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公开(公告)号：CN104674191B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310712741.8
申请日：2013-12-20
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明公开一种多模式薄膜沉积设备以及薄膜沉积方法。多模式薄膜沉积设备包括反应腔室、承载座、气体喷洒头、惰性气体供应源、第一进气系统与第二进气系统。承载座设置于反应腔室中。气体喷洒头具有气体混合室与位于气体混合室一侧的多个气孔，且气孔朝向承载座使气体混合室与反应腔室连通。第一进气系统连接于反应腔室并提供第一薄膜沉积模式时所需的第一制作工艺气体。惰性气体供应源连接于气体混合室，提供惰性气体。第二进气系统连接于气体混合室并提供第二薄膜沉积模式时所需的第二制作工艺气体。
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公开(公告)号：CN104674191A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201310712741.8
申请日：2013-12-20
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: C23C16/455
CPC classification number: C23C16/4583 , C23C16/455 , C23C16/45536 , C23C16/45544 , C23C16/45548 , C23C16/50 , C23C16/505 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L51/5253
Abstract: 本发明公开一种多模式薄膜沉积设备以及薄膜沉积方法。多模式薄膜沉积设备包括反应腔室、承载座、气体喷洒头、惰性气体供应源、第一进气系统与第二进气系统。承载座设置于反应腔室中。气体喷洒头具有气体混合室与位于气体混合室一侧的多个气孔，且气孔朝向承载座使气体混合室与反应腔室连通。第一进气系统连接于反应腔室并提供第一薄膜沉积模式时所需的第一制作工艺气体。惰性气体供应源连接于气体混合室，提供惰性气体。第二进气系统连接于气体混合室并提供第二薄膜沉积模式时所需的第二制作工艺气体。
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公开(公告)号：CN202610322U
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201220174122.9
申请日：2012-04-23
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: C23C16/455
Abstract: 一种气体喷洒头，至少包括一喷洒头主体，其特征在于：喷洒头主体具有一气体作用表面及多个进气孔，进气孔是沿气体作用表面上的两垂直方向呈45度角对称分布，且进气孔总个数在980个～1050个之间。部份进气孔的位置被多个观察孔取代，且该些观察孔呈直线排列。
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公开(公告)号：CN202610324U
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201220177033.X
申请日：2012-04-24
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: C23C16/455
Abstract: 本实用新型是一种气体喷洒头，包括一喷洒头主体，其特征在于：喷洒头主体具有气体作用表面与位于气体作用表面上的多个进气孔，其中各进气孔包括一第一进气道与开设于第一进气道周围的至少一第二进气道，且第一进气道的进气面积与第二进气道的进气面积的比例在1∶1.5～1∶2.5之间。在进气孔的进气方向上，第一进气道的长度比第二进气道的长度多0.5mm～1.5mm。
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公开(公告)号：CN202610323U
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201220176888.0
申请日：2012-04-24
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: C23C16/455
Abstract: 一种气体喷洒模块，包括喷洒头主体、供气板、气体分布板以及气体喷洒板。喷洒头主体具有气体喷洒面和与其相对的进气面。供气板设于进气面，具有至少一第一气孔。气体分布板设于气体喷洒面与进气面之间的喷洒头主体内，具有多个第二气孔。气体喷洒板设于气体喷洒面，具有多个第三气孔。供气板与气体分布板的间距、气体分布板与气体喷洒板的间距介于7-9mm。第一气孔与第二气孔数量之比例、第二气孔与第三气孔数量的比例介于1∶4-1∶100。第二气孔的数量介于900个-1050个。第二气孔是沿气体分布板的表面上的两垂直方向呈45度角对称分布。
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