公开(公告)号：CN101483162A

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200910000776.2

申请日：2009-01-09

Applicant: 索尼株式会社 ,  株式会社藤仓

Inventor： 原田恵充 ,  铃木优美 ,  锅义博 ,  高冈裕二 ,  和田英之 ,  猿田正畅 ,  末益龙夫

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/14618 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明涉及具有形成在半导体芯片中的通孔互连部的半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括半导体基板、绝缘层、过孔和通孔互连部。所述绝缘层形成在所述半导体基板上。所述过孔形成为穿过所述半导体基板和绝缘层。通过填充在所述半导体基板与形成在所述半导体基板上的绝缘层之间的边界上的凹入部，使形成在所述过孔的内表面上的绝缘层的表面基本平坦化。因此，由于能够防止导电层形成可能集中有由累积热或其它情况引起的热膨胀应力的诸如凸起部等部分，能够提高半导体装置的可靠性。

公开(公告)号：CN101483162B

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN200910000776.2

申请日：2009-01-09

Applicant: 索尼株式会社 ,  株式会社藤仓

Inventor： 原田恵充 ,  铃木优美 ,  锅义博 ,  高冈裕二 ,  和田英之 ,  猿田正畅 ,  末益龙夫

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/14618 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明涉及具有形成在半导体芯片中的通孔互连部的半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括半导体基板、绝缘层、过孔和通孔互连部。所述绝缘层形成在所述半导体基板上。所述过孔形成为穿过所述半导体基板和绝缘层。通过填充在所述半导体基板与形成在所述半导体基板上的绝缘层之间的边界上的凹入部，使形成在所述过孔的内表面上的绝缘层的表面基本平坦化。因此，由于能够防止导电层形成可能集中有由累积热或其它情况引起的热膨胀应力的诸如凸起部等部分，能够提高半导体装置的可靠性。