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公开(公告)号:CN115954339B
公开(公告)日:2023-07-07
申请号:CN202310225334.8
申请日:2023-03-10
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种硅基片上电感,属于电感器件技术领域,包括硅支架(9)、金属线圈(10)、磁环(11)和电极(12),其中,所述金属线圈(10)通过绕线的方式绕制在硅支架(9)上面并通过堆叠的方式实现线圈闭环,所述磁环(11)绕制在金属线圈(10)中间,所述电极(12)堆叠在电感上并与金属线圈(10)实现互联,本发明还公开了上述电感的制作方法,所述方法包括制作线圈硅片、制作电极硅片以及铸造制备器件等步骤;本发明制备的螺线管式电感器具有占用芯片面积小、涡流损耗小和电感值较高等的优点。
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公开(公告)号:CN117879540B
公开(公告)日:2024-06-18
申请号:CN202410277052.7
申请日:2024-03-12
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
IPC: H03H21/00 , G01C17/02 , G01P15/105 , G06F17/16 , G06F17/18
Abstract: 本发明公开了一种基于改进卡尔曼滤波的磁罗盘传感器自适应信号滤波方法,属于信号处理领域,其方法为在常规卡尔曼滤波方程的基础上,增设系统协方差矩阵修正参数#imgabs0#,并优选增设条件阈值#imgabs1#和系统特性修正系数#imgabs2#;本发明的方法在滤波过程中能够根据当前测量值的情况而自适应调整数字滤波器卡尔曼增益#imgabs3#,达到保证传感器数据具有较高滤波精度的基础上,满足磁罗盘实时解算输出姿态角的功能需求,有效降低传统滤波时滞的效果。
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公开(公告)号:CN114156621B
公开(公告)日:2022-04-19
申请号:CN202210115351.1
申请日:2022-02-07
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种基于MEMS技术的通讯用集总参数环行器及其制作方法,属于微波元器件技术领域,包括硅主基片,在所述硅主基片下方设置有硅副基片,在硅主基片上方设置有至少两层聚酰亚胺薄膜;在所述硅主基片和硅副基片的上表面和下表面均制作有电路图案,所述硅主基片与硅副基片通过金属过孔和键合的方式互联;每层聚酰亚胺薄膜上也制作有电路图案,并通过聚酰亚胺薄膜上的金属化过孔与下层的电路互联;本发明的利用MEMS工艺技术制作的集总参数微带环行器,尺寸小至3×3mm,具有工艺成熟,速度快、成本低、效率高且一致性好等优点,适合大批量生产,同时可以有效减小铁氧体和器件的尺寸,为更小的如2×2mm、1×1mm器件的打下了工艺基础。
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公开(公告)号:CN114156621A
公开(公告)日:2022-03-08
申请号:CN202210115351.1
申请日:2022-02-07
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种基于MEMS技术的通讯用集总参数环行器及其制作方法,属于微波元器件技术领域,包括硅主基片,在所述硅主基片下方设置有硅副基片,在硅主基片上方设置有至少两层聚酰亚胺薄膜;在所述硅主基片和硅副基片的上表面和下表面均制作有电路图案,所述硅主基片与硅副基片通过金属过孔和键合的方式互联;每层聚酰亚胺薄膜上也制作有电路图案,并通过聚酰亚胺薄膜上的金属化过孔与下层的电路互联;本发明的利用MEMS工艺技术制作的集总参数微带环行器,尺寸小至3×3mm,具有工艺成熟,速度快、成本低、效率高且一致性好等优点,适合大批量生产,同时可以有效减小铁氧体和器件的尺寸,为更小的如2×2mm、1×1mm器件的打下了工艺基础。
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公开(公告)号:CN118067098A
公开(公告)日:2024-05-24
申请号:CN202410006205.4
申请日:2024-01-03
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种数字磁罗盘抗空间固定位置铁磁干扰系统,用于应用地的姿态角校准,包括传感器数据采集子系统、姿态角解算子系统,还包括校准地数据获取单元、抗干扰方位补偿矫正子系统;其中抗干扰方位补偿矫正子系统包括罗盘运动状态检测子单元、初始数据获取单元、实时数据获取单元干扰磁场存在检测子单元、干扰磁场测算子单元、方位角修正子单元、抗干扰姿态角补偿单元。本发明在保留传统数字磁罗盘功能的同时具备抗空间固定位置铁磁物体磁场干扰的功能。当工作过程中出现大型干扰物且自身也无法移动时,数字磁罗盘可自动检测干扰,并根据相关数据进行方位角的补偿。从而降低对罗盘应用条件的要求、实现自适应校准、自动校准。
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公开(公告)号:CN115954339A
公开(公告)日:2023-04-11
申请号:CN202310225334.8
申请日:2023-03-10
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种硅基片上电感,属于电感器件技术领域,包括硅支架(9)、金属线圈(10)、磁环(11)和电极(12),其中,所述金属线圈(10)通过绕线的方式绕制在硅支架(9)上面并通过堆叠的方式实现线圈闭环,所述磁环(11)绕制在金属线圈(10)中间,所述电极(12)堆叠在电感上并与金属线圈(10)实现互联,本发明还公开了上述电感的制作方法,所述方法包括制作线圈硅片、制作电极硅片以及铸造制备器件等步骤;本发明制备的螺线管式电感器具有占用芯片面积小、涡流损耗小和电感值较高等的优点。
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公开(公告)号:CN115597571B
公开(公告)日:2023-03-28
申请号:CN202211611052.3
申请日:2022-12-15
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种电子罗盘传感器误差及安装误差快速标定与补偿方法,涉及电子罗盘的误差补偿领域,其方法为:先选择一电子罗盘,得到MEMS三轴加速度计在每个位置处x、y、z轴上的理论值和初始测量值、和x、y轴上多个样本点的初始磁场强度,送入卡尔曼滤波器;再求解MEMS三轴加速度计的误差补偿参数矩阵、以及磁场数据的椭圆拟合参数,分别对MEMS三轴加速度计和磁传感器数据进行补偿,本发明不仅能减小数据输出噪声,还能有效地补偿MEMS加速度计自身零偏、刻度因子、非正交及安装误差,并且对外界的磁场干扰进行补偿。精度较高,操作简单,易于实现,具有重要的工程实用价值。
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公开(公告)号:CN115727874A
公开(公告)日:2023-03-03
申请号:CN202211426042.2
申请日:2022-11-15
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种电子罗盘传感器温度误差一体化标定与补偿方法,包括将电子罗盘置于温箱内六个测试位上;分别求解加速度传感器在三轴上的正向校准参数、反向校准参数和磁传感器在三轴上的校准参数;再将电子罗盘置于工作环境中,根据当前温度、当前的测量值,利用校准参数进行补偿。本发明通过6个特殊位置等效形成变化的环境磁场和重力场作用在电子罗盘的传感器上,依据不同环境磁场和重力场作用时传感器敏感轴测量值随温度的变化特性,同时完成加速度传感器和磁传感器温度补偿参数计算,直接对电子罗盘系统的传感器进行温度补偿校准,极大的提升了温度补偿准确性和可靠性,简化了校准步骤,满足批量化生产时电子罗盘传感器温度误差标定需要。
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公开(公告)号:CN115356667B
公开(公告)日:2023-01-13
申请号:CN202211298871.7
申请日:2022-10-24
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)(CN)
Abstract: 本发明公开了一种基于单霍尔探头的宽量程强磁场测量系统及测量方法,包括磁感知探头、信号调理和模拟转换子单元、控制与校准子单元和探头激励子单元,磁感知探头输入端和输出端分别连接探头激励子单元和信号调理和模拟转换子单元,控制与校准子单元与信号调理和模拟转换子单元、和探头激励子单元双向通信。本发明仅采用单根磁感知探头,采用两种信号调理电路搭配2片ADC协同完成磁信号采集,在保证磁场采集精度的前提下能实现自动量程检测,最终实现了20T宽量程范围的多段磁场高精度磁场检测功能。相较于传统多探头分量程范围实现宽量程范围磁场信号采集,本发明具有操控简单方便、实用性强、校准效率高等特点。
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公开(公告)号:CN117537792B
公开(公告)日:2024-04-30
申请号:CN202410006208.8
申请日:2024-01-03
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
IPC: G01C17/38
Abstract: 本发明公开了一种电子罗盘自适应方位角矫正方法,包括电子罗盘在校准地对三轴磁传感器和三轴加速度计进行温度校准、正交性校准、倾角解算以及倾斜补偿校准;在校准地搭建一标准磁场环境进行参数计算,包括对校准地的环境磁场校准、构造电子罗盘的方位角计算式α、磁北锁定并解算此时的方位角标记为到α0;在应用场所对电子罗盘进行自适应校准。本发明既能实现对磁干扰进行识别并实现自动干扰剔除,也能不依靠同时移动罗盘和安装载体的校准方式来提升校准精度,降低环境磁场校准时对安装载体移动的要求,达到对罗盘输出方位角矫正的目的,增加了罗盘在应用端的适应能力。使用了本方法后,电子罗盘校准得到了简化,且方位角精度得到了提升。
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