公开(公告)号：CN112885793A

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN202110270310.5

申请日：2021-03-12

Applicant: 苏州晶方半导体科技股份有限公司

Inventor： 沈戌霖 ,  印鑫 ,  刘怡然

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78 ,  H01L23/488

Abstract: 本发明提供一种芯片封装结构及其制造方法，通过设置沿芯片基底侧边向内缩进的绝缘层和阻焊层，在未切割的晶圆中，使绝缘层和阻焊层暴露出切割道，一方面，在切割分离各芯片时，可直接对晶圆硅基体部分进行切割，避免对绝缘层和阻焊层进行切割，从而避免由于切割作用在这两层边缘处形成微裂纹；另一方面，绝缘层和阻焊层在基底表面形成完整的连续膜层结构，不会出现在切断的膜层中应力于单侧产生而得不到补偿的情况。阻焊层延伸至绝缘层外侧，其包覆绝缘层且和基底结合，可以完全密封保护绝缘层，从而减缓水汽等对绝缘层的侵蚀，同时阻焊层的部分应力可以直接被基底承担，当阻焊层与基底之间未出现分层时，绝缘层只会受到少量应力。

公开(公告)号：CN112885793B

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202110270310.5

申请日：2021-03-12

Applicant: 苏州晶方半导体科技股份有限公司

Inventor： 沈戌霖 ,  印鑫 ,  刘怡然

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78 ,  H01L23/488

Abstract: 本发明提供一种芯片封装结构及其制造方法，通过设置沿芯片基底侧边向内缩进的绝缘层和阻焊层，在未切割的晶圆中，使绝缘层和阻焊层暴露出切割道，一方面，在切割分离各芯片时，可直接对晶圆硅基体部分进行切割，避免对绝缘层和阻焊层进行切割，从而避免由于切割作用在这两层边缘处形成微裂纹；另一方面，绝缘层和阻焊层在基底表面形成完整的连续膜层结构，不会出现在切断的膜层中应力于单侧产生而得不到补偿的情况。阻焊层延伸至绝缘层外侧，其包覆绝缘层且和基底结合，可以完全密封保护绝缘层，从而减缓水汽等对绝缘层的侵蚀，同时阻焊层的部分应力可以直接被基底承担，当阻焊层与基底之间未出现分层时，绝缘层只会受到少量应力。

公开(公告)号：CN214428623U

公开(公告)日：2021-10-19

申请号：CN202120527548.7

申请日：2021-03-12

Applicant: 苏州晶方半导体科技股份有限公司

Inventor： 沈戌霖 ,  印鑫 ,  刘怡然

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78 ,  H01L23/488

Abstract: 本实用新型提供一种芯片封装结构，通过设置沿芯片基底侧边向内缩进的绝缘层和阻焊层，在未切割的晶圆中，使绝缘层和阻焊层暴露出切割道，一方面，在切割分离各芯片时，可直接对晶圆硅基体部分进行切割，避免对绝缘层和阻焊层进行切割，从而避免由于切割作用在这两层边缘处形成微裂纹；另一方面，绝缘层和阻焊层在基底表面形成完整的连续膜层结构，不会出现在切断的膜层中应力于单侧产生而得不到补偿的情况。阻焊层延伸至绝缘层外侧，其包覆绝缘层且和基底结合，可以完全密封保护绝缘层，从而减缓水汽等对绝缘层的侵蚀，同时阻焊层的部分应力可以直接被基底承担，当阻焊层与基底之间未出现分层时，绝缘层只会受到少量应力。