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公开(公告)号：CN115954339A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202310225334.8
申请日：2023-03-10
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种硅基片上电感，属于电感器件技术领域，包括硅支架（9）、金属线圈（10）、磁环（11）和电极（12），其中，所述金属线圈（10）通过绕线的方式绕制在硅支架（9）上面并通过堆叠的方式实现线圈闭环，所述磁环（11）绕制在金属线圈（10）中间，所述电极（12）堆叠在电感上并与金属线圈（10）实现互联，本发明还公开了上述电感的制作方法，所述方法包括制作线圈硅片、制作电极硅片以及铸造制备器件等步骤；本发明制备的螺线管式电感器具有占用芯片面积小、涡流损耗小和电感值较高等的优点。
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公开(公告)号：CN115739786A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211323068.4
申请日：2022-10-27
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种干湿结合的探针清洗方法，属于集成电路测试领域，包括：（1）电镀前依次进行超声清洗和等离子体清洗，（2）组装后进行超声清洗；本发明的方法具有工艺成熟，速度快、成本低、效率高且一致性好等优点，适合大批量生产，同时可以有效增强探针弹性件表面膜层结构强度，探针高频次测试（＞50万次）结果证明膜层结构完好，增强探针的可靠性；并且，能够提高探针制作的一致性，提升探针性能，为更高频微波探针制作奠定基础。
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公开(公告)号：CN114069179A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202210046870.7
申请日：2022-01-17
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
IPC: H01P1/39
Abstract: 本发明公开了一种高微放电阈值星用四端环行器，属于微波元器件领域，依次包括折叠双T段、差相位段和3dB电桥段，所述差相位段腔体内设置有铁氧体基片，在所述差相位段的腔体内设置有铁氧体基片，所述铁氧体基片上下非对称设置，优选在铁氧体表面涂覆一层非金属材料，制约铁氧体表面的电子被激发，提升大功率微波铁氧体器件的微放电阈值本发明的环行器能够同时满足15KW量级的微放电功率和1000W量级的平均功率需求，为后续高功率器件国产化替代提供技术支撑，具有较大的经济和军事效益。
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公开(公告)号：CN115954339B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310225334.8
申请日：2023-03-10
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种硅基片上电感，属于电感器件技术领域，包括硅支架（9）、金属线圈（10）、磁环（11）和电极（12），其中，所述金属线圈（10）通过绕线的方式绕制在硅支架（9）上面并通过堆叠的方式实现线圈闭环，所述磁环（11）绕制在金属线圈（10）中间，所述电极（12）堆叠在电感上并与金属线圈（10）实现互联，本发明还公开了上述电感的制作方法，所述方法包括制作线圈硅片、制作电极硅片以及铸造制备器件等步骤；本发明制备的螺线管式电感器具有占用芯片面积小、涡流损耗小和电感值较高等的优点。
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公开(公告)号：CN114374066B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202210051898.X
申请日：2022-01-18
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
IPC: H01P1/38
Abstract: 本发明公开了一种超宽带高功率星用环行器，属于微波元器件领域，本发明本发明通过在波导窄边方向设置至少两阶匹配台阶，并在所述腔体内部采用至少两层匹配调谐圆台、在所述差相位段采用非标准矩形波导尺寸、在所述3dB电桥宽边方向加载三阶以上的阻抗匹配，并在所述3dB电桥腔体内部引入单脊波导的传输模式、在所述差相位段的腔体内，所述铁氧体基片上下非对称设置、在所述铁氧体基片表面涂覆一层非金属材料工艺，解决了超宽带高功率器件的宽带设计技术和星用器件的高微放电阈值问题，能够满足30%以上的相对带宽以及15kW量级的微放电功率需求，为后续高功率器件国产化替代提供技术支撑，具有较大的经济和军事效应。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115939701A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211535788.7
申请日：2022-12-02
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
IPC: H01P1/19
Abstract: 本发明公开了一种基于铁氧体复合磁路剩磁锁定技术的高频双模互易移相器，属于微波器件技术领域，包括中心铁氧体棒（1），所述中心铁氧体棒（1）外部嵌套绝缘介质套（2）和磁感应线圈（3），所述中心铁氧体棒（1）外周设置有四块磁轭，所述磁轭采用磁通密度远大于铁氧体饱和磁化强度且加工性和韧性均较好的软磁金属材料，四块磁轭对称设置；本发明可使得双模互易锁式铁氧体移相器的工作频率大幅度提升，更易实现高频Ka频带工程化应用，同时能够提高双模互易锁式铁氧体移相器可靠性。
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公开(公告)号：CN115084810B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202210856604.0
申请日：2022-07-21
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
IPC: H01P1/212
Abstract: 本发明公开了小型化高频高阶模谐波抑制波导滤波器，属于微波元器件技术领域，包括直波导段（1），在所述直波导段（1）的中间的左右两端对称设置有两个完全尺寸耦合腔（2），在两个所述完全尺寸耦合腔（2）之间设置有数个不完全尺寸耦合腔B（5），所述不完全尺寸耦合腔B（5）的一边与完全尺寸耦合腔（2）平齐；本发明在低通滤波器的基础上，增加了波导宽边尺寸变化的耦合腔，通过耦合腔宽边尺寸变化，在满足对TE10模与TE01模吸收的情况下，有效抑制了波导系统中TE20模的传播，实现波导内高频高阶模谐波的高效抑制，从而能够以较小的尺寸（小至17mm），实现矩形波导系统高频主要模式的抑制，避免干扰或烧毁电子通讯设备。
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公开(公告)号：CN115084810A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210856604.0
申请日：2022-07-21
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
IPC: H01P1/212
Abstract: 本发明公开了小型化高频高阶模谐波抑制波导滤波器，属于微波元器件技术领域，包括直波导段（1），在所述直波导段（1）的中间的左右两端对称设置有两个完全尺寸耦合腔（2），在两个所述完全尺寸耦合腔（2）之间设置有数个不完全尺寸耦合腔B（5），所述不完全尺寸耦合腔B（5）的一边与完全尺寸耦合腔（2）平齐；本发明在低通滤波器的基础上，增加了波导宽边尺寸变化的耦合腔，通过耦合腔宽边尺寸变化，在满足对TE10模与TE01模吸收的情况下，有效抑制了波导系统中TE20模的传播，实现波导内高频高阶模谐波的高效抑制，从而能够以较小的尺寸（小至17mm），实现矩形波导系统高频主要模式的抑制，避免干扰或烧毁电子通讯设备。
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公开(公告)号：CN116022731B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310130224.3
申请日：2023-02-17
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种基于WLP工艺的MEMS磁通门传感器的制作方法，属于微型传感器技术领域，所述方法为先分别在两个硅基片上刻蚀出能够放置磁芯的凹槽和在键合后围绕在磁芯外周围的螺线管腔以及与线圈相连的电极窗口，并在腔体内填充线圈材料，从而使其形成螺线管线圈；将两个硅基片相对的表面进行处理，之后将两个硅基片面对面贴合在一起进行键合；本发明采用TSV技术能进一步提高连接通孔的成功率和线圈互连可靠性，采用刻槽放置磁芯的方法，能减少后期固化绝缘聚合物等材料对磁芯性能的伤害，采用低温键合能减小高温键合对器件产生的不良影响，提高器件的工作稳定性和可靠性，也能达到减小器件尺寸的目的。
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公开(公告)号：CN116022731A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202310130224.3
申请日：2023-02-17
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种基于WLP工艺的MEMS磁通门传感器的制作方法，属于微型传感器技术领域，所述方法为先分别在两个硅基片上刻蚀出能够放置磁芯的凹槽和在键合后围绕在磁芯外周围的螺线管腔以及与线圈相连的电极窗口，并在腔体内填充线圈材料，从而使其形成螺线管线圈；将两个硅基片相对的表面进行处理，之后将两个硅基片面对面贴合在一起进行键合；本发明采用TSV技术能进一步提高连接通孔的成功率和线圈互连可靠性，采用刻槽放置磁芯的方法，能减少后期固化绝缘聚合物等材料对磁芯性能的伤害，采用低温键合能减小高温键合对器件产生的不良影响，提高器件的工作稳定性和可靠性，也能达到减小器件尺寸的目的。
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