-
公开(公告)号：CN1953193B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200610150676.4
申请日：2006-10-23
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/225
CPC classification number: H04N5/335 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H01L27/14641
Abstract: 本发明公开了一种固态成像设备。所述固态成像设备包括基于像素被形成在基板上并且对从所述基板的第一表面侧入射的光进行光电变换的多个传感器；以及被形成在所述基板的第二表面侧上并且对来自所述多个传感器的信号进行处理的读出电路，所述第二表面侧是所述第一表面侧的对侧。所述读出电路包括多个晶体管并且所述晶体管以对齐的方式被布置在所述像素之间的区域中。
-
公开(公告)号：CN100481482C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200480011816.9
申请日：2004-03-05
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/148 , H04N5/335
Abstract: 通过以良好平衡的方法改善噪声特性和读出特性从而提供了一种具有满意的噪声特性和读出特性的固态成像装置。所述固态成像装置具有如此的结构使得在构成像素的光接收传感器部分11的一侧提供读信号电荷；将预定的电压信号V施加到形成以覆盖除了光接收传感器部分11之外的图像拾取区的光屏蔽膜9；在构成光接收传感器部分11的光电转换区的第一导电型半导体区2的表面上的中心形成第二导电型半导体区6，且包含比第二导电型半导体区6的掺杂浓度更低的掺杂浓度的区10(10A、10B)形成于第一导电型半导体区2的表面上在电极8侧的端部和像素隔离区3侧的相对端部。
-
公开(公告)号：CN101465364A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200810183590.0
申请日：2008-12-18
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/225
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/1463
Abstract: 本发明公开了一种固态成像装置和相机，其中，该固态成像装置包括：像素单元，形成在基板上，该基板具有光照射于其上的第一基板表面侧和其上形成多个元件的第二基板表面侧，并且对于作为一个单位的像素单元中的每一个或者多个像素单元，像素单元被相邻的单元组和元件分隔层所分隔。每个像素单元均具有形成在第一基板面侧上的第一导电阱和形成在第二基板面侧上的第二导电阱。第一导电阱接收来自第一基板面侧的光并具有用于所接收光的光电转换功能和电荷累积功能。在第二导电阱中形成有检测第一导电阱中的累积电荷并具有阈值调制功能的晶体管。本发明可以有效且迅速地执行一系列操作，例如，光电载流子的生成和累积、电荷的读出以及剩余电荷的传输。
-
公开(公告)号：CN100382327C
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200410071405.0
申请日：2004-04-02
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/14 , H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14843 , H01L27/14623 , H01L27/14689 , H01L27/14837
Abstract: 一种固态图像拾取装置，包括：位于一衬底上的用于接收入射光以进行光电转换的多个光电转换区域；一读取栅，用于读取来自光电转换区域的信号电荷；和一转移寄存器(垂直寄存器)，用于转移由读取栅读取的信号电荷。其中，在所述衬底的表面侧上形成有一个凹槽，和所述转移寄存器和读取栅被形成在所述凹槽的底部处。根据这种结构，在所述固态图像拾取装置中，可实现拖影特性、读取电压、噪音等的减小。
-
公开(公告)号：CN1781192A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200480011816.9
申请日：2004-03-05
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/148 , H04N5/335
Abstract: 通过以良好平衡的方法改善噪声特性和读出特性从而提供了一种具有满意的噪声特性和读出特性的固态成像装置。所述固态成像装置具有如此的结构使得在构成像素的光接收传感器部分11的一侧提供读信号电荷；将预定的电压信号V施加到形成以覆盖除了光接收传感器部分11之外的图像拾取区的光屏蔽膜9；在构成光接收传感器部分11的光电转换区的第一导电型半导体区2的表面上的中心形成第二导电型半导体区6，且包含比第二导电型半导体区6的掺杂浓度更低的掺杂浓度的区10(10A、10B)形成于第一导电型半导体区2的表面上在电极8侧的端部和像素隔离区3侧的相对端部。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1571163A
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：CN200410071405.0
申请日：2004-04-02
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/14 , H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14843 , H01L27/14623 , H01L27/14689 , H01L27/14837
Abstract: 一种固态图像拾取装置，包括：位于一衬底上的用于接收入射光以进行光电转换的多个光电转换区域；一读取栅，用于读取来自光电转换区域的信号电荷；和一转移寄存器(垂直寄存器)，用于转移由读取栅读取的信号电荷。其中，在所述衬底的表面侧上形成有一个凹槽，和所述转移寄存器和读取栅被形成在所述凹槽的底部处。根据这种结构，在所述固态图像拾取装置中，可实现拖影特性、读取电压、噪音等的减小。
-
公开(公告)号：CN102184930A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110090935.X
申请日：2008-12-18
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L27/148 , H04N5/225
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/1463
Abstract: 本发明公开了一种固态成像装置和相机，其中，该固态成像装置包括：像素单元，形成在基板上，该基板具有光照射于其上的第一基板表面侧和其上形成多个元件的第二基板表面侧，并且对于作为一个单位的像素单元中的每一个或者多个像素单元，像素单元被相邻的单元组和元件分隔层所分隔。每个像素单元均具有形成在第一基板面侧上的第一导电阱和形成在第二基板面侧上的第二导电阱。第一导电阱接收来自第一基板面侧的光并具有用于所接收光的光电转换功能和电荷累积功能。在第二导电阱中形成有检测第一导电阱中的累积电荷并具有阈值调制功能的晶体管。本发明可以有效且迅速地执行一系列操作，例如，光电载流子的生成和累积、电荷的读出以及剩余电荷的传输。
-
公开(公告)号：CN102184930B
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201110090935.X
申请日：2008-12-18
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L27/148 , H04N5/225
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/1463
Abstract: 本发明公开了一种固态成像装置和相机，其中，该固态成像装置包括：像素单元，形成在基板上，该基板具有光照射于其上的第一基板表面侧和其上形成多个元件的第二基板表面侧，并且对于作为一个单位的像素单元中的每一个或者多个像素单元，像素单元被相邻的单元组和元件分隔层所分隔。每个像素单元均具有形成在第一基板面侧上的第一导电阱和形成在第二基板面侧上的第二导电阱。第一导电阱接收来自第一基板面侧的光并具有用于所接收光的光电转换功能和电荷累积功能。在第二导电阱中形成有检测第一导电阱中的累积电荷并具有阈值调制功能的晶体管。本发明可以有效且迅速地执行一系列操作，例如，光电载流子的生成和累积、电荷的读出以及剩余电荷的传输。
-
公开(公告)号：CN101465364B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200810183590.0
申请日：2008-12-18
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/225
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/1463
Abstract: 本发明公开了一种固态成像装置和相机，其中，该固态成像装置包括：像素单元，形成在基板上，该基板具有光照射于其上的第一基板表面侧和其上形成多个元件的第二基板表面侧，并且对于作为一个单位的像素单元中的每一个或者多个像素单元，像素单元被相邻的单元组和元件分隔层所分隔。每个像素单元均具有形成在第一基板面侧上的第一导电阱和形成在第二基板面侧上的第二导电阱。第一导电阱接收来自第一基板面侧的光并具有用于所接收光的光电转换功能和电荷累积功能。在第二导电阱中形成有检测第一导电阱中的累积电荷并具有阈值调制功能的晶体管。本发明可以有效且迅速地执行一系列操作，例如，光电载流子的生成和累积、电荷的读出以及剩余电荷的传输。
-
公开(公告)号：CN100442530C
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200610008003.5
申请日：2006-02-21
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
Abstract: 本发明公开了固态成像器件及其驱动方法和照相装置。在采用在衬底后表面侧上形成p+层以便防止从硅边界表面产生暗电流的结构的情形中，出现了各种问题。根据本发明，在硅衬底(31)的后表面上提供有绝缘薄膜(39)，并且在其上还提供有透明电极(40)，并且通过将相对于硅衬底(31)的电势的负电压从电源(41)通过透明电极(40)施加到绝缘薄膜(39)，空穴在衬底后表面侧的硅边界表面上被累积，从而创建了与其中在前述硅边界表面上存在空穴累积层的状态等价的结构。从而可以避免相关技术中的各种问题。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
12
records
(took 0.038 seconds)
