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公开(公告)号：CN104025247B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201280061905.9
申请日：2012-12-13
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/244 , H01J37/304
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/244 , H01J37/304 , H01J2237/15 , H01J2237/24405 , H01J2237/24514 , H01J2237/31703
Abstract: 本发明涉及一种扫描系统，该扫描系统包括扫描元件、射束评测仪、分析系统及ZFE限制元件。扫描元件配置成扫描离子束扫描路径上的离子束。在离子束扫描路径上扫描离子束时，射束评测仪测量离子束的束电流；分析系统分析所测的束电流，从而检测ZFE情况。位于射束评测仪上游并经由反馈通路耦合至分析系统的ZFE限制元件配置成基于是否检测到ZFE情况而有选择地向经扫描离子束施加时变电场。选择性施加的电场引发经扫描射束中的变化，从而限制ZFE情况。
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公开(公告)号：CN105869978A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610257320.4
申请日：2012-12-13
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/244 , H01J37/304 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/244 , H01J37/304 , H01J2237/15 , H01J2237/24405 , H01J2237/24514 , H01J2237/31703
Abstract: 本发明涉及一种扫描系统，该扫描系统包括扫描元件、射束评测仪、分析系统及ZFE限制元件。扫描元件配置成扫描离子束扫描路径上的离子束。在离子束扫描路径上扫描离子束时，射束评测仪测量离子束的束电流；分析系统分析所测的束电流，从而检测ZFE情况。位于射束评测仪上游并经由反馈通路耦合至分析系统的ZFE限制元件配置成基于是否检测到ZFE情况而有选择地向经扫描离子束施加时变电场。选择性施加的电场引发经扫描射束中的变化，从而限制ZFE情况。
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公开(公告)号：CN104106123B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201380004763.7
申请日：2013-01-14
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/05 , H01J37/16
CPC classification number: H01J37/147 , G01K5/00 , H01J37/05 , H01J37/16 , H01J37/3171 , H01J2237/0213 , H01J2237/022 , H01J2237/31705
Abstract: 本发明涉及用于减少能量杂质的方法及装置，可用于粒子注入的束线组合。突出部包括表面区域及其间槽部的突出部可面向束线组合内从工件角度观察的视线域内的中性原子轨迹。突出部可使中性原子轨迹的路线变作远离工件或引起其它轨迹，用于在击中工件前进一步撞击，并由此对敏感度更佳的注入进一步减少能量杂质。
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公开(公告)号：CN102884607A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201180022448.8
申请日：2011-04-27
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/147 , H01J37/317 , H01J37/302
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/1472 , H01J37/3026 , H01J2237/30455 , H01J2237/30488 , H01J2237/31703
Abstract: 公开了用于提供更大产量的离子注入方法和系统。当离子束(112)的横截面完全撞击在工件的表面上时，离子束(112)被以第一扫描速率(VslowScan)跨过工件的表面进行扫描；在束的横截面面积的一部分延伸到工件的外边缘(140)以外的位置(214)处，所述第一扫描速率被增大到第二速率(VFastScan)。一些实施例使用下述扫描模式：其中在实际注入期间在工件外进行束通量测量，以及可以实时地改变注入例行程序以计入束通量的变化。
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公开(公告)号：CN110678954A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201880036357.1
申请日：2018-06-13
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/244 , H01J37/05
Abstract: 一种离子注入系统具有形成离子束的离子源。质量分析器沿射束路径限定并改变经质量分析的射束。可动质量解析孔径组件具有解析孔径，响应于质量分析器改变射束路径而选择性改变该解析孔径的位置。定位的偏转减速元件选择性偏转射束路径并选择性使经质量分析的射束减速。控制器在漂移模式和减速模式下选择性操作离子注入系统。控制器在漂移模式下使经质量分析的射束沿第一路径穿过解析孔径而不会发生偏转或减速，而在减速模式下使射束沿第二路径偏转并减速。选择性改变解析孔径的位置是基于穿过质量分析器和偏转减速元件的射束路径变化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102884607B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201180022448.8
申请日：2011-04-27
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/147 , H01J37/317 , H01J37/302
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/1472 , H01J37/3026 , H01J2237/30455 , H01J2237/30488 , H01J2237/31703
Abstract: 公开了用于提供更大产量的离子注入方法和系统。当离子束(112)的横截面完全撞击在工件的表面上时，离子束(112)被以第一扫描速率(VslowScan)跨过工件的表面进行扫描；在束的横截面面积的一部分延伸到工件的外边缘(140)以外的位置(214)处，所述第一扫描速率被增大到第二速率(VFastScan)。一些实施例使用下述扫描模式：其中在实际注入期间在工件外进行束通量测量，以及可以实时地改变注入例行程序以计入束通量的变化。
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公开(公告)号：CN104106123A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201380004763.7
申请日：2013-01-14
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/05 , H01J37/16
CPC classification number: H01J37/147 , G01K5/00 , H01J37/05 , H01J37/16 , H01J37/3171 , H01J2237/0213 , H01J2237/022 , H01J2237/31705
Abstract: 本发明涉及用于减少能量杂质的方法及装置，可用于粒子注入的束线组合。突出部包括表面区域及其间槽部的突出部可面向束线组合内从工件角度观察的视线域内的中性原子轨迹。突出部可使中性原子轨迹的路线变作远离工件或引起其它轨迹，用于在击中工件前进一步撞击，并由此对敏感度更佳的注入进一步减少能量杂质。
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公开(公告)号：CN103582927A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201280026587.2
申请日：2012-03-29
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
Inventor： 爱德华·艾伊斯勒
IPC: H01J37/302 , H01J37/317
CPC classification number: H01J3/14 , G21K5/10 , H01J37/302 , H01J37/3171 , H01J2237/049 , H01J2237/30477 , H01J2237/30483
Abstract: 本发明涉及一种用于当离子束在工件(304)的表面上扫描时改变离子束的横截面形状(308a、308b、308c)以产生具有改善的离子束电流轮廓均匀度的时间平均离子束的方法和装置。在一个实施例中，当离子束在工件的表面上移动时，改变离子束的横截面形状。离子束的不同横截面形状分别具有不同的束轮廓(例如，在沿着束轮廓的不同位置处具有峰值)，使得快速地改变离子束的横截面形状导致平滑工件所受到的束电流轮廓(例如，减少与单独的束轮廓相关联的峰值)。由此产生的平滑束电流轮廓提供改善的束电流均匀度以及改善的工件剂量均匀度。
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公开(公告)号：CN113169004A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980080219.8
申请日：2019-11-13
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J27/02 , H01J37/317 , H01J37/08
Abstract: 一种用于离子源的电极系统，其具有在离子源腔室中限定源孔径的源电极，并且耦接至源电源。第一接地电极限定第一接地孔径，该第一接地孔径电性耦接至电接地电位且从离子源提取离子。抑制电极定位于第一接地电极的下游并且限定电性耦接至抑制电源的抑制孔径。第二接地电极定位于抑制电极的下游并且限定第二接地孔径。第一接地电极和第二接地电极固定地彼此耦接并且电性耦接至电接地电位。
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公开(公告)号：CN112567492A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201980053599.6
申请日：2019-08-21
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/147 , H01J37/317 , H01F3/02 , H01F7/20 , G21K1/093 , G21K5/00
Abstract: 扫描磁体位于离子注入系统的质量分辨磁体的下游，并且被配置为控制质量分辨磁体下游的离子束路径以用于扫描或抖动离子束。扫描磁体具有其中界定有通道的轭部。轭部是含铁的并且具有第一侧和第二侧以界定离子束的对应入口和出口。轭部具有从第一侧到第二侧所堆栈的多个层合物，其中与第一侧和第二侧相关联的多个层合物的至少一部分包括一个或多个槽口式层合物，一个或多个槽口式层合物具有界定在其中的多个槽口。
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