公开(公告)号：CN100573873C

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200610092687.1

申请日：2006-06-13

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 长滨嘉彦

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L21/28079 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：在衬底上的，具有在所述衬底上的绝缘膜中形成的第一沟槽中设置的栅电极的第一导电型MOS晶体管；和在所述衬底上的，具有在所述绝缘膜中形成的第二沟槽中设置的栅电极的第二导电型MOS晶体管，所述第一导电型和所述第二导电型为彼此相反的类型。本发明中的半导体器件可以在进行抛光的同时抑制和防止电腐蚀，从而可以获得高可靠性的栅极结构，且可以提高晶体管的表现。

公开(公告)号：CN1881590A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200610092687.1

申请日：2006-06-13

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 长滨嘉彦

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L21/28079 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：在衬底上的，具有在所述衬底上的绝缘膜中形成的第一沟槽中设置的栅电极的第一导电型MOS晶体管；和在所述衬底上的，具有在所述绝缘膜中形成的第二沟槽中设置的栅电极的第二导电型MOS晶体管，所述第一导电型和所述第二导电型为彼此相反的类型。本发明中的半导体器件可以在进行抛光的同时抑制和防止电腐蚀，从而可以获得高可靠性的栅极结构，且可以提高晶体管的表现。

公开(公告)号：CN101556964B

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN200910117896.0

申请日：2009-04-09

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 田谷圭司 ,  松本拓治 ,  舘下八州志 ,  古闲史彦 ,  永野隆史 ,  豊岛隆宽 ,  山口哲司 ,  中泽圭一 ,  宫下直幸 ,  长滨嘉彦

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明公开了一种固体摄像器件，其包括像素部、周边电路部、以浅沟槽隔离结构形成在所述周边电路部中的半导体基板上的第一隔离区域以及以浅沟槽隔离结构形成在所述像素部中的半导体基板上的第二隔离区域。所述第二隔离区域的埋入到所述半导体基板中的部分比所述第一隔离区域的埋入到所述半导体基板中的部分浅，且所述第二隔离区域的顶面的高度等于所述第一隔离区域的顶面的高度。本发明还公开了该固体摄像器件的制造方法以及设有该固体摄像器件的电子装置。本发明可以实现处理步骤的减少以及包括灵敏度的像素特性的改善。

公开(公告)号：CN101556964A

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200910117896.0

申请日：2009-04-09

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 田谷圭司 ,  松本拓治 ,  舘下八州志 ,  古闲史彦 ,  永野隆史 ,  豊岛隆宽 ,  山口哲司 ,  中泽圭一 ,  宫下直幸 ,  长滨嘉彦

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/82 ,  H01L21/762 ,  H04N5/335

Abstract: 本发明公开了一种固体摄像器件，其包括像素部、周边电路部、以浅沟槽隔离结构形成在所述周边电路部中的半导体基板上的第一隔离区域以及以浅沟槽隔离结构形成在所述像素部中的半导体基板上的第二隔离区域。所述第二隔离区域的埋入到所述半导体基板中的部分比所述第一隔离区域的埋入到所述半导体基板中的部分浅，且所述第二隔离区域的顶面的高度等于所述第一隔离区域的顶面的高度。本发明还公开了该固体摄像器件的制造方法以及设有该固体摄像器件的电子装置。本发明可以实现处理步骤的减少以及包括灵敏度的像素特性的改善。