增强基于RF的注入机的能量及射束电流的方法

    公开(公告)号:CN114223048A

    公开(公告)日:2022-03-22

    申请号:CN202080052962.5

    申请日:2020-08-13

    Inventor: 佐藤秀

    Abstract: 本申请提供了一种离子注入系统的方法和系统,其配置用于在不改变离子源处的电荷状态的情况下将射束电流增大至高于来自离子源的第一电荷状态的最大动能。从离子源提供具有第一电荷状态的离子,这些离子被选入第一RF加速器并被加速至第一能量。对离子进行剥离以将其转化为具有各种电荷状态的离子。电荷选择器接收该各种电荷状态的离子并选择在第一能量下的最终电荷状态。第二RF加速器将离子加速至最终能谱。最终能量过滤器过滤离子以将处于最终能量和最终电荷状态的离子提供给工件。

    基于振动或声学特性分析的晶片夹持检测

    公开(公告)号:CN107078081B

    公开(公告)日:2020-10-30

    申请号:CN201580056757.5

    申请日:2015-12-28

    Inventor: 佐藤秀

    Abstract: 提供了用于检测夹持设备的夹持状态的工件夹持状态检测系统和方法。具有夹持表面的夹持设备被配置为选择性地将工件夹持到所述夹持表面;夹持设备可以是用于将半导体晶片选择性地固定到其上的静电卡盘或机械夹具。还提供了振动诱发机构,其中所述振动诱发机构被配置为选择性地振动所述夹持设备和工件中的一个或多个;还提供了振动感测机构,其中所述振动感测机构被配置为检测所述夹持设备和工件中的一个或多个的振动;夹持状态的检测利用声学性质的变化,例如自然谐振频率或声学阻抗的移位,来确定工件的夹持状态。控制器还被配置为确定与将所述工件夹持到所述夹持表面相关联的夹持状态,其中所述夹持状态与检测到的所述夹持设备和工件中的一个或多个的振动相关联。

    离子注入系统、确定离子束的轮廓的方法和执行剂量控制的方法

    公开(公告)号:CN105723247B

    公开(公告)日:2018-11-23

    申请号:CN201480062577.3

    申请日:2014-11-20

    Inventor: 佐藤秀

    Abstract: 提供了一种离子注入系统和方法,其中,离子源产生离子,质量分析器对离子束进行质量分析。束轮廓确定装置在预定时间内沿轮廓确定平面平移通过离子束,其中,束轮廓确定装置与所述平移并发地横跨离子束的宽度来测量束电流,其中限定离子束的与时间和位置相关的束电流轮廓。束监测装置被配置为测量所述预定时间内在离子束的边缘处的离子束电流,其中限定与时间相关的离子束电流,以及控制器通过将离子束的与时间和位置相关的束电流轮廓除以与时间相关的离子束电流来确定与时间无关的离子束轮廓,其中抵消离子束电流在所述预定时间内的波动。

    通用射束干扰侦测系统
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103026450B

    公开(公告)日:2016-05-04

    申请号:CN201180036894.4

    申请日:2011-07-27

    Inventor: 佐藤秀

    Abstract: 本发明以允许的剂量均匀度、一工作件穿过一离子射束的通过次数、移动速度、以及射束尺寸为基础来决定一干扰时间持续长度临界值。一射束下降检查标准程序会在注入期间重复地测量射束电流。每一次射束电流足够时一射束下降计数器便会被重置。在射束下降第一次出现时,计数器会递增而且该工作件的位置会被记录。每一次后续测量时,倘若射束下降继续则该计数器便会递增,或是倘若该射束足够的话该计数器便会被重置。因此,该计数器会以和测量时间区间相关联的单位来表示每一个下降的长度。该注入标准程序仅在该计数器超过该干扰时间持续长度临界值时才会停止,并且实施修补标准程序,其包括以该工作件少一次移动穿过该射束为基础来重新计算该干扰时间持续长度临界值,并且实施从该已储存位置处开始的注入标准程序。

    用于测量横向束强度分布的方法

    公开(公告)号:CN105723247A

    公开(公告)日:2016-06-29

    申请号:CN201480062577.3

    申请日:2014-11-20

    Inventor: 佐藤秀

    Abstract: 提供了一种离子注入系统和方法,其中,离子源产生离子,质量分析器对离子束进行质量分析。束轮廓确定装置在预定时间内沿轮廓确定平面平移通过离子束,其中,束轮廓确定装置与所述平移并发地横跨离子束的宽度来测量束电流,其中限定离子束的与时间和位置相关的束电流轮廓。束监测装置被配置为测量所述预定时间内在离子束的边缘处的离子束电流,其中限定与时间相关的离子束电流,以及控制器通过将离子束的与时间和位置相关的束电流轮廓除以与时间相关的离子束电流来确定与时间无关的离子束轮廓,其中抵消离子束电流在所述预定时间内的波动。

    在光阻释气期间用于改进注入均匀性的方法

    公开(公告)号:CN103098167B

    公开(公告)日:2015-11-25

    申请号:CN201180012345.3

    申请日:2011-03-04

    Inventor: 佐藤秀

    Abstract: 本发明提供一种用于改进经历沿着束线的压力增加的离子束的注入均匀性的方法及装置。该方法包括产生以基本上恒定的速度横越工件来移动离子束的主扫描波形。也产生具有固定高度和波形的补偿波形(例如,二次波形),且将该补偿波形与主扫描波形混合(例如,通过可变混频器)以形成束扫描波形。可通过瞬时真空压力信号来调节混合比率,与连续修改扫描波形相比较,该调节可以以高很多的速度执行且更简单。该混合提供包括非恒定斜率的束扫描波形,该非恒定斜率在离子束横越工件移动时改变离子束的速度。因此,具有非恒定斜率的所获得的束扫描波形能够解决沿着快速扫描方向的剂量中的压力非均匀性问题。

    基于振动或声学特性分析的晶片夹持检测

    公开(公告)号:CN107078081A

    公开(公告)日:2017-08-18

    申请号:CN201580056757.5

    申请日:2015-12-28

    Inventor: 佐藤秀

    Abstract: 提供了用于检测夹持设备的夹持状态的工件夹持状态检测系统和方法。具有夹持表面的夹持设备被配置为选择性地将工件夹持到所述夹持表面;夹持设备可以是用于将半导体晶片选择性地固定到其上的静电卡盘或机械夹具。还提供了振动诱发机构,其中所述振动诱发机构被配置为选择性地振动所述夹持设备和工件中的一个或多个;还提供了振动感测机构,其中所述振动感测机构被配置为检测所述夹持设备和工件中的一个或多个的振动;夹持状态的检测利用声学性质的变化,例如自然谐振频率或声学阻抗的移位,来确定工件的夹持状态。控制器还被配置为确定与将所述工件夹持到所述夹持表面相关联的夹持状态,其中所述夹持状态与检测到的所述夹持设备和工件中的一个或多个的振动相关联。

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