公开(公告)号：CN101683976A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200810149298.7

申请日：2008-09-27

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 梶浦尚志 ,  李勇明 ,  黄丽平 ,  刘云圻 ,  魏大程 ,  王钰 ,  张洪亮

IPC: C01B31/02

CPC classification number: B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/02 ,  C01B2202/30 ,  C01B2202/36 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/842

Abstract: 本发明公开了碳纳米管及其制备方法以及使用碳纳米管的元件。该制备碳纳米管的方法，包括在催化剂和助催化剂存在下，通过电弧放电法由碳源生产碳纳米管，其中，所述助催化剂包括能降低在催化剂上碳纳米管生长位点的表面能的单质。本发明制备碳纳米管的方法可以制备出纯度非常高并且直径分布窄的碳纳米管。

公开(公告)号：CN101746746A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200810187262.8

申请日：2008-12-19

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 梶浦尚志 ,  李勇明 ,  黄丽平 ,  刘云圻

IPC: C01B31/02

Abstract: 本申请公开了制备和纯化碳纳米管的方法、碳纳米管以及碳纳米管元件。该制备碳纳米管的方法包括下列步骤：(a)通过电弧放电法在催化剂和任选的助催化剂存在下生产碳纳米管，(b)以该碳纳米管为电极进行电解，然后洗涤电解后的碳纳米管。由于电解的条件温和，并且可以在较短的时间内完成，因此，本发明方法不会破坏碳纳米管结构，电解之后的碳纳米管能够保持其结构完整性。

公开(公告)号：CN101746745A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200810178857.7

申请日：2008-12-04

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 梶浦尚志 ,  李勇明 ,  王钰 ,  刘云圻 ,  魏大程 ,  张洪亮 ,  黄丽平

IPC: C01B31/02

CPC classification number: B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/162 ,  C01B32/17 ,  C01B32/174 ,  C01B2202/02 ,  C01B2202/28

Abstract: 本申请公开了碳纳米管的制备方法以及纯化方法。本申请还涉及由本申请的方法获得的碳纳米管以及使用这些碳纳米管的元件。该制备碳纳米管的方法，包括(a)在催化剂和任选的助催化剂存在下通过电弧放电法生产碳纳米管，(b)使用能够与催化剂和/或任选的助催化剂中存在的金属元素形成络合物的物质与催化剂和/或任选的助催化剂中存在的金属元素络合，得到络合物，和(c)除去所述络合物。

公开(公告)号：CN101748380A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200810182994.8

申请日：2008-12-15

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 梶浦尚志 ,  李勇明 ,  张洪亮 ,  刘云圻 ,  曹灵超 ,  魏大程 ,  王钰 ,  黄丽平

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01M4/926 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/02 ,  C01B2202/36

Abstract: 本申请涉及制造制备透明导电碳纳米管膜的方法，由所述方法制备的碳纳米管膜，以及包括该碳纳米管膜的碳纳米管元件。与常规通过过滤方法获得的碳纳米管膜相比，使用本申请的方法所获得的碳纳米管膜透明性高并且薄层电阻明显更低。