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公开(公告)号：CN105552054B
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201610078264.8
申请日：2016-02-03
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/52 , H01L23/528 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开一种晶圆级封装结构及其制造方法，晶圆级封装结构包括：堆叠圆片，其包括通过胶层键合的第一半导体圆片和第二半导体圆片，第一半导体圆片第一表面上的连接焊盘称为第一连接焊盘，第二半导体圆片第一表面上的连接焊盘称为第二连接焊盘；多个沟槽，其与第一连接焊盘和/或第二连接焊盘对应，并位于第二半导体圆片的第二表面；与所述多个沟槽分别对应的多个连接孔，其自对应的沟槽的底部贯穿至第一半导体圆片的第一表面；重分布层，其形成于第二半导体圆片的第二表面和/或沟槽上方，其包括多个连接部和/或多个焊垫部，且连接部填充对应的连接孔。与现有技术相比，本发明可以以低成本/小封装面积方式实现多功能集成IC(集成电路)/MEMS器件的制造。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105668502B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201610174128.9
申请日：2016-03-24
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
CPC classification number: H01L2224/11
Abstract: 本发明公开了一种带腔体器件的气密封装结构及其制造方法，所述气密封装结构包括：第一半导体圆片和第二半导体圆片，每个半导体圆片都包括第一表面、与该第一表面相对的第二表面；黏合剂键合层，其用于将第一半导体圆片的第一表面和第二半导体圆片的第一表面键合在一起；多个腔体，其位于第一半导体圆片和第二半导体圆片的第一表面之间，且分别被黏合剂键合层环绕密封；多个位于腔体外侧的沟槽，沟槽自第一半导体圆片的第二表面至少贯穿第一半导体圆片和黏合剂键合层，多个沟槽分别环绕腔体；塑封料包封体，其填充沟槽并覆盖第一半导体圆片的第二表面。与现有技术相比，本发明可以实现良好的气密性能，从而获得高可靠性的器件。
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公开(公告)号：CN105668502A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610174128.9
申请日：2016-03-24
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
CPC classification number: H01L2224/11 , B81B7/0058 , B81C1/00261
Abstract: 本发明公开了一种带腔体器件的气密封装结构及其制造方法，所述气密封装结构包括：第一半导体圆片和第二半导体圆片，每个半导体圆片都包括第一表面、与该第一表面相对的第二表面；黏合剂键合层，其用于将第一半导体圆片的第一表面和第二半导体圆片的第一表面键合在一起；多个腔体，其位于第一半导体圆片和第二半导体圆片的第一表面之间，且分别被黏合剂键合层环绕密封；多个位于腔体外侧的沟槽，沟槽自第一半导体圆片的第二表面至少贯穿第一半导体圆片和黏合剂键合层，多个沟槽分别环绕腔体；塑封料包封体，其填充沟槽并覆盖第一半导体圆片的第二表面。与现有技术相比，本发明可以实现良好的气密性能，从而获得高可靠性的器件。
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公开(公告)号：CN105552054A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201610078264.8
申请日：2016-02-03
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/52 , H01L23/528 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/488 , H01L23/52 , H01L23/528 , H01L24/26 , H01L24/27 , H01L24/31 , H01L2224/26 , H01L2224/27 , H01L2224/31
Abstract: 本发明公开一种晶圆级封装结构及其制造方法，晶圆级封装结构包括：堆叠圆片，其包括通过胶层键合的第一半导体圆片和第二半导体圆片，第一半导体圆片第一表面上的连接焊盘称为第一连接焊盘，第二半导体圆片第一表面上的连接焊盘称为第二连接焊盘；多个沟槽，其与第一连接焊盘和/或第二连接焊盘对应，并位于第二半导体圆片的第二表面；与所述多个沟槽分别对应的多个连接孔，其自对应的沟槽的底部贯穿至第一半导体圆片的第一表面；重分布层，其形成于第二半导体圆片的第二表面和/或沟槽上方，其包括多个连接部和/或多个焊垫部，且连接部填充对应的连接孔。与现有技术相比，本发明可以以低成本/小封装面积方式实现多功能集成IC(集成电路)/MEMS器件的制造。
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公开(公告)号：CN205542757U
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201620112614.3
申请日：2016-02-03
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/52 , H01L23/528 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/11
Abstract: 本实用新型公开一种晶圆级封装结构，其包括：堆叠圆片，其包括通过胶层键合的第一半导体圆片和第二半导体圆片，第一半导体圆片第一表面上的连接焊盘称为第一连接焊盘，第二半导体圆片第一表面上的连接焊盘称为第二连接焊盘；多个沟槽，其与第一连接焊盘和/或第二连接焊盘对应，并位于第二半导体圆片的第二表面；与所述多个沟槽分别对应的多个连接孔，其自对应的沟槽的底部贯穿至第一半导体圆片的第一表面；重分布层，其形成于第二半导体圆片的第二表面和/或沟槽上方，其包括多个连接部和/或多个焊垫部，且连接部填充对应的连接孔。与现有技术相比，本实用新型可以以低成本/小封装面积方式实现多功能集成IC(集成电路)/MEMS器件的制造。
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公开(公告)号：CN205398103U
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201620233946.7
申请日：2016-03-24
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
IPC: B81B7/00
Abstract: 本实用新型公开了一种带腔体器件的气密封装结构，其包括：第一半导体圆片和第二半导体圆片，每个半导体圆片都包括第一表面、与该第一表面相对的第二表面；黏合剂键合层，其用于将第一半导体圆片的第一表面和第二半导体圆片的第一表面键合在一起；多个腔体，其位于第一半导体圆片和第二半导体圆片的第一表面之间，且分别被黏合剂键合层环绕密封；多个位于腔体外侧的沟槽，沟槽自第一半导体圆片的第二表面至少贯穿第一半导体圆片和黏合剂键合层，多个沟槽分别环绕腔体；塑封料包封体，其填充沟槽并覆盖第一半导体圆片的第二表面。与现有技术相比，本实用新型可以实现良好的气密性能，从而获得高可靠性的器件。
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