公开(公告)号：CN101748380A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200810182994.8

申请日：2008-12-15

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 梶浦尚志 ,  李勇明 ,  张洪亮 ,  刘云圻 ,  曹灵超 ,  魏大程 ,  王钰 ,  黄丽平

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01M4/926 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/02 ,  C01B2202/36

Abstract: 本申请涉及制造制备透明导电碳纳米管膜的方法，由所述方法制备的碳纳米管膜，以及包括该碳纳米管膜的碳纳米管元件。与常规通过过滤方法获得的碳纳米管膜相比，使用本申请的方法所获得的碳纳米管膜透明性高并且薄层电阻明显更低。

公开(公告)号：CN101746745A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200810178857.7

申请日：2008-12-04

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 梶浦尚志 ,  李勇明 ,  王钰 ,  刘云圻 ,  魏大程 ,  张洪亮 ,  黄丽平

IPC: C01B31/02

CPC classification number: B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/162 ,  C01B32/17 ,  C01B32/174 ,  C01B2202/02 ,  C01B2202/28

Abstract: 本申请公开了碳纳米管的制备方法以及纯化方法。本申请还涉及由本申请的方法获得的碳纳米管以及使用这些碳纳米管的元件。该制备碳纳米管的方法，包括(a)在催化剂和任选的助催化剂存在下通过电弧放电法生产碳纳米管，(b)使用能够与催化剂和/或任选的助催化剂中存在的金属元素形成络合物的物质与催化剂和/或任选的助催化剂中存在的金属元素络合，得到络合物，和(c)除去所述络合物。

公开(公告)号：CN101450797B

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN200710196650.8

申请日：2007-11-29

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 梶浦尚志 ,  李勇明 ,  张洪亮 ,  刘云圻 ,  曹灵超 ,  李祥龙 ,  魏大程 ,  王钰 ,  石大川

IPC: C01B31/02 ,  C09C3/06 ,  B82B3/00

CPC classification number: H01J9/025 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/168 ,  C01B2202/02 ,  C01B2202/04 ,  H01J1/304 ,  H01J2201/30469 ,  Y10S977/845 ,  Y10S977/847

Abstract: 一种处理碳纳米管的方法、碳纳米管以及碳纳米管元件。在该处理碳纳米管的方法中，使用SO3气体在高温例如385～475℃的处理温度下对碳纳米管进行处理。

公开(公告)号：CN101683976A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200810149298.7

申请日：2008-09-27

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 梶浦尚志 ,  李勇明 ,  黄丽平 ,  刘云圻 ,  魏大程 ,  王钰 ,  张洪亮

IPC: C01B31/02

CPC classification number: B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/02 ,  C01B2202/30 ,  C01B2202/36 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/842

Abstract: 本发明公开了碳纳米管及其制备方法以及使用碳纳米管的元件。该制备碳纳米管的方法，包括在催化剂和助催化剂存在下，通过电弧放电法由碳源生产碳纳米管，其中，所述助催化剂包括能降低在催化剂上碳纳米管生长位点的表面能的单质。本发明制备碳纳米管的方法可以制备出纯度非常高并且直径分布窄的碳纳米管。

公开(公告)号：CN101450797A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200710196650.8

申请日：2007-11-29

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 梶浦尚志 ,  李勇明 ,  张洪亮 ,  刘云圻 ,  曹灵超 ,  李祥龙 ,  魏大程 ,  王钰 ,  石大川

IPC: C01B31/02 ,  C09C3/06 ,  B82B3/00

CPC classification number: H01J9/025 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/168 ,  C01B2202/02 ,  C01B2202/04 ,  H01J1/304 ,  H01J2201/30469 ,  Y10S977/845 ,  Y10S977/847

Abstract: 一种处理碳纳米管的方法、碳纳米管以及碳纳米管元件。在该处理碳纳米管的方法中，使用SO3气体在高温例如385～475℃的处理温度下对碳纳米管进行处理。

公开(公告)号：CN101508432A

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200810005631.7

申请日：2008-02-14

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 梶浦尚志 ,  李勇明 ,  王钰 ,  刘云圻 ,  曹灵超 ,  魏大程 ,  石大川 ,  张洪亮 ,  于贵

IPC: C01B31/02 ,  B32B7/08 ,  B32B9/00 ,  H01L51/52 ,  H01L51/54

CPC classification number: H01L51/0003 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/174 ,  C01B2202/02 ,  C01B2202/28 ,  H01L51/002 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/5215 ,  Y02E10/549 ,  Y10T428/30 ,  Y10T428/31786

Abstract: 本发明提供制造柔性透明导电碳纳米管(CNT)膜的方法，以及由所述方法制备的CNT膜。本发明也涉及使用亚硫酰溴(SOBr2)作为掺杂剂处理CNT膜的方法、具有夹层结构的CNT膜层压体、包括该CNT膜层压体的柔性透明阳极和包括该阳极的有机发光二极管(LED)。与通常的浸渍方法相比，本申请的方法能够快速和完全地除去薄膜过滤器，而不破坏所得到的CNT，这使得得到的CNT膜能够在电致发光或光伏器件中得到更加广泛的应用。