公开(公告)号：CN105845636B

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201610182673.2

申请日：2010-08-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡柏豪 ,  林俊成 ,  余振华

IPC: H01L23/13 ,  H01L23/14 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/498 ,  H01L25/00 ,  H01L25/065 ,  H01L21/48 ,  H01L21/683 ,  H01L21/768 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/3121 ,  H01L21/486 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/13 ,  H01L23/147 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81411 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81464 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81805

Abstract: 一种器件包括中介层，中介层包括具有顶面和底面的衬底。多个衬底通孔(TSV)穿过衬底。多个TSV包括具有第一长度和第一水平尺寸的第一TSV，以及具有不同于第一长度的第二长度和不同于第一水平尺寸的第二水平尺寸的第二TSV。互连结构被形成为置于衬底的顶面，并且电连接到所述多个TSV。本发明还提供了一种在用于接合管芯的中介层中的具有不同尺寸的TSV。

公开(公告)号：CN109003964A

公开(公告)日：2018-12-14

申请号：CN201810732393.3

申请日：2018-07-05

Applicant: 上海洛丁森工业自动化设备有限公司 ,  浙江洛丁森智能科技有限公司

Inventor： 王徐坚 ,  李卫民 ,  李俊毅 ,  姚康

IPC: H01L25/065

CPC classification number: H01L25/0655

Abstract: 本发明涉及一种集成式多参量传感芯片、电路板和电子装置。所述多参量传感芯片具有衬底(11)，在所述衬底(11)上设置有顶硅层(10)，在该顶硅层上集成地制作有用于测量差压的差压传感芯片模块(3)、用于测量绝压的绝压传感芯片模块(6)、用于测量温度的温度传感芯片模块(8)中的至少两个。采用本发明可以使得整个测试操作更为简单、高效且成本更低，并且有助于实现测量设备或系统在整体结构上更为紧凑。

公开(公告)号：CN107431027B

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201680019399.5

申请日：2016-03-07

Applicant: 高通股份有限公司

Inventor： H·B·蔚 ,  J·S·李 ,  D·W·金

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/488 ,  H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L21/50 ,  H01L25/065 ,  H01L25/10

CPC classification number: H01L25/0655 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/5381 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/32137 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种集成电路(IC)封装结构可包括基板。该基板可包括半导体桥，该半导体桥具有直接在面向第一半导体管芯和第二半导体管芯的基板表面上的第一表面。该半导体桥可以被布置在腔体内，该腔体延伸穿过该基板表面上的光敏层。该半导体桥可具有与该光敏层基本齐平的暴露的第二表面。第一半导体管芯和第二半导体管芯由该基板支撑并且通过该半导体桥被耦合在一起。

公开(公告)号：CN108962845A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201810808732.1

申请日：2017-06-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑灿憙 ,  朴寿财 ,  金荣勋 ,  姜仁九 ,  金希烈

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/552 ,  H01L25/16 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00012 ,  H01L21/56 ,  H01L25/16

Abstract: 一种集成电路封装包括：至少一个第一芯片，安装在印刷电路板的安装表面的第一区中；模制单元，覆盖实施安装表面并包围所述至少一个第一芯片；电磁屏蔽膜，覆盖所述模制单元的表面并包围所述至少一个第一芯片；以及第二芯片，安装在所述安装表面的第二区中。第二芯片暴露在所述电磁屏蔽膜外部并与所述印刷电路板间隔开，其中所述模制单元位于第二芯片和所述印刷电路板之间。

公开(公告)号：CN108447830A

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201810116989.0

申请日：2018-02-06

Applicant: 安世有限公司

Inventor： 沃尔夫冈·施尼特 ,  托比亚斯·斯普罗杰斯

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/29

CPC classification number: H01L23/3114 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/291 ,  H01L23/5385 ,  H01L23/5386 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/03 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/3192

Abstract: 本公开涉及半导体芯片级封装及形成半导体芯片级封装的方法或者形成该芯片级封装的阵列的方法。该半导体芯片级封装包括：半导体裸片，其包括：与第二主表面相对的第一主表面，和在所述第一主表面和所述第二主表面之间延伸的多个侧壁；布置在所述半导体裸片的所述第二主表面上的多个电触点；以及布置在所述多个侧壁上和所述第一主表面上的无机绝缘材料。所述芯片级封装不会发生不希望的电流路径或电流泄漏，从而能够正常运行。

公开(公告)号：CN108389855A

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201711135708.8

申请日：2017-11-16

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 金世锺 ,  文东泽 ,  金元基

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/66 ,  H01L21/52

CPC classification number: H01L23/66 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/56 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/367 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/08 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/105 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2223/6616 ,  H01L2223/6655 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/08235 ,  H01L2225/107 ,  H01L2225/1094 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19105 ,  H03H7/38

Abstract: 本发明提供一种半导体封装件及其制造方法。所述半导体封装件包括：装置埋入部，包括第一基板和第二基板，所述第一基板具有埋入在所述第一基板中的第一装置，所述第二基板设置在所述第一基板上；装置安装部，包括第二装置和密封部，所述第二装置设置在所述装置埋入部上，所述密封部用于密封所述第二装置；以及第二模块，安装在所述装置埋入部的与使所述装置安装部设置在其上的表面相对的表面上。

公开(公告)号：CN105304613B

公开(公告)日：2018-08-07

申请号：CN201510003160.6

申请日：2015-01-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶朝阳 ,  林明村 ,  陶昊

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/568 ,  H01L21/768 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/02 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/16 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19011 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043

Abstract: 本发明提供了种封装件以及形成该封装件的方法。具有高密度布线的链接器件附接至封装件以提供互连各半导体器件的高密度互连路径。在个实施例中,封装件是集成扇出封装件。链接器件可以接合至封装件的任侧,并且封装件可任选地包括封装通孔。链接器件还可以为包括电阻器、电感器和电容器部件的集成无源器件。

公开(公告)号：CN108369940A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201580082753.4

申请日：2015-08-31

Applicant: 英特尔公司

Inventor： D.索比斯基 ,  K.达马维卡塔 ,  S.R.S.博亚帕蒂 ,  M.策利科尔 ,  K.O.李 ,  K.阿伊贡 ,  Z.钱

IPC: H01L25/065 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L25/18 ,  H01L23/147 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5385 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/3511

Abstract: 在本文中一般性地讨论了用于包括无机中介件的多芯片封装的方法和器件。一种器件可以包括：基底，其包括处于其中的低密度互连电路；基底上的无机中介件，该无机中介件包括电气连接至低密度互连电路的高密度互连电路，该无机中介件包括无机材料；以及电气连接至无机中介件的两个或更多芯片，该两个或更多芯片通过高密度互连电路彼此电气连接。

公开(公告)号：CN108369937A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201680069890.9

申请日：2016-12-05

Applicant: 英帆萨斯公司

Inventor： 贝尔格森·哈巴

IPC: H01L23/538 ,  H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L23/5381 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/486 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2924/15159 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15313

Abstract: 本揭示所提供的是嵌入式的无通孔桥接。在实作中，在三维桥接部件中含有多个传导线路或导线的离散部件被嵌入于在主要基板中于主要基板的表面下方提供由讯号、电力和电性接地导线所组成的密集数组所需要的地方。到达主要基板的表面平面的垂直传导竖管亦被包括在离散部件中，用以连接至基板的表面上的晶粒，并且因而经由在离散部件中的由导线所组成的密集数组将晶粒彼此互连。要被嵌入的离散部件本身可具有呈规则间隔的由导体所组成的平行平面，且因而可呈现出均匀地覆盖有垂直导体的末端的工作表面，垂直导体可用于将表面构件彼此连接并且沿着嵌入式部件将表面构件连接至在多个地方处的接地和电力。

公开(公告)号：CN104862675B

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201510083537.3

申请日：2015-02-16

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 田中圭一 ,  普林安加·柏达那·普特拉

IPC: C23C18/34 ,  H01L21/768 ,  H01L21/288

CPC classification number: H01L21/76846 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/1879 ,  C23C18/34 ,  C23C18/40 ,  C23C18/50 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76874 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/53238 ,  H01L25/0655 ,  H01L2221/1084 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供使用化学镀液的贯通电极的形成方法,上述贯通电极的形成方法具有如下工序:对于形成于基板的孔的侧壁,(1)使用至少含有钴离子或镍离子、络合剂、还原剂以及pH调节剂的化学镀钴液或化学镀镍液,在前述孔的入口至前述孔的中央部形成作为防止铜扩散的层的金属合金膜的工序;(2)使用至少含有钴离子或镍离子、络合剂、还原剂、pH调节剂以及具有氨基的聚合物的化学镀钴液或化学镀镍液,在前述孔的中央部至前述孔的底形成作为防扩散层的金属合金膜的工序;以及(3)使用化学镀铜液,在(1)工序以及(2)工序形成的防扩散层上层叠铜晶种层的工序。