二绝缘膜的接合表面，在该第二基板的该接合表面和该第一基板的该接合表面接合在一起并在该第二基板的该接合表面和该第一基板的该接合表面之间夹设该绝缘薄膜的状态下该第二基板接合到该第一基板，该第一电极和该第二电极将该绝缘薄膜的一部分变形并且破坏以使该第一电极和该第二电极彼此直接电连接。还公开了半导体装置的制造方法。

公开(公告)号：CN106899814B

公开(公告)日：2021-05-14

申请号：CN201710089900.1

申请日：2015-07-01

Applicant: 索尼公司

Inventor： 榊原雅树 ,  青柳健一 ,  山田斉尔

IPC: H04N5/3745 ,  H03K5/08 ,  H01L27/146

Abstract: 本发明涉及能够在提高比较器的判定速度的同时降低功率消耗的比较器、AD转换器、固态成像器件、电子装置和比较器控制方法。所述比较器包括比较单元、正反馈电路和电流限制单元。所述比较单元比较输入信号的电压与参考信号的电压并输出比较结果信号。所述正反馈电路加快所述比较结果信号发生反转时的转变速度。所述电流限制单元限制所述比较结果信号发生反转之后在所述比较单元中流动的电流。本发明例如适用于比较器等。

公开(公告)号：CN110797320A

公开(公告)日：2020-02-14

申请号：CN201910897516.3

申请日：2014-09-19

Applicant: 索尼公司

Inventor： 香川恵永 ,  藤井宣年 ,  深沢正永 ,  金口时久 ,  萩本贤哉 ,  青柳健一 ,  三桥生枝

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/482 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L27/146

Abstract: 本技术涉及能够以更简单的方式来提高抗裂性的半导体装置和固体摄像器件。所述半导体装置具有：第一基板，其具有多个布线层；以及第二基板，其具有多个布线层，并且被接合至第一基板，其中，在第一基板和第二基板中的一个基板中设置有焊盘，在焊盘与以最靠近另一个基板的方式位于所述另一个基板侧上的布线层之间在各布线层中设置有由金属形成的金属布线，并且在与所述焊盘或所述金属布线相邻的位于所述另一个基板侧上的布线层中，在处于上一层中的所述焊盘或所述金属布线的至少拐角部分处设置有其它的金属布线，其中，所述其它的金属布线在所述拐角部分处与处于所述上一层中的所述焊盘或所述金属布线的边缘重叠。本技术能够被应用于固体摄像器件。

公开(公告)号：CN102867847B

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201210233277.X

申请日：2012-07-05

Applicant: 索尼公司

Inventor： 香川恵永 ,  青柳健一 ,  萩本贤哉 ,  藤井宣年

IPC: H01L29/40 ,  H01L23/522 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76843 ,  H01L23/481 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/53295 ,  H01L23/564 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L24/83 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/1469 ,  H01L2221/1031 ,  H01L2224/02245 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05546 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05578 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/0903 ,  H01L2224/80011 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/80091 ,  H01L2224/80097 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80345 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/83345 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/13091 ,  H04N5/369 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/049 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明公开了半导体器件、半导体器件制造方法及电子装置。所述半导体器件包括第一基板和第二基板。所述第一基板包括第一电极以及第一绝缘膜，所述第一绝缘膜由针对所述第一电极的防扩散材料构成并覆盖所述第一电极的周边。所述第一电极与所述第一绝缘膜互相配合而构成结合表面。所述第二基板结合至所述第一基板并设置于所述第一基板上，且所述第二基板包括第二电极以及第二绝缘膜，所述第二电极接合至所述第一电极，所述第二绝缘膜由针对所述第二电极的防扩散材料构成并覆盖所述第二电极的周边。所述第二电极与所述第二绝缘膜互相配合而构成与所述第一基板相结合的结合表面。本发明能够确保电极的结合强度，同时能够防止电极材料的扩散。

公开(公告)号：CN105580136A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201480053552.7

申请日：2014-09-19

Applicant: 索尼公司

Inventor： 香川恵永 ,  藤井宣年 ,  深沢正永 ,  金口时久 ,  萩本贤哉 ,  青柳健一 ,  三桥生枝

IPC: H01L27/00 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L27/14

Abstract: 本技术涉及能够以更简单的方式来提高抗裂性的半导体装置和固体摄像器件。所述半导体装置具有：上侧基板，其包括Si基板和层叠于该Si基板上的布线层；以及下侧基板，其包括Si基板和层叠于该Si基板上的布线层，所述下侧基板被接合至所述上侧基板。此外，在所述上侧基板中形成有引线接合用或探测用焊盘，而且，在位于所述引线接合用或探测用焊盘与所述下侧基板的所述Si基板之间的各个所述布线层中以呈放射状层叠的方式设置有用于保护所述引线接合用或探测用焊盘的拐角部分或侧边部分的焊盘。本技术能够被应用于固体摄像器件。

公开(公告)号：CN105519096A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201580001816.9

申请日：2015-07-01

Applicant: 索尼公司

Inventor： 榊原雅树 ,  青柳健一 ,  山田斉尔

IPC: H04N5/3745 ,  H01L27/146 ,  H03K5/08

Abstract: 本发明涉及能够在提高比较器的判定速度的同时降低功率消耗的比较器、AD转换器、固态成像器件、电子装置和比较器控制方法。所述比较器包括比较单元、正反馈电路和电流限制单元。所述比较单元比较输入信号的电压与参考信号的电压并输出比较结果信号。所述正反馈电路加快所述比较结果信号发生反转时的转变速度。所述电流限制单元限制所述比较结果信号发生反转之后在所述比较单元中流动的电流。本发明例如适用于比较器等。