公开(公告)号：CN115483209A

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN202210663220.7

申请日：2022-06-13

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 约阿希姆·魏尔斯 ,  安东·毛德 ,  拉尔夫·西明耶克 ,  曾光

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体器件(500)包括具有第一导电类型的源极区(110)和栅电极(155)的晶体管单元(TC)。源极区(110)形成在宽带隙半导体部分(100)中。二极管链(DC)包括多个二极管结构(DS)。二极管结构(DS)被形成在宽带隙半导体部分(100)中并且串联电连接。每个二极管结构(DS)包括具有第一导电类型的阴极区(180)和具有互补的第二导电类型的阳极区(190)。栅极金属化部(330)与栅电极(155)以及与二极管链(DC)的阳极区中的第一个阳极区(190)电连接。源电极结构(310)与源极区(110)电连接并且与二极管链(DC)的阴极区中的最后一个阴极区(180)电连接。

公开(公告)号：CN114975587A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210118441.6

申请日：2022-02-08

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 汉斯-于尔根·希斯 ,  阿利姆·卡尔莫斯 ,  安东·毛德

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L27/085 ,  H01L27/088

Abstract: 公开了一种压控开关装置(500)和开关组件。该压控开关装置包括形成在半导体部分(100)中的具有第一导电类型的漏极/漂移区(130)。沟道区(120)与漏极/漂移区(130)彼此直接接触。具有第二导电类型的源极区(110)与沟道区(120)彼此直接接触。栅电极(155)与沟道区(120)电容性耦接并且被配置成使得在压控开关装置(500)的导通状态下，在沟道区(120)中形成与第一导电类型对应的电荷载流子的第一增强区，并且在源极区(110)与第一增强区之间促进带间隧穿。

公开(公告)号：CN107039502B

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN201610991127.3

申请日：2016-11-08

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 安东·毛德 ,  英戈·穆里 ,  约翰内斯·鲍姆加特尔 ,  伊里斯·莫德 ,  弗兰克·迪特尔·普菲尔施 ,  汉斯-约阿希姆·舒尔策

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明提供了形成半导体器件的方法以及半导体器件。根据形成半导体器件的方法，在硅半导体本体的第一表面处形成辅助结构。在半导体本体上在第一表面处形成半导体层。在第一表面处形成半导体器件元件。然后从与第一表面相反的第二表面去除半导体本体至少直至辅助结构的朝向第二表面取向的边缘。

公开(公告)号：CN116430094A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202310044940.X

申请日：2023-01-13

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 安东·毛德 ,  斯特凡诺·鲁扎 ,  马西莫·格拉索 ,  理查德·库赫辛斯基 ,  丹尼尔·多梅斯

IPC: G01R19/00 ,  H01L25/18

Abstract: 一种半导体组件(400)包括半导体开关器件(100)、导电负载基底结构(422)和电流感测单元(200)。半导体开关器件(100)包括漏极结构(121)和一个或更多个阵列单元(AU)，其中，每个阵列单元(AU)包括负载盘(122)和被并联地电连接在阵列单元(AU)的负载盘(122)与漏极结构(121)之间的多个晶体管单元(TC)。电流感测单元(200)被电连接在负载盘中的第一负载盘(122‑1)与负载基底结构(422)之间。

公开(公告)号：CN107564955B

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN201710522120.1

申请日：2017-06-30

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 安东·毛德 ,  弗朗茨-约瑟夫·尼德诺斯特海德 ,  弗兰克·迪特尔·普菲尔施 ,  克里斯蒂安·菲利普·桑多

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 一种具有完全耗尽的沟道区的功率半导体器件及其操作方法。该功率半导体器件(1)包括：半导体本体(10)，其耦接至第一负载端子结构(11)和第二负载端子结构(12)并且被配置成传导负载电流(15)；第一单元(141)和第二单元(142)，每个单元被配置成用于控制负载电流(15)，并且每个单元在一侧上被电连接至第一负载端子结构(11)并且在另一侧上被电连接至半导体本体(10)的漂移区(100)；包括在第一单元(141)中的第一台面(101)，其包括第一端口区(1011)和第一沟道区(1012)；包括在第二单元(142)中的第二台面(102)，其包括第二端口区(1021)和第二沟道区(1022)。

公开(公告)号：CN103000670B

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201210345929.9

申请日：2012-09-17

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 安东·毛德 ,  罗兰·鲁普 ,  汉斯-约阿希姆·舒尔茨

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/165 ,  H01L29/402 ,  H01L29/408 ,  H01L29/417 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

Abstract: 半导体装置（100）具有SiC（碳化硅）制成的半导体本体（101）以及场效应晶体管。场效应晶体管具有形成在SiC制成的半导体本体（101）内的漂移区（102）以及半导体本体（101）上的多晶硅层（103），其中，多晶硅层（103）具有10nm至50μm的范围内的平均粒度，并且包括源区（103s）以及体区（103b）。此外，场效应晶体管具有与体区（103b）邻接的栅结构（104）。

公开(公告)号：CN115312603A

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202210467459.7

申请日：2022-04-29

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 拉比耶·杰穆尔 ,  安东·毛德

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L23/544 ,  G01K7/01 ,  G01K7/16

Abstract: 公开了一种半导体器件(500)、半导体组件及其操作方法。该半导体器件包括在正面具有第一表面(101)的半导体部分(100)，其中，半导体部分(100)包括有源区(160)、横向围绕有源区(160)的终端结构(170)以及在终端结构(170)与半导体部分(100)的横向外表面(103)之间的无场区(190)。无场区(190)包括探测接触区(193)和主要部分(199)。探测接触区(193)和主要部分(199)形成半导体结。第一表面(101)上的探测垫(350)与探测接触区(193)形成欧姆接触。第一表面(101)上的保护钝化层(220)被至少形成在终端结构(170)上并使探测垫(350)暴露。

公开(公告)号：CN106449728B

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：CN201610631426.6

申请日：2016-08-04

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 丹尼尔·屈克 ,  托马斯·艾兴格尔 ,  弗朗茨·希尔勒 ,  安东·毛德

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明涉及宽带隙半导体器件，包括第一负载端子、第二负载端子、控制端子及具有漂移区的半导体本体(其由具有比硅的带隙更大的带隙的半导体材料形成)，并被配置成传导第一和第二负载端子间的负载电流。半导体器件包括：源极区，其被布置在半导体本体中并电连接到第一负载端子；毗邻区，其被布置在半导体本体中并将源极区与漂移区隔离；沟道，其沿垂直方向延伸到半导体本体中并包括第一电极和绝缘体。在沟道的底部区域处绝缘体沿垂直方向表现第一厚度并在沟道的顶部区域处沿第一横向方向表现第二厚度，第一厚度比第二厚度大至少1.5倍。毗邻区被布置成与绝缘体接触并且比沟道沿垂直方向延伸得更远，沟道底部区域和毗邻区沿第一横向方向表现重叠。

公开(公告)号：CN102790017B

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201210155286.1

申请日：2012-05-17

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 奥利弗·黑贝伦 ,  杰拉尔德·拉克纳 ,  安东·毛德

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/525 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/53276 ,  H01L23/544 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L29/78 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种半导体部件和制造半导体部件的方法。在各个实施方式中，半导体部件可以包括具有正面和背面的半导体层；至少部分形成在半导体层内的至少一个电子元件；形成在半导体层内并从半导体层的正面引向背面的至少一个通孔；设置在半导体层的正面上并将至少一个电子元件与至少一个通孔电连接的正面金属化层；设置在半导体层的正面上并与半导体层机械耦接的帽，所述帽被构造为半导体部件的正面载体；设置在半导体层的背面上并与至少一个通孔电连接的背面金属化层。

公开(公告)号：CN103578927A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310349687.5

申请日：2013-08-12

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 汉斯-约阿希姆·舒尔茨 ,  安东·毛德

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/06 ,  B24B7/228 ,  B24B37/013 ,  B24B37/042 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/3247 ,  H01L21/764 ,  H01L21/78 ,  H01L22/26 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/0649

Abstract: 本发明公开了包含自背表面研磨的半导体器件制造方法及半导体器件。自前表面至半导体衬底中蚀刻腔。在将蚀刻阻挡结构设置于腔的底部之后，封闭该腔。从与前表面相反的背表面研磨半导体衬底至少到达蚀刻阻挡结构的面向背表面的边缘。将蚀刻阻挡结构设置于蚀刻腔的底部允许精确地调整半导体器件的半导体本体的厚度。