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公开(公告)号：CN116008876A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211673736.6
申请日：2022-12-26
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种磁通门传感器ASIC接口电路，属于磁变量测量领域，用于和探头一起构成磁通门传感器，包括振荡器、开关网络、选频放大电路；振荡器第一输出端用于输出频率为f1的本振信号，第二输出端用于输出频率为1/4 f1的方波信号；第一输出端经分频计数器连接探头，经分频计数器将本振信号八分频后送入探头中产生频率为1/8 f1的交变电压信号；所述第二输出端和探头的输出端均连接开关网络，所述开关网络用于根据方波信号对交变电压信号的二次谐波分量进行解调，解调为仅有二次谐波分量的单相电压信号。本发明具有小型化、低功耗、高信噪比的特点，能以在弱信号下得到高信噪比的检测信号，更适合应用于航天及单兵装备磁强计领域进行磁场测量。
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公开(公告)号：CN118391980B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410851512.2
申请日：2024-06-28
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种简易的旋转弹体转速测量电路，属于速度测量技术领域，用于安装在弹体上随弹体旋转并测量弹体转速，包括磁通门单元、信号产生单元、激励单元、检波积分单元和调理输出单元，本发明电路通过各单元协作，在无需软件的基础上，即可在弹体旋转的工况下自发产生与旋转周期同频的周期脉冲信号VOUT，由于该信号正好和弹体旋转频率同频，即反应了弹体旋转速度。后续在应用时，仅需通过单位时间内计算产生的脉冲个数，就能计算得到弹体当前飞行的转速参数，参与弹体导引头中飞控系统运算。本发明能降低测速原理的复杂度，且电路结构简单、容易实现微型化集成。
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公开(公告)号：CN115954339A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202310225334.8
申请日：2023-03-10
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种硅基片上电感，属于电感器件技术领域，包括硅支架（9）、金属线圈（10）、磁环（11）和电极（12），其中，所述金属线圈（10）通过绕线的方式绕制在硅支架（9）上面并通过堆叠的方式实现线圈闭环，所述磁环（11）绕制在金属线圈（10）中间，所述电极（12）堆叠在电感上并与金属线圈（10）实现互联，本发明还公开了上述电感的制作方法，所述方法包括制作线圈硅片、制作电极硅片以及铸造制备器件等步骤；本发明制备的螺线管式电感器具有占用芯片面积小、涡流损耗小和电感值较高等的优点。
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公开(公告)号：CN114273992B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210008223.7
申请日：2022-01-06
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种图案化金属层表面抛光方法，属于微波元器件技术领域，其步骤包括：先将光敏型聚酰亚胺旋涂在硅片上图案化金属层表面，填充并覆盖整个Au图案化金属层；升温固化聚酰亚胺层；在聚酰亚胺层上表面涂覆一层光刻胶层；对光刻胶层进行刻蚀抛光，将光刻胶层全部刻蚀，得到表面平整的聚酰亚胺层；对聚酰亚胺层继续进行刻蚀，使漏出部分厚度较高的图案化金属层图案；对表面凸出的金属层图案进行磨抛，至金属层图案与聚酰亚胺上表面平齐；去掉金属层图案间隙填充的聚酰亚胺；本发明可以明显提高硅基MEMS环行器/隔离器键合之前的Au微波电路图案的平整度和粗糙度，增加键合工艺强度，提高器件的结构强度，提高每片晶圆的良品率。
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公开(公告)号：CN114156621B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202210115351.1
申请日：2022-02-07
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种基于MEMS技术的通讯用集总参数环行器及其制作方法，属于微波元器件技术领域，包括硅主基片，在所述硅主基片下方设置有硅副基片，在硅主基片上方设置有至少两层聚酰亚胺薄膜；在所述硅主基片和硅副基片的上表面和下表面均制作有电路图案，所述硅主基片与硅副基片通过金属过孔和键合的方式互联；每层聚酰亚胺薄膜上也制作有电路图案，并通过聚酰亚胺薄膜上的金属化过孔与下层的电路互联；本发明的利用MEMS工艺技术制作的集总参数微带环行器，尺寸小至3×3mm，具有工艺成熟，速度快、成本低、效率高且一致性好等优点，适合大批量生产，同时可以有效减小铁氧体和器件的尺寸，为更小的如2×2mm、1×1mm器件的打下了工艺基础。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114156621A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202210115351.1
申请日：2022-02-07
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种基于MEMS技术的通讯用集总参数环行器及其制作方法，属于微波元器件技术领域，包括硅主基片，在所述硅主基片下方设置有硅副基片，在硅主基片上方设置有至少两层聚酰亚胺薄膜；在所述硅主基片和硅副基片的上表面和下表面均制作有电路图案，所述硅主基片与硅副基片通过金属过孔和键合的方式互联；每层聚酰亚胺薄膜上也制作有电路图案，并通过聚酰亚胺薄膜上的金属化过孔与下层的电路互联；本发明的利用MEMS工艺技术制作的集总参数微带环行器，尺寸小至3×3mm，具有工艺成熟，速度快、成本低、效率高且一致性好等优点，适合大批量生产，同时可以有效减小铁氧体和器件的尺寸，为更小的如2×2mm、1×1mm器件的打下了工艺基础。
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公开(公告)号：CN116022731B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310130224.3
申请日：2023-02-17
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种基于WLP工艺的MEMS磁通门传感器的制作方法，属于微型传感器技术领域，所述方法为先分别在两个硅基片上刻蚀出能够放置磁芯的凹槽和在键合后围绕在磁芯外周围的螺线管腔以及与线圈相连的电极窗口，并在腔体内填充线圈材料，从而使其形成螺线管线圈；将两个硅基片相对的表面进行处理，之后将两个硅基片面对面贴合在一起进行键合；本发明采用TSV技术能进一步提高连接通孔的成功率和线圈互连可靠性，采用刻槽放置磁芯的方法，能减少后期固化绝缘聚合物等材料对磁芯性能的伤害，采用低温键合能减小高温键合对器件产生的不良影响，提高器件的工作稳定性和可靠性，也能达到减小器件尺寸的目的。
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公开(公告)号：CN116022731A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202310130224.3
申请日：2023-02-17
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种基于WLP工艺的MEMS磁通门传感器的制作方法，属于微型传感器技术领域，所述方法为先分别在两个硅基片上刻蚀出能够放置磁芯的凹槽和在键合后围绕在磁芯外周围的螺线管腔以及与线圈相连的电极窗口，并在腔体内填充线圈材料，从而使其形成螺线管线圈；将两个硅基片相对的表面进行处理，之后将两个硅基片面对面贴合在一起进行键合；本发明采用TSV技术能进一步提高连接通孔的成功率和线圈互连可靠性，采用刻槽放置磁芯的方法，能减少后期固化绝缘聚合物等材料对磁芯性能的伤害，采用低温键合能减小高温键合对器件产生的不良影响，提高器件的工作稳定性和可靠性，也能达到减小器件尺寸的目的。
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公开(公告)号：CN118391980A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410851512.2
申请日：2024-06-28
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种简易的旋转弹体转速测量电路，属于速度测量技术领域，用于安装在弹体上随弹体旋转并测量弹体转速，包括磁通门单元、信号产生单元、激励单元、检波积分单元和调理输出单元，本发明电路通过各单元协作，在无需软件的基础上，即可在弹体旋转的工况下自发产生与旋转周期同频的周期脉冲信号VOUT，由于该信号正好和弹体旋转频率同频，即反应了弹体旋转速度。后续在应用时，仅需通过单位时间内计算产生的脉冲个数，就能计算得到弹体当前飞行的转速参数，参与弹体导引头中飞控系统运算。本发明能降低测速原理的复杂度，且电路结构简单、容易实现微型化集成。
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公开(公告)号：CN115954339B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310225334.8
申请日：2023-03-10
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种硅基片上电感，属于电感器件技术领域，包括硅支架（9）、金属线圈（10）、磁环（11）和电极（12），其中，所述金属线圈（10）通过绕线的方式绕制在硅支架（9）上面并通过堆叠的方式实现线圈闭环，所述磁环（11）绕制在金属线圈（10）中间，所述电极（12）堆叠在电感上并与金属线圈（10）实现互联，本发明还公开了上述电感的制作方法，所述方法包括制作线圈硅片、制作电极硅片以及铸造制备器件等步骤；本发明制备的螺线管式电感器具有占用芯片面积小、涡流损耗小和电感值较高等的优点。
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