公开(公告)号：CN119162594A

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202410790181.6

申请日：2024-06-19

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： A·乌茨 ,  A·维特 ,  H·施塔尔 ,  S·珀尔施 ,  S·维贾亚库马尔

IPC: C25B9/60 ,  C25B15/02 ,  C25B1/04

Abstract: 一种用于运行电化学设备(1)、尤其是电解设备的方法，该电化学设备包括：至少一个堆(2)，尤其是电解堆；以及用于电供应的部件(3)，堆(2)与用于电供应的部件(3)分开地容纳在填充有气体，尤其空气和/或惰性气体的气密地封闭的体积(4)中，在电化学设备(1)运行期间，体积(4)中的压力(p1)和/或环境中或另一体积(5)中的压力(p2)被设定为压力(p1)小于压力(p2)，在另一体积中容纳了用于电供应的部件(3)。本发明还涉及一种电化学设备(1)，尤其是电解设备，该设备适用于实施该方法或可根据该工艺运行。

公开(公告)号：CN109689566A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201780054553.7

申请日：2017-08-24

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： T·林德曼 ,  H·施塔尔 ,  M·米奇克 ,  D·豪格 ,  D·克歇尔 ,  A·丹嫩贝格 ,  M·施瓦茨

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00325

Abstract: 本发明涉及一种用于制造具有悬空的压力传感器装置(12)的微机械构件(100)的方法以及一种相应的微机械构件(100)。所述方法具有以下步骤：在第一衬底(10)的第一外面中或处构造导电的牺牲元件(14)；将第二衬底(20)在所述第一衬底(10)的外面处或上安置在所述牺牲元件(14)上方；构造压力传感器装置(12)，包括所述第二衬底(20)的阳极蚀刻；构造在所述第二衬底(20)中的至少一个沟(22)，该沟达到所述牺牲元件(14)；并且至少部分地移除(S50)所述牺牲元件(14)以使所述压力传感器装置(12)悬空。

公开(公告)号：CN108975262A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201810551540.7

申请日：2018-05-31

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： A·哈特利布 ,  H·施塔尔 ,  J·拜恩特纳 ,  J·巴茨

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H01L29/04 ,  H01L21/02

CPC classification number: C01B33/02 ,  B81C1/00666 ,  C01P2002/60 ,  C01P2002/90 ,  C01P2006/40 ,  C23C16/24 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L29/16 ,  B81B3/0018 ,  B81B3/0072 ,  B81C1/00158 ,  H01L29/04

Abstract: 本发明提出一种具有小的机械张力的多晶材料(5)，其中，多晶材料(5)包括第一类型(1)的一个或多个层和第二类型(2)的一个或多个层，其中，第一类型(1)的层和第二类型(2)的层分别具有至少一种多晶材料组分，其特征在于，第一类型(1)的层相比于第二类型(2)的层具有较小的平均晶粒尺寸，其中，第一类型(1)的层和第二类型(2)的层以交替的顺序至少部分相叠地布置，其中，在第一类型(1)的层和第二类型(2)的层之间的过渡可以是突然的或者连续的。

公开(公告)号：CN101119924A

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200580048189.0

申请日：2005-12-21

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： M·伊林 ,  H·韦伯 ,  C·舍林 ,  H·施塔尔 ,  S·魏斯

IPC: B81B3/00

CPC classification number: B81C1/00158 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00476 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/053

Abstract: 本发明描述了一种用于制造微机械膜片传感器的方法以及一种借助所述方法制造的微机械膜片传感器。在此规定，微机械膜片传感器具有至少一个第一膜片和一个基本上在第一膜片之上的第二膜片。此外还规定，微机械膜片传感器具有第一空腔和基本上在第一空腔之上的第二空腔。

公开(公告)号：CN107986228A

公开(公告)日：2018-05-04

申请号：CN201711011247.3

申请日：2017-10-26

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： H·施塔尔 ,  A·朔伊尔勒 ,  H·施佩希特 ,  M·温克 ,  R·豪斯纳 ,  V·施米茨

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C3/001 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00269 ,  B81C99/0035 ,  B81C1/00015 ,  B81C1/00023 ,  B81C1/0023

Abstract: 本发明提出一种用于制造微机械构件的方法，其中，微机械构件包括衬底装置和罩装置，其中，在准备步骤中，使衬底装置和/或罩装置结构化，其中，在第一子步骤中，设定第一压力和/或第一化学组分，并且将衬底装置和罩装置这样相互连接，使得形成相对于微机械构件的周围环境封闭的第一空穴，其中，在第一空穴中存在第一压力和/或包含第一化学组分，其中，在第二子步骤中，设定第二压力和/或第二化学组分，并且衬底装置和罩装置这样相互连接，使得形成相对于微机械构件的周围环境并且相对于第一空穴封闭的第二空穴，其中，在第二空穴中存在第二压力和/或包含第二化学组分。

公开(公告)号：CN107986228B

公开(公告)日：2023-03-10

申请号：CN201711011247.3

申请日：2017-10-26

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： H·施塔尔 ,  A·朔伊尔勒 ,  H·施佩希特 ,  M·温克 ,  R·豪斯纳 ,  V·施米茨

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明提出一种用于制造微机械构件的方法，其中，微机械构件包括衬底装置和罩装置，其中，在准备步骤中，使衬底装置和/或罩装置结构化，其中，在第一子步骤中，设定第一压力和/或第一化学组分，并且将衬底装置和罩装置这样相互连接，使得形成相对于微机械构件的周围环境封闭的第一空穴，其中，在第一空穴中存在第一压力和/或包含第一化学组分，其中，在第二子步骤中，设定第二压力和/或第二化学组分，并且衬底装置和罩装置这样相互连接，使得形成相对于微机械构件的周围环境并且相对于第一空穴封闭的第二空穴，其中，在第二空穴中存在第二压力和/或包含第二化学组分。

公开(公告)号：CN104843631A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201510224045.1

申请日：2015-02-15

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： A·格罗塞 ,  H·施塔尔

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00595 ,  B81B7/0077 ,  B81B2203/06 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/00571 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/053

Abstract: 用于微机械结构元件(200)的层组件(100)，其具有：第一层(10)，其既可用于所述结构元件(200)的电布线也可用作所述结构元件(200)的电极；和耐氧化物蚀刻的第二层(20)，其布置在第一层(10)的下方，其中，该第二层(20)基本上在一个平面内构造。

公开(公告)号：CN101119924B

公开(公告)日：2011-03-09

申请号：CN200580048189.0

申请日：2005-12-21

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： M·伊林 ,  H·韦伯 ,  C·舍林 ,  H·施塔尔 ,  S·魏斯

IPC: B81B3/00

CPC classification number: B81C1/00158 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00476 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/053

Abstract: 本发明描述了一种用于制造微机械膜片传感器的方法以及一种借助所述方法制造的微机械膜片传感器。在此规定，微机械膜片传感器具有至少一个第一膜片和一个基本上在第一膜片之上的第二膜片。此外还规定，微机械膜片传感器具有第一空腔和基本上在第一空腔之上的第二空腔。

公开(公告)号：CN119731116A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202380060152.8

申请日：2023-07-10

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： A·克尔布尔 ,  J·托马斯科 ,  H·屈佩尔斯 ,  H·施塔尔 ,  A·哈茨海姆

IPC: B81C1/00

Abstract: 一种用于制造硅层系统(310)的方法，包括以下步骤：提供具有表面的载体衬底，其中，载体衬底设有形成在所述表面上的绝缘层；在所述绝缘层上施加第一硅层；将第一硅层结构化，用于在第一硅层中形成沟槽，其中，沟槽至少在局部延伸穿过第一硅层；将第一硅层钝化，其中，沟槽被填充，并且，在第一硅层的背离绝缘层的一侧上形成第一钝化层；将第一钝化层结构化，其中，在第一硅层中形成第一牺牲区域和功能区域，并且，第一牺牲区域在第一硅层的背离绝缘层的一侧上至少在局部没有第一钝化层。从施加起重复这些步骤，由此在另外的硅层中形成牺牲区域和功能区域；接着去除所有牺牲区域。这些步骤实施成，使得形成包括至少一个专用功能区域的电连接部(390)，通过所述电连接部能在两个元件(380)之间建立电连接，其中，所述至少一个专用功能区域仅用于电连接部(390)。

公开(公告)号：CN119731115A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202380060150.9

申请日：2023-07-20

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： A·克尔布尔 ,  J·托马斯科 ,  H·屈佩尔斯 ,  H·施塔尔 ,  A·哈茨海姆

IPC: B81C1/00

Abstract: 一种用于制造微机电结构的方法，包括提供载体衬底(110)，其具有中心层(140)和表面以及布置在中心层的一侧上且施加在所述表面上的绝缘层(122)；在绝缘层上施加硅层(150a)；对硅层进行结构化以形成在局部延伸穿过硅层的沟槽(156)；对硅层进行钝化，其中，沟槽被填充并形成钝化层(154)；对钝化层进行结构化，其中，形成牺牲区域(153)和功能区域(152)，且牺牲区域局部地没有钝化层；去除载体衬底(110)的一部分以形成新表面，并在新表面上形成第二绝缘层(172)。接着，在第二绝缘层上重复施加、结构化和钝化用于第二硅层(180a)并且针对第二钝化层(184)重复结构化而形成牺牲区域和功能区域，并且去除所有牺牲区域。