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公开(公告)号：CN1779848A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200510107038.X
申请日：2005-09-27
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11C11/22 , G11C13/0007 , G11C13/0038 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0066 , G11C2213/79
Abstract: 本发明提出了一种存储器件，它包括：沿着行方向排列的源线；沿着列方向排列的位线；在源线和位线的相交处布置的存储元件；与位线的一端连接并且向所述位线施加预定电压的写电路；以及连接到离位线的另一端最近的存储元件的电压调整电路；其中，所述电压调整电路将被施加到离所述位线的所述另一端最近的存储元件的电压与设置电压相比较，由此调整所述写电路向位线施加的电压。
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公开(公告)号：CN100524510C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200510114006.2
申请日：2005-10-13
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11C13/00 , G11C13/0069 , G11C2013/0078 , G11C2013/009 , G11C2213/79
Abstract: 一种存储器件，包括：存储元件，具有这样的特性：作为被施加大于或等于第一门限信号的电信号的结果，其电阻值从高状态向低状态改变，并且作为被施加大于或等于第二门限信号的电信号的结果，其电阻值从低状态向高状态改变，其中所述第二门限信号的极性与第一门限信号的极性不同；以及电路元件，与存储元件串联，并且作为负荷，所述存储元件和电路元件形成存储单元，并且多个所述存储单元以矩阵排列，其中，在读取存储元件时的电路元件的电阻值与在写入或擦除存储元件时的电阻值不同。
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公开(公告)号：CN1779848B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200510107038.X
申请日：2005-09-27
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11C11/22 , G11C13/0007 , G11C13/0038 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0066 , G11C2213/79
Abstract: 本发明提出了一种存储器件，它包括：沿着行方向排列的源线；沿着列方向排列的位线；在源线和位线的相交处布置的存储元件；与位线的一端连接并且向所述位线施加预定电压的写电路；以及连接到离位线的另一端最近的存储元件的电压调整电路；其中，所述电压调整电路将被施加到离所述位线的所述另一端最近的存储元件的电压与设置电压相比较，由此调整所述写电路向位线施加的电压。
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公开(公告)号：CN1779851A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200510114006.2
申请日：2005-10-13
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11C13/00 , G11C13/0069 , G11C2013/0078 , G11C2013/009 , G11C2213/79
Abstract: 一种存储器件，包括：存储元件，具有这样的特性：作为被施加大于或等于第一门限信号的电信号的结果，其电阻值从高状态向低状态改变，并且作为被施加大于或等于第二门限信号的电信号的结果，其电阻值从低状态向高状态改变，其中所述第二门限信号的极性与第一门限信号的极性不同；以及电路元件，与存储元件串联，并且作为负荷，所述存储元件和电路元件形成存储单元，并且多个所述存储单元以矩阵排列，其中，在读取存储元件时的电路元件的电阻值与在写入或擦除存储元件时的电阻值不同。
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公开(公告)号：CN100511473C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200610103086.6
申请日：2006-07-10
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11C13/0011 , G11C11/5614 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0071 , G11C2013/0076 , G11C2213/79
Abstract: 本发明提供一种存储器件，它包括存储元件、电路元件和写入控制部件。所述存储单元具有下述特性：所述特性表现出由于施加至少等于第一门限信号的电信号，电阻从大值改变到小值，而由于施加至少等于第二门限信号的电信号，电阻从小值改变到大值，所述第二门限信号具有与第一门限信号相反的极性。所述电路元件与所述存储元件串联。所述写入控制部件被配置成执行第一写入操作，检测在第n写入操作后由存储元件表现出的电阻，其中n大于等于1，将所检测到的电阻与所述设置值相比较，并且执行第(n+1)写入操作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1983443A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610063914.8
申请日：2006-09-12
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11C11/00
CPC classification number: G11C13/0011 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/31 , G11C2213/79
Abstract: 存储装置包括存储器单元，存储器单元具有存储元件和与所述存储元件串联连接的电路元件，所述存储元件具有这样的特性，通过被供给等于或高于第一阈值电压的电压而从高电阻值状态改变到低电阻值状态，并且通过被供给等于或高于第二阈值电压的电压而从低电阻值状态改变到高电阻值状态，所述第二阈值电压与所述第一阈值电压极性不同，其中，令R为写之后的所述存储元件的电阻值，V为所述第二阈值电压，并且I为在擦除时可以通过所述存储元件的电流，R≥V/I。
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公开(公告)号：CN1892902A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610103086.6
申请日：2006-07-10
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11C13/0011 , G11C11/5614 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0071 , G11C2013/0076 , G11C2213/79
Abstract: 本发明提供一种存储器件，它包括存储元件、电路元件和写入控制部件。所述存储单元具有下述特性：所述特性表现出由于施加至少等于第一门限信号的电信号，电阻从大值改变到小值，而由于施加至少等于第二门限信号的电信号，电阻从小值改变到大值，所述第二门限信号具有与第一门限信号相反的极性。所述电路元件与所述存储元件串联。所述写入控制部件被配置成执行第一写入操作，检测在第n写入操作后由存储元件表现出的电阻，其中n大于等于1，将所检测到的电阻与所述设置值相比较，并且执行第(n+1)写入操作。
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公开(公告)号：CN1983443B
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200610063914.8
申请日：2006-09-12
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11C11/00
CPC classification number: G11C13/0011 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/31 , G11C2213/79
Abstract: 存储装置包括存储器单元，存储器单元具有存储元件和与所述存储元件串联连接的电路元件，所述存储元件具有这样的特性，通过被供给等于或高于第一阈值电压的电压而从高电阻值状态改变到低电阻值状态，并且通过被供给等于或高于第二阈值电压的电压而从低电阻值状态改变到高电阻值状态，所述第二阈值电压与所述第一阈值电压极性不同，其中，令R为写之后的所述存储元件的电阻值，V为所述第二阈值电压，并且I为在擦除时可以通过所述存储元件的电流，R≥V/I。
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公开(公告)号：CN100481254C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200510107643.7
申请日：2005-09-29
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11C13/02 , G11C13/0069 , G11C2213/79
Abstract: 一种存储装置，包括存储器件，所述存储器件每个都具有存储元件，所述存储元件具有如下特性：不低于第一阈值信号的电信号的施加，允许存储元件从高电阻值状态转换到低电阻值状，以及不低于第二阈值信号的电信号的施加，允许存储元件从低电阻值状态转换到高电阻值状态，所述第二阈值信号具有与第一阈值信号不同的极性；所述存储器件每个都具有电路元件，与存储元件串联以作为负载，其中，存储器件以矩阵排列，且每个存储器件的端子之一与公共线连接；并且其中向公共线施加在电源电势和接地电势之间的中间电势。
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公开(公告)号：CN1770319A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200510107643.7
申请日：2005-09-29
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11C13/02 , G11C13/0069 , G11C2213/79
Abstract: 一种存储装置，包括存储器件，所述存储器件每个都具有存储元件，所述存储元件具有如下特性：不低于第一阈值信号的电信号的施加，允许存储元件从高电阻值状态转换到低电阻值状态，以及不低于第二阈值信号的电信号的施加，允许存储元件从低电阻值状态转换到高电阻值状态，所述第二阈值信号具有与第一阈值信号不同的极性；所述存储器件每个都具有电路元件，与存储元件串联以作为负载，其中，存储器件以矩阵排列，且每个存储器件的端子之一与公共线连接；并且其中向公共线施加在电源电势和接地电势之间的中间电势。
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