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公开(公告)号:CN105565248B
公开(公告)日:2017-11-10
申请号:CN201610098811.9
申请日:2016-02-23
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
Abstract: 本发明公开一种带腔体的气密封装结构及其制造方法。所述气密封装结构包括:键合层,其包括黏合剂密封结构和金属密封结构;第一基板,其包括第一表面、与第一表面相对的第二表面;第二基板,其包括第一表面、与第一表面相对的第二表面,第一基板的第一表面与第二基板的第一表面通过所述键合层键合在一起;和腔体,其位于第一基板和第二基板之间且被所述黏合剂密封结构和所述金属密封结构分别围绕密封。与现有技术相比,本发明中的带腔体器件的气密封装结构和制造方法,在获得较高的腔体气体压力的同时,可以实现良好的气密性能,且适用范围广。
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公开(公告)号:CN105552054B
公开(公告)日:2018-02-27
申请号:CN201610078264.8
申请日:2016-02-03
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/52 , H01L23/528 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开一种晶圆级封装结构及其制造方法,晶圆级封装结构包括:堆叠圆片,其包括通过胶层键合的第一半导体圆片和第二半导体圆片,第一半导体圆片第一表面上的连接焊盘称为第一连接焊盘,第二半导体圆片第一表面上的连接焊盘称为第二连接焊盘;多个沟槽,其与第一连接焊盘和/或第二连接焊盘对应,并位于第二半导体圆片的第二表面;与所述多个沟槽分别对应的多个连接孔,其自对应的沟槽的底部贯穿至第一半导体圆片的第一表面;重分布层,其形成于第二半导体圆片的第二表面和/或沟槽上方,其包括多个连接部和/或多个焊垫部,且连接部填充对应的连接孔。与现有技术相比,本发明可以以低成本/小封装面积方式实现多功能集成IC(集成电路)/MEMS器件的制造。
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公开(公告)号:CN105668502B
公开(公告)日:2017-12-15
申请号:CN201610174128.9
申请日:2016-03-24
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
CPC classification number: H01L2224/11
Abstract: 本发明公开了一种带腔体器件的气密封装结构及其制造方法,所述气密封装结构包括:第一半导体圆片和第二半导体圆片,每个半导体圆片都包括第一表面、与该第一表面相对的第二表面;黏合剂键合层,其用于将第一半导体圆片的第一表面和第二半导体圆片的第一表面键合在一起;多个腔体,其位于第一半导体圆片和第二半导体圆片的第一表面之间,且分别被黏合剂键合层环绕密封;多个位于腔体外侧的沟槽,沟槽自第一半导体圆片的第二表面至少贯穿第一半导体圆片和黏合剂键合层,多个沟槽分别环绕腔体;塑封料包封体,其填充沟槽并覆盖第一半导体圆片的第二表面。与现有技术相比,本发明可以实现良好的气密性能,从而获得高可靠性的器件。
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公开(公告)号:CN103762201B
公开(公告)日:2016-10-19
申请号:CN201410038648.8
申请日:2014-01-26
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/495 , B81B7/00 , H01L21/56 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种MEMS传感器、半导体封装器件及方法,其中所述半导体封装器件包括:包括多个芯片连接端、多个第一引脚端、多个第二引脚端和多个桥接端的引线框架;具有多个压焊区的芯片,各个压焊区分别与各个芯片连接端相连;多个桥接部件,它们的一端分别与相应的桥接端相连,它们的另一端作为第三引脚端;包覆引线框架、芯片以及桥接部件的封装体,第一引脚端外露于封装体的第一表面,第二引脚端的一个表面外露于封装体的第一表面,第二引脚端的另一个表面外露于封装体的与第一表面相邻接的第二表面,第三引脚端外露于封装体的第二表面。本发明采用了普通的引线框架,成熟的铜夹工艺,制造成本低,焊端面切割而成,共面度高,降低板级焊接难度。
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公开(公告)号:CN105174195A
公开(公告)日:2015-12-23
申请号:CN201510656865.8
申请日:2015-10-12
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
Inventor: 饶杰
Abstract: 本发明提供一种腔体MEMS器件的晶圆级封装结构及其封装方法,其包括盖板圆片,其具有第一水平面、第二水平面、第一凹槽、第一再分布层和第二再分布层,第一再分布层上设置有凸起部;集成电路圆片,其具有第三水平面和第四水平面,所述第三水平面上形成有第二凹槽,所述第三水平面上设置有衬垫;连接所述盖板圆片和集成电路圆片的连接部,所述第一凹槽和第二凹槽形成一空腔。本发明的腔体MEMS器件的可靠性提升,器件尺寸缩小,圆片利用率高,成本较低,器件形状规则,TSV/RDL工艺在cap上,与Asic/MEMS圆片分离,可单独控制工艺良率,无复杂融合设计要求。
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公开(公告)号:CN105668502A
公开(公告)日:2016-06-15
申请号:CN201610174128.9
申请日:2016-03-24
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
CPC classification number: H01L2224/11 , B81B7/0058 , B81C1/00261
Abstract: 本发明公开了一种带腔体器件的气密封装结构及其制造方法,所述气密封装结构包括:第一半导体圆片和第二半导体圆片,每个半导体圆片都包括第一表面、与该第一表面相对的第二表面;黏合剂键合层,其用于将第一半导体圆片的第一表面和第二半导体圆片的第一表面键合在一起;多个腔体,其位于第一半导体圆片和第二半导体圆片的第一表面之间,且分别被黏合剂键合层环绕密封;多个位于腔体外侧的沟槽,沟槽自第一半导体圆片的第二表面至少贯穿第一半导体圆片和黏合剂键合层,多个沟槽分别环绕腔体;塑封料包封体,其填充沟槽并覆盖第一半导体圆片的第二表面。与现有技术相比,本发明可以实现良好的气密性能,从而获得高可靠性的器件。
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公开(公告)号:CN105565248A
公开(公告)日:2016-05-11
申请号:CN201610098811.9
申请日:2016-02-23
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
CPC classification number: B81B3/0094 , B81C3/001
Abstract: 本发明公开一种带腔体的气密封装结构及其制造方法。所述气密封装结构包括:键合层,其包括黏合剂密封结构和金属密封结构;第一基板,其包括第一表面、与第一表面相对的第二表面;第二基板,其包括第一表面、与第一表面相对的第二表面,第一基板的第一表面与第二基板的第一表面通过所述键合层键合在一起;和腔体,其位于第一基板和第二基板之间且被所述黏合剂密封结构和所述金属密封结构分别围绕密封。与现有技术相比,本发明中的带腔体器件的气密封装结构和制造方法,在获得较高的腔体气体压力的同时,可以实现良好的气密性能,且适用范围广。
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公开(公告)号:CN105552054A
公开(公告)日:2016-05-04
申请号:CN201610078264.8
申请日:2016-02-03
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/52 , H01L23/528 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/488 , H01L23/52 , H01L23/528 , H01L24/26 , H01L24/27 , H01L24/31 , H01L2224/26 , H01L2224/27 , H01L2224/31
Abstract: 本发明公开一种晶圆级封装结构及其制造方法,晶圆级封装结构包括:堆叠圆片,其包括通过胶层键合的第一半导体圆片和第二半导体圆片,第一半导体圆片第一表面上的连接焊盘称为第一连接焊盘,第二半导体圆片第一表面上的连接焊盘称为第二连接焊盘;多个沟槽,其与第一连接焊盘和/或第二连接焊盘对应,并位于第二半导体圆片的第二表面;与所述多个沟槽分别对应的多个连接孔,其自对应的沟槽的底部贯穿至第一半导体圆片的第一表面;重分布层,其形成于第二半导体圆片的第二表面和/或沟槽上方,其包括多个连接部和/或多个焊垫部,且连接部填充对应的连接孔。与现有技术相比,本发明可以以低成本/小封装面积方式实现多功能集成IC(集成电路)/MEMS器件的制造。
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公开(公告)号:CN103762201A
公开(公告)日:2014-04-30
申请号:CN201410038648.8
申请日:2014-01-26
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/495 , B81B7/00 , H01L21/56 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种MEMS传感器、半导体封装器件及方法,其中所述半导体封装器件包括:包括多个芯片连接端、多个第一引脚端、多个第二引脚端和多个桥接端的引线框架;具有多个压焊区的芯片,各个压焊区分别与各个芯片连接端相连;多个桥接部件,它们的一端分别与相应的桥接端相连,它们的另一端作为第三引脚端;包覆引线框架、芯片以及桥接部件的封装体,第一引脚端外露于封装体的第一表面,第二引脚端的一个表面外露于封装体的第一表面,第二引脚端的另一个表面外露于封装体的与第一表面相邻接的第二表面,第三引脚端外露于封装体的第二表面。本发明采用了普通的引线框架,成熟的铜夹工艺,制造成本低,焊端面切割而成,共面度高,降低板级焊接难度。
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公开(公告)号:CN205087913U
公开(公告)日:2016-03-16
申请号:CN201520789484.2
申请日:2015-10-12
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
Inventor: 饶杰
Abstract: 本实用新型提供一种腔体MEMS器件的晶圆级封装结构,其包括盖板圆片,其具有第一水平面、第二水平面、第一凹槽、第一再分布层和第二再分布层,第一再分布层上设置有凸起部;集成电路圆片,其具有第三水平面和第四水平面,所述第三水平面上形成有第二凹槽,所述第三水平面上设置有衬垫;连接所述盖板圆片和集成电路圆片的连接部,所述第一凹槽和第二凹槽形成一空腔。本实用新型的腔体MEMS器件的可靠性提升,器件尺寸缩小,圆片利用率高,成本较低,器件形状规则,TSV/RDL工艺在cap上,与Asic/MEMS圆片分离,可单独控制工艺良率,无复杂融合设计要求。
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