公开(公告)号：CN101534047A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200910127607.5

申请日：2009-03-11

Applicant: 通用电气公司

Inventor： M·J·舒滕 ,  R·L·施泰格瓦德 ,  J·S·格拉泽 ,  J·A·萨巴特 ,  M·A·德罗伊

IPC: H02M1/14

CPC classification number: H02M1/126 ,  H02M1/4225 ,  Y02B70/126 ,  Y02E10/56

Abstract: 本发明名称为升压变换器输入纹波电流降低电路，公开了一种升压电感器值降低电路(12)，被集成入传统的升压功率变换器(10)中以极大地降低来自被反馈至升压功率变换器(10)输入侧的不合需要的高频谐波。当将升压电感器值降低电路(12)与传统滤波器技术相比时，升压电感器值降低电路(12)是非常小的，比传统滤波器技术更便宜并且没有降低升压功率变换器的控制性能。该技术也可以用于降低升压电感器(18)的尺寸，同时不牺牲在能量效率敏感应用中使用的转换器性能，例如光伏逆变器。

公开(公告)号：CN1797765A

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN200510127249.X

申请日：2005-11-24

Applicant: 通用电气公司

Inventor： L·D·斯特瓦诺维克 ,  E·C·德尔加多 ,  M·J·舒滕 ,  R·A·博普雷 ,  M·A·德鲁伊

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L24/49 ,  H01L23/3735 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L25/071 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48139 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13063 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/147 ,  H05K3/0061 ,  H05K3/361 ,  H05K2201/044 ,  H05K2201/0715 ,  H05K2201/10189 ,  H05K2201/10287 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种功率模块(10)，包括衬底(12)，该衬底(12)包括上层(16)、电绝缘体(26)和热耦合层(28)。上层包括导电图案(17)并且被构成为接收功率器件(14)。电绝缘体设置在上层和热耦合层之间。热耦合层被构成为与散热片热耦合。该功率模块还包括至少一个薄层互连(18)，该薄层互连包括第一和第二导电层(20、24)以及设置在第一和第二导电层之间的绝缘层(22)。薄层互连的该第一导电层电连接到衬底的上层。电连接(42)将功率器件的顶面(19)连接到薄层互连的第二导电层。

公开(公告)号：CN1290404A

公开(公告)日：2001-04-04

申请号：CN99802681.6

申请日：1999-11-23

Applicant: 通用电气公司

Inventor： A·埃拉塞尔 ,  M·J·舒滕

IPC: H01L29/739

CPC classification number: H01L29/1095 ,  H01L29/7395

Abstract: 一种IGBT适用于ZVS工作,所以显著减少了ZVS工作期间的开关损耗。实际上,IGBT适用于作为具有非常小双极晶体管元件的MOSFET工作。通过减少传导期间注入到器件的少子数量,可以减少开关损耗。此外,该ZVS IGBT结构允许在工作温度升高时存储电荷少量增加,允许器件在较高温下以较低开关损耗工作。此外ZVS IGBT结构允许工作温度升高时存储的电荷少量增加,允许器件在较高的温度下以较低的开关损耗工作。

公开(公告)号：CN102545446A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110461806.7

申请日：2011-12-23

Applicant: 通用电气公司

Inventor： M·J·舒滕 ,  M·R·沙 ,  S·普拉巴卡兰 ,  R·J·托马斯

IPC: H02K3/42 ,  H02K3/34

CPC classification number: H02K3/345 ,  H02K3/487 ,  H02K11/01 ,  H02K11/022 ,  H02M1/44 ,  H02M2001/123

Abstract: 本发明涉及最小化电磁干扰的电马达结构。一种电马达(128)构造成带有定子芯部组件，其包括具有多个绕组缝的定子芯部。多个定子绕组经过多个绕组缝，其包括构造成提供围绕多个定子绕组的静电屏蔽的缝衬垫。静电屏蔽称为电气位置(124)以降低与电马达(128)相关联的共模电流。

公开(公告)号：CN100524737C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200510127249.X

申请日：2005-11-24

Applicant: 通用电气公司

Inventor： L·D·斯特瓦诺维克 ,  E·C·德尔加多 ,  M·J·舒滕 ,  R·A·博普雷 ,  M·A·德鲁伊

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L24/49 ,  H01L23/3735 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L25/071 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48139 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13063 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/147 ,  H05K3/0061 ,  H05K3/361 ,  H05K2201/044 ,  H05K2201/0715 ,  H05K2201/10189 ,  H05K2201/10287 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及功率模块、相脚和三相变换器。一种功率模块(10)，包括衬底(12)，该衬底(12)包括上层(16)、电绝缘体(26)和热耦合层(28)。上层包括导电图案(17)并且被构成为接收功率器件(14)。电绝缘体设置在上层和热耦合层之间。热耦合层被构成为与散热片热耦合。该功率模块还包括至少一个薄层互连(18)，该薄层互连包括第一和第二导电层(20、24)以及设置在第一和第二导电层之间的绝缘层(22)。薄层互连的该第一导电层电连接到衬底的上层。电连接(42)将功率器件的顶面(19)连接到薄层互连的第二导电层。

公开(公告)号：CN1983779A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200610172384.0

申请日：2006-11-14

Applicant: 通用电气公司

Inventor： M·J·舒滕 ,  R·L·施泰格瓦尔德 ,  G·P·科斯特 ,  J·J·纳萨多斯基

IPC: H02M1/08 ,  H02M7/48 ,  H02M7/5387

CPC classification number: H03K17/78 ,  H03K17/0412 ,  H03K2217/0036

Abstract: 提供了一种用于控制第一半导体开关(52)的光供电驱动电路(40)及方法。该光供电驱动电路(40)包括光生伏打电池(100)，其被配置成接收来自纤维光缆(14)的第一光信号并响应该第一光信号输出第一电压。该光供电驱动电路(40)还包括能量存储装置(102)，其与光生伏打电池(100)电耦接，其被配置成存储从第一电压接收的电能并输出第二电压。该光供电驱动电路(40)还包括与光生伏打电池(100)和能量存储电路(102)都电耦接的电路。该电路通过第二电压供电。将该电路配置成接收第一电压并响应该第一电压输出第三电压，用于控制第一半导体开关(52)的操作。