公开(公告)号：CN1200562A

公开(公告)日：1998-12-02

申请号：CN97125554.7

申请日：1997-12-15

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  菱电半导体系统工程株式会社

Inventor： 松本晓典 ,  黑田健 ,  伴功二 ,  小西瞳子 ,  横井直树

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/67034

Abstract: 本发明的目的是抑制处理对象的干燥不良现象。向喷嘴34提供IPA液,IPA液通过流出孔35流出而形成IPA液的流体29。流体29以膜状的形式沿处理槽11侧壁的内侧表面流下,之后,通过在处理槽11下部形成的液体接收部36排向外部。由于处理槽11侧壁的内侧表面被IPA液的流体29覆盖,所以,抑制了IPA蒸汽在该内侧表面上无用的凝结。因此,可有效利用IPA蒸汽在置于接受器皿6上的处理对象表面凝结,从而抑制处理对象的干燥不良。

公开(公告)号：CN1200563A

公开(公告)日：1998-12-02

申请号：CN98104249.X

申请日：1998-01-16

Applicant: 菱电半导体系统工程株式会社 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 松本晓典 ,  黑田健 ,  伴功二 ,  小西瞳子 ,  横井直树

IPC: H01L21/304 ,  F26B19/00

CPC classification number: H01L21/67034

Abstract: 将氮气供给喷嘴34,产生通过喷气孔35喷出的氮气的喷射气流36。喷射气流36呈膜状,沿处理槽11的侧壁的内侧表面上升,然后通过在处理槽11的上部形成的吸气口33,到达外部被收回。由于处理槽11的侧壁的内侧表面被喷射气流36覆盖,所以能抑制IPA蒸汽在该内侧表面上的无用的冷凝。其结果,IPA蒸汽能被有效地用于放置在托盘6上的处理对象表面上的冷凝,所以能抑制处理对象的干燥不良。

公开(公告)号：CN1195763A

公开(公告)日：1998-10-14

申请号：CN97123190.7

申请日：1997-11-24

Applicant: 菱电半导体系统工程株式会社 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 松本晓典 ,  黑田健 ,  伴功二 ,  小西瞳子 ,  横井直树

IPC: F26B11/00

CPC classification number: H01L21/67034

Abstract: 本发明的目的是使IPA蒸汽的状态稳定,缓解甚至消除干燥不良现象。在设于处理槽(11)上方的开口部(22)两侧相对设置喷嘴(13)以及排气件(14)。处理槽(11)的侧壁随着从下方附近接近开口部(22)而向内侧圆滑弯曲。喷嘴(13)将氮气供给装置提供的氮气喷向排气件(14)的排气口,并形成覆盖开口部(22)的喷流(21)。由于处理槽(11)的侧壁弯曲,喷流(21)可有效发挥屏障的功能。所以,不再需要传统装置上必需的冷却蛇形管。因此,消除了因冷却蛇形管而引起的IPA蒸汽(5)状态的不稳定性。

公开(公告)号：CN1145203C

公开(公告)日：2004-04-07

申请号：CN00133357.7

申请日：2000-10-05

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  住友化学工业株式会社

Inventor： 菅野至 ,  横井直树 ,  森田博之 ,  一木直树 ,  根津秀明 ,  高岛正之

IPC: H01L21/304 ,  C11D7/00

CPC classification number: H01L21/02071 ,  C09K13/02 ,  C11D1/44 ,  C11D1/722 ,  C11D3/044 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/31116

Abstract: 本发明的主要目的是提供一种不产生布线和埋入导电层的断路的改进的清洗剂。根据本发明的一种半导体装置用的清洗剂，其特征是：含有氢氧化物、水和下述一般式(II)表示的化合物或下述一般式(I)和一般式(II)表示的化合物，HO-((EO)x-(PO)y)z-H(I)这里，EO表示氧乙烯基，PO表示氧丙烯基，x和y表示满足x/(x+y)＝0.05～0.4的整数，z表示正整数，R-[((EO)x-(PO)y)z-H]m(II)这里，EO、PO、x、y、z的定义与式(I)中的定义相同，R表示醇或胺的除去了氢氧基或氨基中的氢原子的残基、m表示1以上的整数。

公开(公告)号：CN1219757A

公开(公告)日：1999-06-16

申请号：CN98116229.0

申请日：1998-08-07

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小西瞳子 ,  横井直树

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67276 ,  H01L21/67028

Abstract: 在多槽型的批量/浸渍式的半导体衬底处理装置中,迅速地或瞬时地检测出衬底的缺陷和破损的故障。另外,通过对于后续的批量设置联锁,防止对于后续批量的二次损害。在装载器、多个处理槽以及卸载器上分别具备半导体衬底的片数计数器,当发现了衬底的缺陷时发出警报。还具备下述联锁功能:停止发现了缺陷的处理槽的处理,在下流一侧的处理槽中继续进行处理,但阻止向装载器的批量投入,使在上流一侧的处理槽中完成了处理中的药液处理以后停止处理。

公开(公告)号：CN1331487A

公开(公告)日：2002-01-16

申请号：CN01111347.2

申请日：2001-03-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 横井直树

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/02071 ,  C11D7/06 ,  C11D7/34 ,  C11D7/5022 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76838

Abstract: 在钨和硅同时露出的半导体衬底清洗工序中,同时获得高的清洗性能和高的硅腐蚀防止效果。并且与此同时,获得高的钨腐蚀防止效果。在作为钨系构件的钨膜31和作为硅系构件的多晶硅膜11同时露出来的半导体衬底1的清洗工序中,使用含有氢氧化物、硅腐蚀防止剂、有机化合物和作为钨腐蚀防止剂的水溶性有机溶剂的清洗液。

公开(公告)号：CN1305220A

公开(公告)日：2001-07-25

申请号：CN00134730.6

申请日：2000-10-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 浅冈保宏 ,  横井直树

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/32134

Abstract: 半导体器件的制造方法,目的在于除去半导体器件的表面上形成的多晶硅膜,即在其衬底膜上不产生损伤,且不产生腐蚀残渣。在硅晶片的表面上成膜多晶硅膜。把硅晶片设置在分批式的湿式腐蚀处理装置中。以包含预定混合比的氨水和双氧水及纯水的APM作为药液,开始多晶硅膜湿式腐蚀(步骤100)。在湿式腐蚀中途,在使用的药液中,经过预定时间追加APM(步骤104～108)。如果经过预定处理时间,那么结束APM的湿式腐蚀(步骤112)。

公开(公告)号：CN1291787A

公开(公告)日：2001-04-18

申请号：CN00133357.7

申请日：2000-10-05

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  住友化学工业株式会社

Inventor： 菅野至 ,  横井直树 ,  森田博之 ,  一木直树 ,  根津秀明 ,  高岛正之

IPC: H01L21/304 ,  C11D7/00

CPC classification number: H01L21/02071 ,  C09K13/02 ,  C11D1/44 ,  C11D1/722 ,  C11D3/044 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/31116

Abstract: 本发明的主要目的是提供一种不产生布线和埋入导电层的断路的改进的清洗剂。该半导体装置用清洗剂含有氢氧化物、水和用下述一般式(1)/或一般式(2)表示的化合物。HO－((EOx－(PO)y)z－H…(1),R－[((EO)x－(PO)y)z－H]m…(2)。