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公开(公告)号：CN115313012B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202210930633.7
申请日：2022-08-04
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种提高陶瓷嵌套铁氧体基片表面金属电路附着力的方法，属于微波元器件领域，本发明的方法为采用RF轰击/反溅清洗、低温沉积以及退火相结合的方法，提升了薄膜在铁氧体和陶瓷基片上的附着力，通过拉力实验测试发现其附着力超过250g/mm2，也通过了3M胶带以及刀片测试，本发明的制作方法具有工艺成熟，速度快、成本低、效率高且一致性好等优点，适合大批量生产，同时可以有效增强器件的膜层结构强度，增强器件的可靠性，减小铁氧体和器件的尺寸等优点，为了更小体积的基于高介陶瓷的微带环行器/隔离器打下了工艺基础。
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公开(公告)号：CN115954339B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310225334.8
申请日：2023-03-10
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种硅基片上电感，属于电感器件技术领域，包括硅支架（9）、金属线圈（10）、磁环（11）和电极（12），其中，所述金属线圈（10）通过绕线的方式绕制在硅支架（9）上面并通过堆叠的方式实现线圈闭环，所述磁环（11）绕制在金属线圈（10）中间，所述电极（12）堆叠在电感上并与金属线圈（10）实现互联，本发明还公开了上述电感的制作方法，所述方法包括制作线圈硅片、制作电极硅片以及铸造制备器件等步骤；本发明制备的螺线管式电感器具有占用芯片面积小、涡流损耗小和电感值较高等的优点。
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公开(公告)号：CN116022731B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310130224.3
申请日：2023-02-17
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种基于WLP工艺的MEMS磁通门传感器的制作方法，属于微型传感器技术领域，所述方法为先分别在两个硅基片上刻蚀出能够放置磁芯的凹槽和在键合后围绕在磁芯外周围的螺线管腔以及与线圈相连的电极窗口，并在腔体内填充线圈材料，从而使其形成螺线管线圈；将两个硅基片相对的表面进行处理，之后将两个硅基片面对面贴合在一起进行键合；本发明采用TSV技术能进一步提高连接通孔的成功率和线圈互连可靠性，采用刻槽放置磁芯的方法，能减少后期固化绝缘聚合物等材料对磁芯性能的伤害，采用低温键合能减小高温键合对器件产生的不良影响，提高器件的工作稳定性和可靠性，也能达到减小器件尺寸的目的。
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公开(公告)号：CN116022731A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202310130224.3
申请日：2023-02-17
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种基于WLP工艺的MEMS磁通门传感器的制作方法，属于微型传感器技术领域，所述方法为先分别在两个硅基片上刻蚀出能够放置磁芯的凹槽和在键合后围绕在磁芯外周围的螺线管腔以及与线圈相连的电极窗口，并在腔体内填充线圈材料，从而使其形成螺线管线圈；将两个硅基片相对的表面进行处理，之后将两个硅基片面对面贴合在一起进行键合；本发明采用TSV技术能进一步提高连接通孔的成功率和线圈互连可靠性，采用刻槽放置磁芯的方法，能减少后期固化绝缘聚合物等材料对磁芯性能的伤害，采用低温键合能减小高温键合对器件产生的不良影响，提高器件的工作稳定性和可靠性，也能达到减小器件尺寸的目的。
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公开(公告)号：CN115356667A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202211298871.7
申请日：2022-10-24
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种基于单霍尔探头的宽量程强磁场测量系统及测量方法，包括磁感知探头、信号调理和模拟转换子单元、控制与校准子单元和探头激励子单元，磁感知探头输入端和输出端分别连接探头激励子单元和信号调理和模拟转换子单元，控制与校准子单元与信号调理和模拟转换子单元、和探头激励子单元双向通信。本发明仅采用单根磁感知探头，采用两种信号调理电路搭配2片ADC协同完成磁信号采集，在保证磁场采集精度的前提下能实现自动量程检测，最终实现了20T宽量程范围的多段磁场高精度磁场检测功能。相较于传统多探头分量程范围实现宽量程范围磁场信号采集，本发明具有操控简单方便、实用性强、校准效率高等特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115954339A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202310225334.8
申请日：2023-03-10
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种硅基片上电感，属于电感器件技术领域，包括硅支架（9）、金属线圈（10）、磁环（11）和电极（12），其中，所述金属线圈（10）通过绕线的方式绕制在硅支架（9）上面并通过堆叠的方式实现线圈闭环，所述磁环（11）绕制在金属线圈（10）中间，所述电极（12）堆叠在电感上并与金属线圈（10）实现互联，本发明还公开了上述电感的制作方法，所述方法包括制作线圈硅片、制作电极硅片以及铸造制备器件等步骤；本发明制备的螺线管式电感器具有占用芯片面积小、涡流损耗小和电感值较高等的优点。
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公开(公告)号：CN115739786A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211323068.4
申请日：2022-10-27
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种干湿结合的探针清洗方法，属于集成电路测试领域，包括：（1）电镀前依次进行超声清洗和等离子体清洗，（2）组装后进行超声清洗；本发明的方法具有工艺成熟，速度快、成本低、效率高且一致性好等优点，适合大批量生产，同时可以有效增强探针弹性件表面膜层结构强度，探针高频次测试（＞50万次）结果证明膜层结构完好，增强探针的可靠性；并且，能够提高探针制作的一致性，提升探针性能，为更高频微波探针制作奠定基础。
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公开(公告)号：CN115356667B
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211298871.7
申请日：2022-10-24
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)(CN)
Abstract: 本发明公开了一种基于单霍尔探头的宽量程强磁场测量系统及测量方法，包括磁感知探头、信号调理和模拟转换子单元、控制与校准子单元和探头激励子单元，磁感知探头输入端和输出端分别连接探头激励子单元和信号调理和模拟转换子单元，控制与校准子单元与信号调理和模拟转换子单元、和探头激励子单元双向通信。本发明仅采用单根磁感知探头，采用两种信号调理电路搭配2片ADC协同完成磁信号采集，在保证磁场采集精度的前提下能实现自动量程检测，最终实现了20T宽量程范围的多段磁场高精度磁场检测功能。相较于传统多探头分量程范围实现宽量程范围磁场信号采集，本发明具有操控简单方便、实用性强、校准效率高等特点。
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公开(公告)号：CN115313012A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210930633.7
申请日：2022-08-04
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种提高陶瓷嵌套铁氧体基片表面金属电路附着力的方法，属于微波元器件领域，本发明的方法为采用RF轰击/反溅清洗、低温沉积以及退火相结合的方法，提升了薄膜在铁氧体和陶瓷基片上的附着力，通过拉力实验测试发现其附着力超过250g/mm2，也通过了3M胶带以及刀片测试，本发明的制作方法具有工艺成熟，速度快、成本低、效率高且一致性好等优点，适合大批量生产，同时可以有效增强器件的膜层结构强度，增强器件的可靠性，减小铁氧体和器件的尺寸等优点，为了更小体积的基于高介陶瓷的微带环行器/隔离器打下了工艺基础。
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公开(公告)号：CN106410353A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610865569.3
申请日：2016-09-30
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
IPC: H01P5/16
CPC classification number: H01P5/16
Abstract: 本发明公开了一种多路不等分径向波导功率分配器，包括一空心的波导圆盘，所述波导圆盘一面中点设有输入端阶梯阻抗变换器，另一面包括数个与波导圆盘同心的环形区，每个环形区上均匀分布有数个输出端阶梯阻抗变换器，输入端阶梯阻抗变换器接产生电场和磁场的同轴线馈电输入，所述电场与波导圆盘的轴线平行，磁场方向绕圆周方向旋转。本发明利用径向波导主模场分布具有同轴对称性的特点，通过输出端口在以输入端口为圆心的不同半径r的圆上来实现不同比例的功率分配，且功分路数灵活，可实现多路、多种比例的分配，可广泛应用于对天线阵列有幅度调制需求的各种雷达系统、通信系统中。
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