公开(公告)号：CN104867893B

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201510084864.0

申请日：2015-02-17

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A.比尔纳 ,  H.布雷希 ,  S.格尔 ,  R.威尔逊 ,  M.齐格尔德伦

IPC: H01L23/485 ,  H01L27/06

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L23/4824 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L24/05 ,  H01L24/09 ,  H01L28/40 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7816 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/0616 ,  H01L2224/0912 ,  H01L2224/48195 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/1205 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13063 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0001

Abstract: 具有电容耦合的接合焊盘的功率晶体管管芯。一种功率晶体管管芯包括形成在半导体本体中的晶体管。该晶体管具有栅极端子、输出端子和第三端子。栅极端子控制输出端子和第三端子之间的导电通道。功率晶体管管芯进一步包括布置在半导体本体上并与该半导体本体绝缘的结构化的第一金属层。该结构化的第一金属层连接到晶体管的输出端子。功率晶体管管芯还包括布置在半导体本体上并与该半导体本体绝缘的第一接合焊盘。第一接合焊盘形成功率晶体管管芯的输出端子并电容耦合到结构化的第一金属层以便在晶体管的输出端子和第一接合焊盘之间形成串联电容。还提供了一种包括该功率晶体管管芯的功率半导体封装。

公开(公告)号：CN104160506B

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201280068875.4

申请日：2012-12-03

Applicant: 创世舫电子有限公司

Inventor： 吴毅锋 ,  芮成海

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/498 ,  H01L23/488 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H03K17/16

CPC classification number: H01L23/49838 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/552 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/80 ,  H01L24/85 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/072 ,  H01L25/074 ,  H01L25/50 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0883 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48105 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48249 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/30107 ,  H03K17/161 ,  H03K17/162 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/00012

Abstract: 描述了电子模块以及形成和操作该模块的方法。模块包括电容器、第一开关器件和第二开关器件。电子模块进一步包括诸如DBC基板的基板，其包括在第一金属层和第二金属层之间的绝缘层，并且可以包括彼此堆叠的多层DBC基板。第一金属层包括通过贯穿在两个部分之间的第一金属层形成的沟槽而彼此隔开的第一部分和第二部分。第一和第二开关器件在第一金属层上方，并且电容器的第一端子电连接到第一金属层的第一部分，并且电容器的第二端子电连接到第一金属层的第二部分，并且电容器在沟槽上延伸。

公开(公告)号：CN103311290B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201210576962.2

申请日：2012-12-26

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 尾崎史朗

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/51 ,  H01L21/335 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/28264 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/401 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。具体而言，提供一种制造半导体器件的方法，可以在衬底上形成氮化物半导体层，通过ALD的蒸汽氧化在氮化物半导体层上形成第一绝缘层，通过ALD的氧等离子体氧化在第一绝缘层上形成第二绝缘层，在第二绝缘层上形成栅电极，以及在氮化物半导体层上形成源电极和漏电极。该氮化物半导体层可以包括在衬底上的第一半导体层和在第一半导体层上的第二半导体层。

公开(公告)号：CN104465558A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410412630.X

申请日：2014-08-20

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 里见明洋

IPC: H01L23/40 ,  H01L23/13

CPC classification number: H01L23/3736 ,  H01L23/367 ,  H01L23/564 ,  H01L23/66 ,  H01L24/46 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2223/6655 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48157 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/142 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体封装件以及半导体装置。一实施例的半导体封装件具备基底金属部、框架体、多根配线以及盖体。所述基底金属部在背面具有多个沟槽，并在正面可搭载半导体芯片。所述框架体配置在所述基底金属部的正面上。所述多根配线设置成贯通所述框架体的侧面。所述盖体配置在所述框架体上。

公开(公告)号：CN104409431A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201410577484.6

申请日：2014-10-24

Applicant: 苏州能讯高能半导体有限公司

Inventor： 裴轶 ,  周梦杰 ,  张乃千

IPC: H01L23/367

CPC classification number: H01L29/41758 ,  H01L23/373 ,  H01L23/3736 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/20 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/401 ,  H01L29/413 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/452 ,  H01L29/475 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，包括衬底，位于衬底上的多层半导体层，多层半导体层包括有源区和无源区，位于有源区的源极和漏极及无源区的源电极和漏电极，位于有源区上的栅极和无源区上的栅电极，所述源极、漏极和栅极和/或所述源电极、漏电极和栅电极设置有石墨烯散热层。由于石墨烯优良的散热特性，加快局部热源的热量沿横向传输，增加器件的散热途径，从而改善半导体器件的散热效果，降低半导体器件内部的温度，提高半导体器件可靠性。

公开(公告)号：CN102480272B

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201110384941.6

申请日：2011-11-28

Applicant: NXP股份有限公司

Inventor： 伊戈尔·布莱德诺夫

IPC: H03F3/189 ,  H03F1/07

CPC classification number: H03F3/195 ,  H01L23/64 ,  H01L23/66 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/0655 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2223/6627 ,  H01L2223/6644 ,  H01L2223/6655 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13051 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/30111 ,  H01L2924/3025 ,  H03F1/0288 ,  H03F1/565 ,  H03F3/211 ,  H03F2200/15 ,  H03F2200/168 ,  H03F2200/451 ,  H03F2203/21112 ,  H03F2203/21157 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明涉及高功率射频放大器，特别涉及多赫蒂放大器电路，本发明的示例性实施例包括具有工作频率的集成射频放大器(1200)，该放大器包括第一和第二多赫蒂放大器(1201a，1201b)，每个多赫蒂放大器包括主器件和峰值器件，主器件和峰值器件通过相应的相移元件在各自的输入和输出处连接的主器件和峰值器件，相移元件配置为在工作频率下提供90度的相移，其中放大器(1200)的输入(1202)连接到第一多赫蒂放大器(1201a)的主器件的输入，放大器的输出(1205)连接到第一和第二多赫蒂放大器(1201a，1201b)的峰值器件的输出，第一多赫蒂放大器(1201a)的峰值器件输入通过相移元件(1204)连接到第二多赫蒂放大器(1201b)的主器件输入，该相移元件配置为在工作频率下提供90度的相移。

公开(公告)号：CN104160506A

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201280068875.4

申请日：2012-12-03

Applicant: 创世舫电子有限公司

Inventor： 吴毅锋 ,  芮成海

IPC: H01L27/00 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L23/49838 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/552 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/80 ,  H01L24/85 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/072 ,  H01L25/074 ,  H01L25/50 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0883 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48105 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48249 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/30107 ,  H03K17/161 ,  H03K17/162 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/00012

Abstract: 描述了电子模块以及形成和操作该模块的方法。模块包括电容器、第一开关器件和第二开关器件。电子模块进一步包括诸如DBC基板的基板，其包括在第一金属层和第二金属层之间的绝缘层，并且可以包括彼此堆叠的多层DBC基板。第一金属层包括通过贯穿在两个部分之间的第一金属层形成的沟槽而彼此隔开的第一部分和第二部分。第一和第二开关器件在第一金属层上方，并且电容器的第一端子电连接到第一金属层的第一部分，并且电容器的第二端子电连接到第一金属层的第二部分，并且电容器在沟槽上延伸。

公开(公告)号：CN103339637A

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：CN201180067117.6

申请日：2011-11-21

Applicant: 科锐

Inventor： S.伍德 ,  B.米隆

IPC: G06G7/12

CPC classification number: H01L23/642 ,  H01L23/66 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2223/6644 ,  H01L2223/6655 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13063 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/30111 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599

Abstract: 一种封装RF晶体管器件包括RF晶体管管芯，所述RF晶体管管芯包括多个RF晶体管单元。所述多个RF晶体管单元中的每一个包括控制端子和输出端子。所述RF晶体管器件进一步包括：RF输入引线；以及输入匹配网络，被耦合在所述RF输入引线与所述RF晶体管管芯之间。所述输入匹配网络包括具有相应输入端子的多个电容器。所述电容器的输入端子被耦合至所述RF晶体管单元中相应的RF晶体管单元的控制端子。所述输入匹配网络进一步包括分别被耦合在所述电容器的相邻输入端子之间的多个电阻器。

公开(公告)号：CN102956629A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201210202024.6

申请日：2012-06-06

Applicant: 英特赛尔美国有限公司

Inventor： F·希伯特 ,  S·R·里韦特 ,  M·艾尔萨 ,  P·奥克兰德

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/495 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L25/18 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/367 ,  H01L23/3732 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49517 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/645 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32013 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06558 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/10162 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1425 ,  H01L2924/14253 ,  H01L2924/1426 ,  H01L2924/181 ,  Y10T29/49121 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/206

Abstract: 本文公开的实施方案提供一种电路，所述电路包括具有有源侧和背侧的第一芯片，其中所述第一芯片是以倒装晶片方式安装到载体。所述电路也包括堆叠在所述第一芯片的所述背侧上的第二芯片，其中所述第二芯片堆叠在所述第一芯片上，使得所述第二芯片的背侧面向所述第一芯片的所述背侧，并且所述第二芯片的有源侧背对所述第一芯片。

公开(公告)号：CN102693914A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201210050652.7

申请日：2012-02-29

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 酒井泰治 ,  今泉延弘 ,  水越正孝

IPC: H01L21/335

CPC classification number: H01L24/81 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/75 ,  H01L2224/11013 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/75101 ,  H01L2224/81065 ,  H01L2224/81075 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/8183 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种制造半导体器件的方法，包括：通过对半导体元件的第一电极的表面进行处理来形成包括晶体的第一层；通过对该半导体元件安装在其上的安装元件的第二电极的表面进行处理来形成包括晶体的第二层；在第一温度下对在第一层上或第一层中存在的第一氧化膜以及在第二层上或第二层中存在的第二氧化膜进行还原，第一温度低于在第一电极中包含的第一金属以固态进行扩散的第二温度且低于在第二电极中包含的第二金属以固态发生扩散的第三温度；以及通过固相扩散将第一层和第二层彼此接合。