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公开(公告)号：CN107833860A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201711013280.X
申请日：2017-10-26
Applicant: 苏州晶方半导体科技股份有限公司
IPC: H01L21/78
Abstract: 本发明公开了一种芯片的封装方法，该封装方法包括：提供一晶圆，所述晶圆具有相对设置的第一表面以及第二表面，所述第一表面包括多个功能区域，所述功能区域之间具有切割沟道；在所述第二表面形成互联结构，所述互联结构用于和外部电路连接；在所述第一表面的所述功能区域内形成功能结构以及第一焊垫；所述功能结构与所述第一焊垫连接，所述第一焊垫与所述互联结构连接；基于所述切割沟道对所述晶圆进行切割，形成多个单粒的芯片。本发明技术方案所述封装方法中，首先完成晶圆第二表面的互联结构，然后再进行晶圆第一表面不耐高温的功能结构的制作，从而避免形成互联结构时候的高温工艺对功能结构的不利影响，保证了芯片的性能。
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公开(公告)号：CN107833860B
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN201711013280.X
申请日：2017-10-26
Applicant: 苏州晶方半导体科技股份有限公司
IPC: H01L21/78
Abstract: 本发明公开了一种芯片的封装方法，该封装方法包括：提供一晶圆，所述晶圆具有相对设置的第一表面以及第二表面，所述第一表面包括多个功能区域，所述功能区域之间具有切割沟道；在所述第二表面形成互联结构，所述互联结构用于和外部电路连接；在所述第一表面的所述功能区域内形成功能结构以及第一焊垫；所述功能结构与所述第一焊垫连接，所述第一焊垫与所述互联结构连接；基于所述切割沟道对所述晶圆进行切割，形成多个单粒的芯片。本发明技术方案所述封装方法中，首先完成晶圆第二表面的的互联结构，然后再进行晶圆第一表面不耐高温的功能结构的制作，从而避免形成互联结构时候的高温工艺对功能结构的不利影响，保证了芯片的性能。
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公开(公告)号：CN108010890A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711483594.6
申请日：2017-12-29
Applicant: 苏州晶方半导体科技股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/49 , H01L23/498 , H01L21/48 , H01L21/56
Abstract: 本申请公开了一种芯片封装结构和方法，芯片封装结构包括：待封装芯片，以及形成于所述待封装芯片表面的导电布线层，该导电布线层包括导电引线和连接点，还包括自至少部分所述导电引线和/或连接点延伸的金属散热区。该芯片封装的结构新颖有效，能够借助芯片的导电布线层，通过扩大导电布线层的导电走线面积，提升芯片的散热性能。该封装图像传感芯片的制备方法中制程简捷，能够满足图形传感芯片的自动化制程要求。
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公开(公告)号：CN208111424U
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201721898430.5
申请日：2017-12-29
Applicant: 苏州晶方半导体科技股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/49 , H01L23/498
Abstract: 本申请公开了一种芯片封装结构，芯片封装结构包括：待封装芯片，以及形成于所述待封装芯片表面的导电布线层，该导电布线层包括导电引线和连接点，还包括自至少部分所述导电引线和/或连接点延伸的金属散热区。该芯片封装的结构新颖有效，通过扩大导电布线层的导电走线面积，提升芯片的散热性能。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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