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公开(公告)号：CN119121157A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411175546.0
申请日：2024-08-26
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: C23C14/35 , C23C14/06 , C23C16/511 , C23C16/27 , C23C28/04
Abstract: 本发明涉及一种高迁移率的共掺杂金刚石及制备方法，包括步骤：提供未有意掺杂金刚石；在未有意掺杂金刚石表面制备氢终端结构，形成氢终端金刚石；在氢终端金刚石的氢终端结构表面制备待掺杂元素的本征薄膜；在预设温度下刻蚀本征薄膜，使得本征薄膜的待掺杂元素热扩散至氢终端结构中和未有意掺杂金刚石中并形成p型掺杂，得到共掺杂金刚石层。该制备方法可以有效修复磁控溅射对金刚石表面晶格的损伤，降低表面粗糙度，提高共掺杂金刚石的界面质量，同时在p型掺杂元素和同为p型导电的氢终端结构的共同作用下，氢终端金刚石的载流子迁移率得到大幅度提高，从而提高了共掺杂金刚石层的性能，进而可以用于制备高性能的金刚石微波功率器件。
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公开(公告)号：CN118824853A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410811540.1
申请日：2024-06-21
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/06 , H01L29/16 , H01L29/167 , H01L29/772
Abstract: 本发明公开了一种高阈值电压增强型金刚石高压场效应晶体管的制备方法，包括：选取金刚石衬底并在金刚石衬底上同质外延生长未掺杂的本征金刚石层；在本征金刚石层的上表面的源极区域和漏极区域选择性生长重掺杂p型金刚石；对本征金刚石层和重掺杂p型金刚石的上表面进行氢化处理形成氢终端表面，并将氢终端表面转换为硅终端表面；刻蚀掉栅极区域以外的硅终端表面以形成氢终端表面；在氢终端表面和硅终端表面的上表面沉积钝化层并开设源极窗口和漏极窗口；在钝化层上表面的栅极区域制备栅极，在源极窗口和漏极窗口分别制备源极和漏极。本发明制备的增强型金刚石高压场效应晶体管兼具高阈值电压、高击穿电压和低导通电阻。
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公开(公告)号：CN117116973A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311195783.9
申请日：2023-09-15
IPC: H01L29/20 , H01L29/10 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及一种基于硅/六方氮化硼异质结的场效应管器件及制备方法，场效应管器件包括：硅衬底层、六方氮化硼势垒层、源极、漏极和栅极，六方氮化硼势垒层至少部分采用n型掺杂的六方氮化硼；六方氮化硼势垒层设置在硅衬底层的上表面，六方氮化硼势垒层与硅衬底层在接触面形成异质结，且在硅衬底层中形成位于异质结界面的二维电子气沟道；源极设置在六方氮化硼势垒层上表面一侧；漏极设置在六方氮化硼势垒层上表面另一侧；栅极设置在源极和漏极之间的六方氮化硼势垒层上。本实施例使用硅和六方氮化硼之间形成的异质结诱导出二维电子气进行横向导电，可以有效提高硅基导电沟道的载流子浓度和迁移率，使器件获得更高的电流密度和更好的高频特性。
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公开(公告)号：CN117080250A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311200794.1
申请日：2023-09-15
IPC: H01L29/20 , H01L21/329 , H01L29/872 , H01L29/861 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及一种横向肖特基二极管器件及其制备方法，器件包括：高阻硅衬底层、六方氮化硼势垒层、阳极、阴极和钝化层；六方氮化硼势垒层位于高阻硅衬底层的上表面；高阻硅衬底层和六方氮化硼势垒层的接触界面形成异质结，异质结界面存在二维电子气沟道；阳极、阴极位于六方氮化硼势垒层的上表面；阳极和高阻硅衬底层形成肖特基接触；阴极和二维电子气沟道形成欧姆接触；钝化层，一部分位于阳极和阴极之间，另一部分延伸至阳极的部分上表面和阴极的部分上表面。通过高阻硅衬底层和六方氮化硼势垒层在异质结界面处的二维电子气，获得高载流子浓度、高迁移率的导电沟道，进而使器件获得更高的电流密度和更好的高频特性。
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