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公开(公告)号：CN101753867B
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN200910262216.4
申请日：2006-06-01
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/374 , H04N5/378
CPC classification number: H04N5/378 , H01L23/481 , H01L24/16 , H01L25/18 , H01L27/115 , H01L27/14607 , H01L27/14612 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/14638 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14689 , H01L27/1469 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L2224/0401 , H01L2224/05552 , H01L2224/05554 , H01L2224/0557 , H01L2224/13 , H01L2224/13025 , H01L2224/16145 , H01L2224/16237 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/13091 , H01L2924/1425 , H01L2924/1436 , H01L2924/1437 , H01L2924/1443 , H04N5/2253 , H04N5/374 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种CMOS型半导体图像传感器模块及其制造方法，提高像素开口率并且谋求提高芯片的使用效率，而且能使全像素同时遮光。本发明的半导体图像传感器模块层合有：第一半导体芯片，其具备把由光电转换元件和晶体管构成的多个像素配列的图像传感器、第二半导体芯片，其具备A/D转换器阵列。最好还层合具备存储器元件阵列的第三半导体芯片。本发明的半导体图像传感器模块层合具备上述图像传感器的第一半导体芯片和具备模拟型非易失性存储器阵列的第四半导体芯片。
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公开(公告)号：CN100524704C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200480023641.3
申请日：2004-08-11
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 岩渊信
CPC classification number: H01L23/62 , H01L25/0655 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/73207 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/157 , H01L2924/19107
Abstract: 一种MCM型的半导体装置，可高速动作并实现低功耗，同时，可防止MCM的可靠性或者成品率的降低。直接电连接芯片内部电路(30)、(32)间的信号线，由此，谋求低功耗和高速化。在该信号线上设置保护静电损伤的保护电路(406)。制造装置时，通过连接布线(12)连接芯片内部电路(30)、(32)之间时，预先将保护电路(406)连接到信号线(内部引出线(12a)、内部布线(14))上，由此，即使半导体芯片(20)、(22)所带的电荷流入到信号线上，也可由保护电路(406)进行吸收，所以，可保护电路元件免受静电损伤。连接完成后，将保护电路(406)从信号线上断开，由此，通常使用时，保护电路(406)不成为芯片内部电路(30)、(32)的负载，可防止动作速度的降低。
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公开(公告)号：CN101228631A
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200680026625.9
申请日：2006-06-01
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/14 , H01L27/00 , H01L27/10 , H01L27/146 , H04N5/335
Abstract: 本发明提供一种CMOS型半导体图像传感器模块及其制造方法，提高像素开口率并且谋求提高芯片的使用效率，而且能使全像素同时遮光。本发明的半导体图像传感器模块层合有：第一半导体芯片，其具备把由光电转换元件和晶体管构成的多个像素配列的图像传感器、第二半导体芯片，其具备A/D转换器阵列。最好还层合具备存储器元件阵列的第三半导体芯片。本发明的半导体图像传感器模块层合具备上述图像传感器的第一半导体芯片和具备模拟型非易失性存储器阵列的第四半导体芯片。
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公开(公告)号：CN1838423A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200610079369.1
申请日：2006-03-07
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/822
Abstract: 本发明提供了一种背照明型固态图像拾取器件(1041)，包括在半导体衬底(1042)的一个表面上形成的以读取来自形成在半导体衬底(1042)上的光电转换元件(PD)的信号的读取电路(Tr1，Tr2)，其中通过在光电转换元件(PD)中形成的电场把在至少一部分读取电路(Tr1，Tr2)下形成的光电转换区(1052c1)中产生的电荷(e)收集到在光电转换元件(PD)的半导体衬底(1042)的一个表面上形成的电荷累积区(1052a)中。由此，在不降低饱和电荷量(Qs)和灵敏度的情况下，该固态图像拾取器件和摄像机能够使得像素尺寸变得非常小。
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公开(公告)号：CN1953193B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200610150676.4
申请日：2006-10-23
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/225
CPC classification number: H04N5/335 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H01L27/14641
Abstract: 本发明公开了一种固态成像设备。所述固态成像设备包括基于像素被形成在基板上并且对从所述基板的第一表面侧入射的光进行光电变换的多个传感器；以及被形成在所述基板的第二表面侧上并且对来自所述多个传感器的信号进行处理的读出电路，所述第二表面侧是所述第一表面侧的对侧。所述读出电路包括多个晶体管并且所述晶体管以对齐的方式被布置在所述像素之间的区域中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101753867A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910262216.4
申请日：2006-06-01
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H04N5/335
CPC classification number: H04N5/378 , H01L23/481 , H01L24/16 , H01L25/18 , H01L27/115 , H01L27/14607 , H01L27/14612 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/14638 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14689 , H01L27/1469 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L2224/0401 , H01L2224/05552 , H01L2224/05554 , H01L2224/0557 , H01L2224/13 , H01L2224/13025 , H01L2224/16145 , H01L2224/16237 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/13091 , H01L2924/1425 , H01L2924/1436 , H01L2924/1437 , H01L2924/1443 , H04N5/2253 , H04N5/374 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种CMOS型半导体图像传感器模块及其制造方法，提高像素开口率并且谋求提高芯片的使用效率，而且能使全像素同时遮光。本发明的半导体图像传感器模块层合有：第一半导体芯片，其具备把由光电转换元件和晶体管构成的多个像素配列的图像传感器、第二半导体芯片，其具备A/D转换器阵列。最好还层合具备存储器元件阵列的第三半导体芯片。本发明的半导体图像传感器模块层合具备上述图像传感器的第一半导体芯片和具备模拟型非易失性存储器阵列的第四半导体芯片。
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公开(公告)号：CN101753866A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910262215.X
申请日：2006-06-01
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H04N5/335
CPC classification number: H04N5/378 , H01L23/481 , H01L24/16 , H01L25/18 , H01L27/115 , H01L27/14607 , H01L27/14612 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/14638 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14689 , H01L27/1469 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L2224/0401 , H01L2224/05552 , H01L2224/05554 , H01L2224/0557 , H01L2224/13 , H01L2224/13025 , H01L2224/16145 , H01L2224/16237 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/13091 , H01L2924/1425 , H01L2924/1436 , H01L2924/1437 , H01L2924/1443 , H04N5/2253 , H04N5/374 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种CMOS型半导体图像传感器模块及其制造方法，提高像素开口率并且谋求提高芯片的使用效率，而且能使全像素同时遮光。本发明的半导体图像传感器模块层合有：第一半导体芯片，其具备把由光电转换元件和晶体管构成的多个像素配列的图像传感器、第二半导体芯片，其具备A/D转换器阵列。最好还层合具备存储器元件阵列的第三半导体芯片。本发明的半导体图像传感器模块层合具备上述图像传感器的第一半导体芯片和具备模拟型非易失性存储器阵列的第四半导体芯片。
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公开(公告)号：CN1838423B
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200610079369.1
申请日：2006-03-07
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/822
Abstract: 本发明提供了一种背照明型固态图像拾取器件(1041)，包括在半导体衬底(1042)的一个表面上形成的以读取来自形成在半导体衬底(1042)上的光电转换元件(PD)的信号的读取电路(Tr1，Tr2)，其中通过在光电转换元件(PD)中形成的电场把在至少一部分读取电路(Tr1，Tr2)下形成的光电转换区(1052c1)中产生的电荷(e)收集到在光电转换元件(PD)的半导体衬底(1042)的一个表面上形成的电荷累积区(1052a)中。由此，在不降低饱和电荷量(Qs)和灵敏度的情况下，该固态图像拾取器件和摄像机能够使得像素尺寸变得非常小。
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公开(公告)号：CN1953193A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200610150676.4
申请日：2006-10-23
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/225
CPC classification number: H04N5/335 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H01L27/14641
Abstract: 本发明公开了一种固态成像设备。所述固态成像设备包括基于像素被形成在基板上并且对从所述基板的第一表面侧入射的光进行光电变换的多个传感器；以及被形成在所述基板的第二表面侧上并且对来自所述多个传感器的信号进行处理的读出电路，所述第二表面侧是所述第一表面侧的对侧。所述读出电路包括多个晶体管并且所述晶体管以对齐的方式被布置在所述像素之间的区域中。
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公开(公告)号：CN1836326A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200480023641.3
申请日：2004-08-11
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 岩渊信
CPC classification number: H01L23/62 , H01L25/0655 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/73207 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/157 , H01L2924/19107
Abstract: 一种MCM型的半导体装置，可高速动作并实现低功耗，同时，可防止MCM的可靠性或者成品率的降低。直接电连接芯片内部电路(30)、(32)间的信号线，由此，谋求低功耗和高速化。在该信号线上设置保护静电损伤的保护电路(406)。制造装置时，通过连接布线(12)连接芯片内部电路(30)、(32)之间时，预先将保护电路(406)连接到信号线(内部引出线(12a)、内部布线(14))上，由此，即使半导体芯片(20)、(22)所带的电荷流入到信号线上，也可由保护电路(406)进行吸收，所以，可保护电路元件免受静电损伤。连接完成后，将保护电路(406)从信号线上断开，由此，通常使用时，保护电路(406)不成为芯片内部电路(30)、(32)的负载，可防止动作速度的降低。
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