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公开(公告)号：CN103546141A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310274870.3
申请日：2013-07-02
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H03K19/0175 , H01L27/06
CPC classification number: H01L27/0623 , H01L23/481 , H01L23/528 , H01L27/0826 , H01L27/088 , H01L29/0634 , H01L29/1095 , H01L29/402 , H01L29/42372 , H01L29/7327 , H01L29/735 , H01L29/7395 , H01L29/7802 , H01L29/781 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L29/7824 , H01L2924/0002 , H03K17/687 , H03K19/018507 , H03K2217/0063 , H03K2217/0072 , H03K2217/0081 , H01L2924/00
Abstract: 提供了集成半导体装置和具有集成半导体装置的桥接电路。该桥接电路包括具有高侧开关的第一集成半导体装置、具有与高侧开关电连接的低侧开关的第二集成半导体装置、第一电平转换器以及第二电平转换器，该第一电平转换器与高侧开关电连接并且在第一集成半导体装置和第二集成半导体装置的一个中集成，该第二电平转换器与低侧开关电连接并且在第一集成半导体装置和第二集成半导体装置的一个中集成。
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公开(公告)号：CN102810552A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201210177917.X
申请日：2012-05-31
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L29/0634 , H01L29/407 , H01L29/41766 , H01L29/42356 , H01L29/7803 , H01L29/7831
Abstract: 本发明提供了一种具有可控补偿区的晶体管，其包括至少一个晶体管单元，该晶体管单元包括：半导体本体中的源区、漏区、本体区以及漂移区，其中，本体区被配置在源区和漏区之间，并且漂移区被配置在本体区和漏区之间。该晶体管单元还包括：补偿区，被配置在漂移区中；源电极，与源区和本体区电接触；栅电极，被配置为邻近本体区，并且通过栅电介质与本体区介电绝缘；耦合配置，包括控制端子，并且被构造为根据在控制端子处接收到的控制信号将补偿区电耦合至本体区、源区、源电极和栅电极中的至少一个。
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公开(公告)号：CN102832916A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210195053.4
申请日：2012-06-13
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H03K17/567
CPC classification number: H03K17/0822 , H03K17/14
Abstract: 本发明涉及用于驱动电子开关的方法和电路。其中，一种电子电路包括具有接收驱动信号的控制端子以及第一负载端子与第二负载端子之间的负载路径的晶体管。电压保护电路耦接至晶体管，具有控制输入端，并被配置为根据在控制输入端接收的控制信号采取激活状态和停用状态之一作为工作状态，并被配置为限制负载端子之间或负载端子之一与控制端子之间的电压。所述控制电路耦接至电压保护电路的控制输入端，并被配置为根据晶体管的至少一个工作参数、并且在跨负载路径的电压或通过负载路径的负载电流不为零时停用电压保护电路。
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公开(公告)号：CN105743477B
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201610079943.7
申请日：2013-07-02
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H03K17/687 , H03K19/0185 , H01L23/48 , H01L29/423 , H01L27/06 , H01L27/082 , H01L27/088
CPC classification number: H01L27/0623 , H01L23/481 , H01L23/528 , H01L27/0826 , H01L27/088 , H01L29/0634 , H01L29/1095 , H01L29/402 , H01L29/42372 , H01L29/7327 , H01L29/735 , H01L29/7395 , H01L29/7802 , H01L29/781 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L29/7824 , H01L2924/0002 , H03K17/687 , H03K19/018507 , H03K2217/0063 , H03K2217/0072 , H03K2217/0081 , H01L2924/00
Abstract: 提供了一种桥接电路。该桥接电路包括具有高侧开关的第一集成半导体装置、具有与高侧开关电连接的低侧开关的第二集成半导体装置、第一电平转换器以及第二电平转换器，该第一电平转换器与高侧开关电连接并且在第一集成半导体装置和第二集成半导体装置的一个中集成，该第二电平转换器与低侧开关电连接并且在第一集成半导体装置和第二集成半导体装置的一个中集成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103000667B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201210331177.0
申请日：2012-09-07
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： 汉斯-彼得·费尔斯尔 , 弗朗茨·赫尔莱尔 , 安东·毛德 , 汉斯-约阿希姆·舒尔茨
IPC: H01L29/06 , H01L29/861 , H01L27/06 , H01L21/329 , H01L21/8222
CPC classification number: H01L21/02576 , H01L21/302 , H01L29/0626 , H01L29/0692 , H01L29/1095 , H01L29/36 , H01L29/4236 , H01L29/6609 , H01L29/66136 , H01L29/7803 , H01L29/7813 , H01L29/861
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件和制造该半导体器件的方法。半导体器件包括半导体二极管。半导体二极管包括漂移区和形成在漂移区中或形成在漂移区上的第一导电类型的第一半导体区。第一半导体区经由第一半导体本体的第一表面电耦接于第一端子。该半导体二极管包括电耦接至第一端子的第二导电类型的通道区，其中通道区的底部邻接第一半导体区。通道区的第一侧邻接第一半导体区。
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公开(公告)号：CN103546141B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310274870.3
申请日：2013-07-02
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H03K19/0175 , H01L27/06
CPC classification number: H01L27/0623 , H01L23/481 , H01L23/528 , H01L27/0826 , H01L27/088 , H01L29/0634 , H01L29/1095 , H01L29/402 , H01L29/42372 , H01L29/7327 , H01L29/735 , H01L29/7395 , H01L29/7802 , H01L29/781 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L29/7824 , H01L2924/0002 , H03K17/687 , H03K19/018507 , H03K2217/0063 , H03K2217/0072 , H03K2217/0081 , H01L2924/00
Abstract: 提供了集成半导体装置和具有集成半导体装置的桥接电路。该桥接电路包括具有高侧开关的第一集成半导体装置、具有与高侧开关电连接的低侧开关的第二集成半导体装置、第一电平转换器以及第二电平转换器，该第一电平转换器与高侧开关电连接并且在第一集成半导体装置和第二集成半导体装置的一个中集成，该第二电平转换器与低侧开关电连接并且在第一集成半导体装置和第二集成半导体装置的一个中集成。
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公开(公告)号：CN105743477A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610079943.7
申请日：2013-07-02
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H03K17/687 , H03K19/0185 , H01L23/48 , H01L29/423 , H01L27/06 , H01L27/082 , H01L27/088
CPC classification number: H01L27/0623 , H01L23/481 , H01L23/528 , H01L27/0826 , H01L27/088 , H01L29/0634 , H01L29/1095 , H01L29/402 , H01L29/42372 , H01L29/7327 , H01L29/735 , H01L29/7395 , H01L29/7802 , H01L29/781 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L29/7824 , H01L2924/0002 , H03K17/687 , H03K19/018507 , H03K2217/0063 , H03K2217/0072 , H03K2217/0081 , H01L2924/00
Abstract: 提供了一种桥接电路。该桥接电路包括具有高侧开关的第一集成半导体装置、具有与高侧开关电连接的低侧开关的第二集成半导体装置、第一电平转换器以及第二电平转换器，该第一电平转换器与高侧开关电连接并且在第一集成半导体装置和第二集成半导体装置的一个中集成，该第二电平转换器与低侧开关电连接并且在第一集成半导体装置和第二集成半导体装置的一个中集成。
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公开(公告)号：CN102832916B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201210195053.4
申请日：2012-06-13
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H03K17/567
CPC classification number: H03K17/0822 , H03K17/14
Abstract: 本发明涉及用于驱动电子开关的方法和电路。其中，一种电子电路包括具有接收驱动信号的控制端子以及第一负载端子与第二负载端子之间的负载路径的晶体管。电压保护电路耦接至晶体管，具有控制输入端，并被配置为根据在控制输入端接收的控制信号采取激活状态和停用状态之一作为工作状态，并被配置为限制负载端子之间或负载端子之一与控制端子之间的电压。所述控制电路耦接至电压保护电路的控制输入端，并被配置为根据晶体管的至少一个工作参数、并且在跨负载路径的电压或通过负载路径的负载电流不为零时停用电压保护电路。
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公开(公告)号：CN103000667A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210331177.0
申请日：2012-09-07
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： 汉斯-彼得·费尔斯尔 , 弗朗茨·赫尔莱尔 , 安东·毛德 , 汉斯-约阿希姆·舒尔茨
IPC: H01L29/06 , H01L29/861 , H01L27/06 , H01L21/329 , H01L21/8222
CPC classification number: H01L21/02576 , H01L21/302 , H01L29/0626 , H01L29/0692 , H01L29/1095 , H01L29/36 , H01L29/4236 , H01L29/6609 , H01L29/66136 , H01L29/7803 , H01L29/7813 , H01L29/861
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件和制造该半导体器件的方法。半导体器件包括半导体二极管。半导体二极管包括漂移区和形成在漂移区中或形成在漂移区上的第一导电类型的第一半导体区。第一半导体区经由第一半导体本体的第一表面电耦接于第一端子。该半导体二极管包括电耦接至第一端子的第二导电类型的通道区，其中通道区的底部邻接第一半导体区。通道区的第一侧邻接第一半导体区。
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