-
公开(公告)号：CN116247092A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202111588514.X
申请日：2021-12-23
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: H01L29/778 , H01L29/15 , H01L21/335
Abstract: 本发明提供一种高电子迁移率晶体管元件，至少包括AlN成核层、超晶格复合层、GaN电子传递层以及AlGaN阻挡层。所述超晶格复合层设置于所述AlN成核层上，且所述超晶格复合层包含交互堆叠的数层AlN层与数层GaN层，以降低元件应力。所述GaN电子传递层设置于所述超晶格复合层上，所述AlGaN阻挡层则设置于所述GaN电子传递层上。
-
公开(公告)号：CN106163069A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201510171039.4
申请日：2015-04-13
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: H05H1/46 , C23C16/505
CPC classification number: H01J37/32532 , H01J37/32082 , H01J37/32568 , H01J37/32577
Abstract: 本发明公开一种无碳刷旋转等离子体电极结构及一种镀膜系统。无碳刷旋转等离子体电极结构包括本体、多个导引部以及多个导通件。本体包括多个电极部。电极部的周缘设置第一凸出部。导引部贯穿于电极部。各导通件包括第二凸出部，第一凸出部与第二凸出部具有一间隔。
-
公开(公告)号：CN112781828B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202010032170.3
申请日：2020-01-13
Applicant: 财团法人工业技术研究院
Abstract: 本发明公开一种流场可视化观测装置与流场可视化观测方法。该流场可视化观测装置包括腔体、电源供应器、至少一对电极以及至少一流场观测模块。所述流场观测模块包括高速摄像机、光检测组件以及滤光组件。电源供应器输出等离子体产生用的电压，所述对电极设置在腔体内。流场观测模块则设置在腔体外并朝腔体拍摄等离子体所激发的流体粒子图像。滤光组件设置在高速摄像机与述腔体之间。光检测组件取得腔体内的光信息，并传送至滤光组件。
-
公开(公告)号：CN102315087A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201010221062.7
申请日：2010-06-30
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: H01L21/00
Abstract: 本发明提供一种表面处理装置及其方法，该表面处理装置包括有工艺腔体、传输腔体以及等离子体产生装置。该工艺腔体，其提供一沉积制作工艺。该传输腔体，其耦接于该工艺腔体的一侧，该传输腔体上开设有一开槽以提供容置该等离子体产生装置。该等离子体产生装置产生等离子体并将等离子体导引至该传输腔体内。利用该表面处理装置，本发明更提供一种表面处理方法，当一基板在该工艺腔体内完成沉积制作工艺之后，由该工艺腔体进入该传输腔体的过程中，使该等离子体产生装置产生等离子体以对该沉积层进行表面平坦化处理。
-
公开(公告)号：CN111182707A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201811567521.X
申请日：2018-12-20
Applicant: 财团法人工业技术研究院
Abstract: 本发明公开一种流场可视化装置、流场观测方法与等离子体产生器，其中该流场可视化装置包括腔体、电源供应器、至少一对电极以及至少两个高速摄影机。电源供应器输出等离子体产生用的电压，所述对电极则设置于腔体内。所述至少一对电极具有第一电极与第二电极，第一电极具有数个第一尖端、第二电极具有数个第二尖端，且第一尖端与第二尖端互相对准。所述至少一对电极通过来自电源供应器的电压激发腔体内的气体而产生周期性疏密分布的等离子体。高速摄影机则设置于腔体外并位于相对所述对电极的不同方向，以拍摄不同维度的影像。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108004507A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201611207948.X
申请日：2016-12-23
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: C23C14/24
Abstract: 本发明公开一种蒸镀设备与利用此设备的一种蒸镀方法，包括设置有一蒸镀腔室，一蒸镀源，一承载装置以及一流体扰动装置。蒸镀腔室具有一蒸镀空间，蒸镀源设置于蒸镀空间中的下方，蒸镀源适于容纳蒸镀源材料。承载装置以一参考轴为中心、可旋转地设置于蒸镀空间中的上方，且与蒸镀源相对；承载装置适于承载待镀物并使待镀物位于蒸镀源与承载装置之间。流体扰动装置适于在蒸镀空间中，朝向承载装置注入一经扰动后的流体。
-
公开(公告)号：CN104674191B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310712741.8
申请日：2013-12-20
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明公开一种多模式薄膜沉积设备以及薄膜沉积方法。多模式薄膜沉积设备包括反应腔室、承载座、气体喷洒头、惰性气体供应源、第一进气系统与第二进气系统。承载座设置于反应腔室中。气体喷洒头具有气体混合室与位于气体混合室一侧的多个气孔，且气孔朝向承载座使气体混合室与反应腔室连通。第一进气系统连接于反应腔室并提供第一薄膜沉积模式时所需的第一制作工艺气体。惰性气体供应源连接于气体混合室，提供惰性气体。第二进气系统连接于气体混合室并提供第二薄膜沉积模式时所需的第二制作工艺气体。
-
公开(公告)号：CN108004507B
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201611207948.X
申请日：2016-12-23
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: C23C14/24
Abstract: 本发明公开一种蒸镀设备与利用此设备的一种蒸镀方法，包括设置有一蒸镀腔室，一蒸镀源，一承载装置以及一流体扰动装置。蒸镀腔室具有一蒸镀空间，蒸镀源设置于蒸镀空间中的下方，蒸镀源适于容纳蒸镀源材料。承载装置以一参考轴为中心、可旋转地设置于蒸镀空间中的上方，且与蒸镀源相对；承载装置适于承载待镀物并使待镀物位于蒸镀源与承载装置之间。流体扰动装置适于在蒸镀空间中，朝向承载装置注入一经扰动后的流体。
-
公开(公告)号：CN104674191A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201310712741.8
申请日：2013-12-20
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: C23C16/455
CPC classification number: C23C16/4583 , C23C16/455 , C23C16/45536 , C23C16/45544 , C23C16/45548 , C23C16/50 , C23C16/505 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L51/5253
Abstract: 本发明公开一种多模式薄膜沉积设备以及薄膜沉积方法。多模式薄膜沉积设备包括反应腔室、承载座、气体喷洒头、惰性气体供应源、第一进气系统与第二进气系统。承载座设置于反应腔室中。气体喷洒头具有气体混合室与位于气体混合室一侧的多个气孔，且气孔朝向承载座使气体混合室与反应腔室连通。第一进气系统连接于反应腔室并提供第一薄膜沉积模式时所需的第一制作工艺气体。惰性气体供应源连接于气体混合室，提供惰性气体。第二进气系统连接于气体混合室并提供第二薄膜沉积模式时所需的第二制作工艺气体。
-
公开(公告)号：CN102465281A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010572071.0
申请日：2010-12-02
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: C23C16/455 , C23C16/448
CPC classification number: C23C16/18 , C23C16/4482 , C23C16/4486 , Y10T137/6416
Abstract: 本发明公开一种镀膜系统与方法及其所使用的供气装置。其中该镀膜系统与方法是将一镀膜装置与多个供气装置组合形成一镀膜系统，利用不同的供气装置提供不同的高浓度、高容量的先驱物气体进入镀膜装置的腔体内，使镀膜反应加速，进而提高镀膜效率。其中，在一实施例中，该镀膜系统所使用的供气装置，其是通过一第一气体将先驱物液体传送至一加热单元内，以使该先驱物雾化之后，再进行气化，再通过一第二气体输送此高浓度、高容量的先驱物气体进入镀膜装置内。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
14
records
(took 0.04 seconds)
