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公开(公告)号：CN119945338A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510023633.2
申请日：2025-01-07
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
Abstract: 本发明公开了一种超宽带跨倍频程高效率功率放大器及其工作模式设计方法，方法包括：分析现有功率放大器的工作模式存在的问题，根据分析结果确定在工作模式设计过程中引入二次谐波的影响；基于输入功率放大器中管芯栅端的基波和二次谐波设计管芯栅端处的输入电压计算表达式，以根据输入电压计算表达式计算管芯栅端处的输入电压；根据输入电压计算表达式设计管芯漏端处的输出电流计算表达式，以根据输出电流计算表达式计算管芯漏端处的输出电流；根据输出电流计算表达式设计管芯漏端处的效率计算表达式，以根据功率放大器的效率计算表达式计算管芯漏端处的效率。本发明设计的工作模式对超宽带、跨倍频程、高效率的射频收发系统的发展具有重要意义。
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公开(公告)号：CN119789510A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411650458.1
申请日：2024-11-19
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H10D84/82 , H10D84/05 , H10D62/824
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓和砷化镓侧向单片异质集成射频芯片及其制备方法，包括背金属、衬底、氮化镓器件外延层、氮化镓器件电极漏极、氮化镓器件电极栅极、氮化镓器件电极源极、背通孔、砷化镓外延过渡层、砷化镓器件外延层、砷化镓器件电极源极、砷化镓器件电极栅极、砷化镓器件电极漏极；氮化镓和砷化镓外延材料和射频器件共用背金属和衬底，砷化镓射频器件通过在异质衬底氮化镓晶圆上选择区域挖槽外延生长砷化镓材料，并加工砷化镓器件的方式实现水平方向的单片异质集成；本发明可以使氮化镓和砷化镓射频器件具有极小的空间间距，减少了高频下长距离传输信号的损耗和寄生参数的影响，并且减小了芯片面积与芯片体积，减少了封装成本。
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公开(公告)号：CN119562532A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411675212.X
申请日：2024-11-21
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种p‑Ga2O3/n‑Ga2O3pn结二极管及制备方法，解决氧化镓p型掺杂困难，异质结二极管漏电流大和耐压低的问题。本发明自下而上包括:阴极金属，衬底，n型Ga2O3外延层，n型Ga2O3外延层上方设有p型NiO层，n型Ga2O3外延层与p型NiO层间设有p型Ga2O3材料层，构成氧化镓同质pn结。制备方法：清洗外延片、制备p型Ga2O3材料层、制备阴极金属、光刻、淀积p型NiO薄膜、光刻、制备阳极金属。本发明通过对氧化镓外延层上方进行N/P离子注入，再通过高温退火使得Ga2O3中Ga原子析出及再反应形成有效的p型特性，同时与p型氧化镍的p型特性相结合，用简单工艺实现了氧化镓的p型掺杂，得到了氧化镓同质pn结，可靠性高，漏电流小，用于制备高耐压的p‑Ga2O3/n‑Ga2O3pn结二极管。
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公开(公告)号：CN119053239A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411159272.6
申请日：2024-08-22
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
IPC: H10N97/00
Abstract: 一种高密度半导体晶圆MIM电容，包含衬底层，沿衬底层的一侧依次设置有半导体外延层、底电极层、上电容介质层、顶电极层，衬底层和半导体外延层中设置有贯穿衬底层和半导体外延层且深度直至底电极层的背通孔，背通孔内表面和与衬底层相邻的外表面沿远离底电极层的方向设置背通孔内金属层、下电容介质层、背面金属层，底电极层和顶电极层之间形成正面常规MIM电容，背通孔内金属层和背面金属层间形成背通孔MIM电容；本发明还公开了该电容的制备方法；通过正面常规MIM电容和背通孔中制备的背通孔MIM电容，能增加有效的电极表面积；本发明将芯片背面利用起来，正面常规MIM电容和背通孔MIM电容结合可以实现更高的电容值，达到节约芯片面积，降低成本的目的。
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公开(公告)号：CN119008624A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411073226.4
申请日：2024-08-06
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
IPC: H01L27/07 , H01L27/06 , H01L21/8252 , H01L27/02
Abstract: 本发明公开了一种增强型SiC衬底GaN双向阻断器件及其制备方法，该器件中MOSFET和HEMT共享AlN缓冲层，AlN缓冲层叠加于SiC衬底之上。MOSFET和HEMT之间设有隔离槽，隔离槽深入至AlN缓冲层的上部，MOSFET的源电极和HEMT的栅电极通过第一金属互联条互连，MOSFET的漏电极和HEMT的源电极通过第二金属互联条互连。HEMT的漏电极深入至该HEMT的沟道层，通过漏电极和沟道层表面二维电子气的直接接触，降低了漏电极肖特基势垒高度，从而降低了器件的开启电压，同时提升了器件的正向和反向击穿电压，提供了一种高性能的增强型SiC衬底GaN双向阻断器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117220632A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311022079.3
申请日：2023-08-14
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种具有埋入式电极的双层薄膜声表面波器件，涉及表面波器件技术领域。器件从下至上依次包括：衬底、压电薄膜、压电覆盖层；在压电薄膜内，从上表面自下设置有若干均匀分布的凹槽，且凹槽下表面与压电薄膜下表面不接触，在凹槽内嵌有叉指电极，叉指电极和凹槽高度相同；其中，叉指电极通过压电薄膜以及压电覆盖层的压电效应，完成信号的转换并以声表面波形式传播。该声表面波器件，能减小布拉格反射和声学散射，从而产生更剧烈的位移，SAW能被更有效的激发，能够有效提高叉指换能器的能量转换效率，增强机电耦合系数；同时更容易降低由于叉指电极表面和压电薄膜上表面暴露在空气中对器件特性产生的影响，降低损耗。
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公开(公告)号：CN115910781A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211434356.7
申请日：2022-11-16
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H01L21/335 , H01L21/56 , H01L21/683 , H01L29/20
Abstract: 本发明公开了大尺寸晶圆透明GaN HEMT器件的制备方法，具体为：在大尺寸硅基氮化镓HEMT晶圆上进行系列器件制备工艺，包括欧姆电极制备、台面隔离和肖特基栅极制备等；在正面工艺结束后将晶圆翻转临时键合到载片上；将硅基氮化镓HEMT晶圆的硅衬底去除；然后将透明衬底与氮化镓异质晶圆紧密地结合起来；最后解晶圆正面的临时键合。本发明的方法，借助硅基氮化镓HEMT晶圆，可以实现6英寸、8英寸或者更大尺寸晶圆制备；在硅衬底上完成外延生长和器件制备后将其转移到透明衬底上，保证了整体透明性，避免了直接在透明衬底晶圆上加工GaN HEMT器件。
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公开(公告)号：CN115117209A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210769781.5
申请日：2022-07-01
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓异质结双极型光子晶体管及其制备方法，包括：衬底；以及依次设置于衬底上的成核层、缓冲层；集电区，设置于缓冲层上；集电极，设置于集电区上的一端；下多量子阱层，设置于集电区上的另一端；集电极与下多量子阱层之间存在间隔；基区，设置于下多量子阱层上；基极，设置于基区上的一端；其中，基极和集电极设置于同一侧；上多量子阱层，设置于基区上的另一端；基极与上多量子阱层之间存在间隔；发射区，设置于上多量子阱层上；发射极，设置于发射区上的一端；发射极与集电极设置于不同侧；其中，集电区、下多量子阱层、基区、上多量子阱层和发射区的材料均为三族氮化物。本发明同时具有晶体管和LED的功能。
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公开(公告)号：CN113921596A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202110970797.8
申请日：2021-08-23
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H01L29/40 , H01L29/872 , H01L21/265 , H01L21/266 , H01L21/329
Abstract: 本发明涉及一种氟离子注入场环氮化镓准垂直肖特基二极管及其制备方法，该二极管包括：衬底层；外延层，设置在衬底层上，外延层包括自下而上依次层叠设置的缓冲层、导通层和势垒层，势垒层位于导通层上表面的中部；阳极，设置在势垒层上；阴极，位于导通层上未被势垒层覆盖的区域，势垒层的两侧面，以及势垒层的部分上表面；势垒层内间隔设置有若干氟注入场环，氟注入场环位于阳极和阴极之间。本发明的氟离子注入场环氮化镓准垂直肖特基二极管，将带负电荷的氟离子作为场限制环结合到三族氮化物中，制备准垂直结构的侧壁肖特基势垒金属阴极，解决了肖特基金属淀积边缘电场线拥挤的问题，从而解决准垂直肖特基二极管过早击穿的问题。
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公开(公告)号：CN119968111A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510110999.3
申请日：2025-01-23
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种具有纳米孔的阵列化忆阻器射频开关器件及制备方法，主要解决现有开关响应时间过长和忆阻器在阵列化时同一批次器件响应时间差异过大的问题。方案包括：高电阻硅衬底、金属粘附层、底部电极、阻变层材料和顶部电极；其中底部电极与顶部电极之间由阻变层材料隔开；顶部电极为包括下台阶和上台阶的台阶型，且上台阶、阻变层材料和底部电极自上而下分布构成忆阻器；晶圆级阻变层材料通过CVD在Cu/蓝宝石基底上生长，湿法转移到底部电极上后经过阵列化He+离子注入工艺处理。本发明可大规模制备忆阻器射频器件，能降低器件开关响应时间、减小阵列化忆阻器射频开关器件之间的差异性，可用于射频前端系统。
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