公开(公告)号：CN101640210B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200910162578.6

申请日：2009-08-03

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 松本拓治 ,  田谷圭司 ,  舘下八州志 ,  糸长总一郎

IPC: H01L27/146 ,  H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L21/822 ,  H04N5/335 ,  H04N5/225

CPC classification number: H01L27/14614 ,  H01L27/14605 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14689 ,  H01L29/51 ,  H01L29/518 ,  H04N5/335 ,  H04N5/378

Abstract: 本发明提供了一种固体摄像器件及其制造方法以及包括该固体摄像器件的摄像装置。所述固体摄像器件在半导体基板中包括：设有对入射光进行光电转换以得到电信号的光电转换部的像素部，以及设在像素部周围的周边电路部，其中周边电路部中的MOS晶体管的栅极绝缘膜由氮氧化硅膜构成，像素部中的MOS晶体管的栅极绝缘膜由氮氧化硅膜构成，并且在像素部中的光电转换部的正上方设有氧化物膜。本发明可以防止隧道电流的产生，从而改善周边电路部和像素部的晶体管特性。而且，由于可以防止因光电转换部中的固定电荷所致的白色缺陷和暗电流的恶化，所以优点在于改善了图像质量。

公开(公告)号：CN101640210A

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200910162578.6

申请日：2009-08-03

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 松本拓治 ,  田谷圭司 ,  舘下八州志 ,  糸长总一郎

IPC: H01L27/146 ,  H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L21/822 ,  H04N5/335 ,  H04N5/225

CPC classification number: H01L27/14614 ,  H01L27/14605 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14689 ,  H01L29/51 ,  H01L29/518 ,  H04N5/335 ,  H04N5/378

Abstract: 本发明提供了一种固体摄像器件及其制造方法以及包括该固体摄像器件的摄像装置。所述固体摄像器件在半导体基板中包括：设有对入射光进行光电转换以得到电信号的光电转换部的像素部，以及设在像素部周围的周边电路部，其中周边电路部中的MOS晶体管的栅极绝缘膜由氮氧化硅膜构成，像素部中的MOS晶体管的栅极绝缘膜由氮氧化硅膜构成，并且在像素部中的光电转换部的正上方设有氧化物膜。本发明可以防止隧道电流的产生，从而改善周边电路部和像素部的晶体管特性。而且，由于可以防止因光电转换部中的固定电荷所致的白色缺陷和暗电流的恶化，所以优点在于改善了图像质量。

公开(公告)号：CN101556964B

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN200910117896.0

申请日：2009-04-09

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 田谷圭司 ,  松本拓治 ,  舘下八州志 ,  古闲史彦 ,  永野隆史 ,  豊岛隆宽 ,  山口哲司 ,  中泽圭一 ,  宫下直幸 ,  长滨嘉彦

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明公开了一种固体摄像器件，其包括像素部、周边电路部、以浅沟槽隔离结构形成在所述周边电路部中的半导体基板上的第一隔离区域以及以浅沟槽隔离结构形成在所述像素部中的半导体基板上的第二隔离区域。所述第二隔离区域的埋入到所述半导体基板中的部分比所述第一隔离区域的埋入到所述半导体基板中的部分浅，且所述第二隔离区域的顶面的高度等于所述第一隔离区域的顶面的高度。本发明还公开了该固体摄像器件的制造方法以及设有该固体摄像器件的电子装置。本发明可以实现处理步骤的减少以及包括灵敏度的像素特性的改善。

公开(公告)号：CN101556964A

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200910117896.0

申请日：2009-04-09

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 田谷圭司 ,  松本拓治 ,  舘下八州志 ,  古闲史彦 ,  永野隆史 ,  豊岛隆宽 ,  山口哲司 ,  中泽圭一 ,  宫下直幸 ,  长滨嘉彦

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/82 ,  H01L21/762 ,  H04N5/335

Abstract: 本发明公开了一种固体摄像器件，其包括像素部、周边电路部、以浅沟槽隔离结构形成在所述周边电路部中的半导体基板上的第一隔离区域以及以浅沟槽隔离结构形成在所述像素部中的半导体基板上的第二隔离区域。所述第二隔离区域的埋入到所述半导体基板中的部分比所述第一隔离区域的埋入到所述半导体基板中的部分浅，且所述第二隔离区域的顶面的高度等于所述第一隔离区域的顶面的高度。本发明还公开了该固体摄像器件的制造方法以及设有该固体摄像器件的电子装置。本发明可以实现处理步骤的减少以及包括灵敏度的像素特性的改善。