公开(公告)号：CN101170130A

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：CN200710165522.7

申请日：2007-10-26

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 丸山竜一郎 ,  岩井俊宪 ,  梶浦尚志 ,  角野宏治 ,  栗原研一

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/336 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  C01B31/02

CPC classification number: H01L51/0595 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/16 ,  C01B2202/02 ,  C01B2202/22 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0512 ,  H01L51/0583 ,  Y10S977/742 ,  Y10T428/30

Abstract: 本发明披露了一种单壁碳纳米管异质结及其制造方法以及使用该单壁碳纳米管异质结的半导体器件及其制造方法。在该单壁碳纳米管异质结中，半导体单壁碳纳米管和金属单壁碳纳米管在其长度方向上彼此连接。该单壁碳纳米管异质结是通过在单壁碳纳米管的生长过程中引入缺陷以诱发手性变化而形成的。根据本发明的制造单壁碳纳米管异质结的方法，其中在该单壁碳纳米管的生长过程中引入缺陷以将五元环或七元环引入到石墨片的六元环结构中从而诱发手性变化。本发明可以根本地解决在半导体单壁碳纳米管中由于金属单壁碳纳米管的混入引起的单壁碳纳米管FET的特性劣化的问题。

公开(公告)号：CN101170130B

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200710165522.7

申请日：2007-10-26

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 丸山竜一郎 ,  岩井俊宪 ,  梶浦尚志 ,  角野宏治 ,  栗原研一

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/336 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  C01B31/02

CPC classification number: H01L51/0595 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/16 ,  C01B2202/02 ,  C01B2202/22 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0512 ,  H01L51/0583 ,  Y10S977/742 ,  Y10T428/30

Abstract: 本发明披露了一种单壁碳纳米管异质结及其制造方法以及使用该单壁碳纳米管异质结的半导体器件及其制造方法。在该单壁碳纳米管异质结中，半导体单壁碳纳米管和金属单壁碳纳米管在其长度方向上彼此连接。该单壁碳纳米管异质结是通过在单壁碳纳米管的生长过程中引入缺陷以诱发手性变化而形成的。根据本发明的制造单壁碳纳米管异质结的方法，其中在该单壁碳纳米管的生长过程中引入缺陷以将五元环或七元环引入到石墨片的六元环结构中从而诱发手性变化。本发明可以根本地解决在半导体单壁碳纳米管中由于金属单壁碳纳米管的混入引起的单壁碳纳米管FET的特性劣化的问题。