公开(公告)号：CN1322351A

公开(公告)日：2001-11-14

申请号：CN00802039.6

申请日：2000-08-23

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 栗原研一 ,  岸井典之 ,  岩本浩

IPC: G11B5/60 ,  G11B5/187 ,  G11B5/725 ,  G11B21/21

CPC classification number: G11B5/725 ,  G11B5/255 ,  G11B5/40 ,  G11B5/6005

Abstract: 一种磁性记录和复制装置,包括一种磁性记录介质和一个包括由烃化学改性的面对着磁性记录介质的一个表面的磁头。该磁性记录介质包括带有一个主表面的非磁性支撑,该主表面至少涂有磁性金属,后者涂有一个氟润滑剂层。

公开(公告)号：CN1236942A

公开(公告)日：1999-12-01

申请号：CN99106209.4

申请日：1999-03-19

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 小林健 ,  岸井典之 ,  龟井隆广 ,  栗原研一 ,  岩本浩 ,  松泽伸行 ,  川名隆宏 ,  森敬郎 ,  山田有加利

IPC: G11B5/71

CPC classification number: G11B5/725

Abstract: 一种磁性记录介质,在各种使用条件下能保持优良的润滑性能,可长时间保持润滑效果并具有优良移动性能、耐磨性和耐用性。按照本发明的磁性记录介质包含:非磁性支撑元件;以及在非磁性支撑元件上形成的薄膜层,薄膜层含有至少磁性层,其中薄膜层包含由通式(1)表示的单酯一元羧酸润滑剂,其中R1是脂族烷基团或脂族链烯基团,R2是氟烷基基团、氟链烯基团、脂族烷基团或脂族链烯基团并且n是0或正整数。

公开(公告)号：CN101170130A

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：CN200710165522.7

申请日：2007-10-26

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 丸山竜一郎 ,  岩井俊宪 ,  梶浦尚志 ,  角野宏治 ,  栗原研一

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/336 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  C01B31/02

CPC classification number: H01L51/0595 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/16 ,  C01B2202/02 ,  C01B2202/22 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0512 ,  H01L51/0583 ,  Y10S977/742 ,  Y10T428/30

Abstract: 本发明披露了一种单壁碳纳米管异质结及其制造方法以及使用该单壁碳纳米管异质结的半导体器件及其制造方法。在该单壁碳纳米管异质结中，半导体单壁碳纳米管和金属单壁碳纳米管在其长度方向上彼此连接。该单壁碳纳米管异质结是通过在单壁碳纳米管的生长过程中引入缺陷以诱发手性变化而形成的。根据本发明的制造单壁碳纳米管异质结的方法，其中在该单壁碳纳米管的生长过程中引入缺陷以将五元环或七元环引入到石墨片的六元环结构中从而诱发手性变化。本发明可以根本地解决在半导体单壁碳纳米管中由于金属单壁碳纳米管的混入引起的单壁碳纳米管FET的特性劣化的问题。

公开(公告)号：CN1567437A

公开(公告)日：2005-01-19

申请号：CN200410059030.6

申请日：1997-08-29

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 龟井隆广 ,  岸井典之 ,  铃木淳子 ,  渡边春夫 ,  小林健 ,  栗原研一 ,  宫崎孝弘

IPC: G11B5/708

CPC classification number: G11B5/735 ,  G11B5/627 ,  G11B5/7028 ,  G11B5/72 ,  Y10S428/90 ,  Y10T428/30

Abstract: 本发明提供磁性记录介质，甚至当摩擦时间被延长或扫描速度被提高以实现长时间记录时，将不会在磁头上留下烧结物质，将减少间隔损耗并防止出错率的提高。本发明还提供一种清洗带，在没有引起磁头的任何磨损和损坏的情况下能够除去粘附于磁头上的烧结物质。它们实际上是包括含有带吡啶骨架和两个或多个配位体位的化合物的防粘剂的一种磁性记录介质和一种清洗带。此外，它们还是包括含有二酮化合物的防粘剂的一种磁性记录介质和一种清洗带。防粘剂，除了含有以上化合物以外，还含有钛酸酯偶联剂，羧酸和含磷化合物。

公开(公告)号：CN101170130B

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200710165522.7

申请日：2007-10-26

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 丸山竜一郎 ,  岩井俊宪 ,  梶浦尚志 ,  角野宏治 ,  栗原研一

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/336 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  C01B31/02

CPC classification number: H01L51/0595 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/16 ,  C01B2202/02 ,  C01B2202/22 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0512 ,  H01L51/0583 ,  Y10S977/742 ,  Y10T428/30

Abstract: 本发明披露了一种单壁碳纳米管异质结及其制造方法以及使用该单壁碳纳米管异质结的半导体器件及其制造方法。在该单壁碳纳米管异质结中，半导体单壁碳纳米管和金属单壁碳纳米管在其长度方向上彼此连接。该单壁碳纳米管异质结是通过在单壁碳纳米管的生长过程中引入缺陷以诱发手性变化而形成的。根据本发明的制造单壁碳纳米管异质结的方法，其中在该单壁碳纳米管的生长过程中引入缺陷以将五元环或七元环引入到石墨片的六元环结构中从而诱发手性变化。本发明可以根本地解决在半导体单壁碳纳米管中由于金属单壁碳纳米管的混入引起的单壁碳纳米管FET的特性劣化的问题。

公开(公告)号：CN1180218A

公开(公告)日：1998-04-29

申请号：CN97117989.1

申请日：1997-08-29

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 龟井隆广 ,  岸井典之 ,  铃木淳子 ,  渡边春夫 ,  小林健 ,  栗原研一 ,  宫崎孝弘

IPC: G11B5/708

Abstract: 本发明提供磁性记录介质,甚至当摩擦时间被延长或扫描速度被提高以实现长时间记录时,将不会在磁头上留下烧结物质,将减少间隔损耗并防止出错率的提高。本发明还提供一种清洗带,在没有引起磁头的任何磨损和损坏的情况下能够除去粘附于磁头上的烧结物质。它们实际上是包括含有带吡啶骨架和两个或多个配位体位的化合物的防粘剂的一种磁性记录介质和一种清洗带。此外,它们还是包括含有二酮化合物的防粘剂的一种磁性记录介质和一种清洗带。防粘剂,除了含有以上化合物以外,还含有钛酸酯偶联剂,羧酸和含磷化合物。