-
公开(公告)号：CN116002749B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202310048494.X
申请日：2023-01-31
Applicant: 郑州大学
IPC: C01G15/00 , C04B35/453 , C04B35/626 , C23C14/34
Abstract: 本发明公开了一种镧系稀土掺杂氧化铟锌纳米粉体的制备方法。该方法包括：分别配置设定浓度的镧系稀土盐水溶液、铟盐水溶液、锌盐水溶液和沉淀剂水溶液；将铟盐水溶液倒入反应器中；在搅拌条件下，滴加沉淀剂水溶液，当pH值达到3～5时，将镧系稀土盐水溶液加入反应器，滴加沉淀剂水溶液，当pH值达到6～8时，将锌盐水溶液加入反应器，滴加沉淀剂水溶液，当pH值达到9～11时，停止滴加沉淀剂水溶液，得到含镧系稀土掺杂的铟锌胶状沉淀的溶液；将含有镧系稀土掺杂的铟锌胶状沉淀的溶液升温搅拌熟化、冷却静置、分离洗涤，得到镧系稀土掺杂氧化铟锌的前驱体；将镧系稀土掺杂氧化铟锌的前驱体干燥、高温煅烧，得到镧系稀土掺杂氧化铟锌纳米粉体。
-
公开(公告)号：CN116716577A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310707873.5
申请日：2023-06-15
Applicant: 郑州大学
Abstract: 本发明公开了一种IZO薄膜及其制备方法。IZO薄膜的制备方法包括：将石英玻璃片粘贴在磁控溅射腔体内的基板上，将IZO靶材设置在磁控溅射腔体内，并调整IZO靶材与基板的距离为50～90mm；对磁控溅射腔体抽真空，至4～6×10‑4pa时，以一定流量向磁控溅射腔体内通入氩气或氧气和氩气的混合气体，其中，混合气体中氩气与氧气的体积比为40:1～4；调节磁控溅射腔体的溅射功率为60～120W、溅射气压为0.5～0.8pa、溅射时间为10～40min，对IZO靶材进行磁控溅射，得到IZO薄膜。
-
公开(公告)号：CN116575006A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310666464.5
申请日：2023-06-07
Applicant: 郑州大学
Abstract: 本发明公开了一种稀土掺杂氧化铟锌溅射膜靶及其制备方法。该制备方法包括步骤：S1、取设定量的铟盐溶液、锌盐溶液、稀土盐溶液混合，并加入设定量的纯水、稳定剂和有机溶剂，搅拌得到前驱体溶液；S2、将前驱体溶液旋涂在硅晶片上，对涂覆有前驱体溶液的硅晶片进行干燥；S3、干燥后的硅晶片在设定温度下退火处理，得到稀土掺杂氧化铟锌复合物薄膜；其中，退火处理的温度为200～400℃；S4、通过铟颗粒将稀土掺杂氧化铟锌复合物薄膜粘在钛背板上，得到稀土掺杂氧化铟锌溅射膜靶。本发明实施例公开的稀土掺杂氧化铟锌溅射膜靶的制备方法制备工艺简单，节省能耗，成型产品透光率高，电阻率低。
-
公开(公告)号：CN116253556A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202310073135.X
申请日：2023-02-07
Applicant: 郑州大学
IPC: C04B35/01 , C23C14/35 , C23C14/08 , H01L27/12 , C04B35/453 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B35/626
Abstract: 本发明实施例公开了氧化铟锡锌靶材的制备方法，包括：纳米氧化铟粉体、纳米氧化锡粉体和纳米氧化锌粉体按照设定比例混合，得到混合粉体；得到的混合粉体与设定比例的消泡剂、分散剂、粘结剂混合，然后依次经过高速分散处理、超声处理和球磨混合，得到混合浆料；混合浆料经过喷雾造粒，得到氧化铟、氧化锡、氧化锌混合粉体；得到的混合粉体经过放电等离子烧结；烧结得到的产物经过退火，得到氧化铟锡锌靶材。得到的氧化铟锡锌靶材载流子迁移率高，能够作为性能优良的原料制备性能优良的氧化物半导体和薄膜晶体管，在半导体显示技术领域有良好应用前景。
-
公开(公告)号：CN113956022A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111442278.0
申请日：2021-11-30
Applicant: 郑州大学
IPC: C04B35/01 , C04B35/622 , C23C14/08 , C23C14/34 , C23C14/35
Abstract: 本发明提供了一种锌掺杂氧化铟粉体、溅射靶材及其制备方法，属于新材料技术领域。本发明采用水热法一步合成了锌掺杂氧化铟的前驱体粉末，反应体系稳定，所得锌掺杂氧化铟粉体纯度高、晶型分布均匀，分散性好、结晶度高；该粉体烧结后所得溅射靶材晶粒尺寸细小、分布均匀、致密度高。本申请从粉体的制备，到成形及烧结工艺，整个流程简便，成本低，适于工业化生产。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109665834B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN201910156692.1
申请日：2019-03-01
Applicant: 郑州大学
IPC: C04B35/457 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种相组成可控的氧化铟镓锌靶材及其制备方法。制备方法包括：氧化铟粉末、氧化镓粉末、氧化锌粉末按照设定的摩尔比例混合，得到混合粉末；混合粉末与设定量的分散剂、粘结剂、球磨介质混合，利用球磨装置，控制球磨参数，进行球磨混合，得到混合物料；混合物料在造粒机上进行喷雾造粒；喷雾造粒得到的产物模压成型，得到靶材素坯；靶材素坯进行烧结，得到相组成可控的IGZO靶材。通过对制备过程中工艺参数的有效控制，根据原料摩尔比获得了物相单一且物相可控的高品质IGZO靶材，靶材中不含有其它杂相成分，晶粒间及内部不存在二次相组织，晶粒间结合致密，靶材致密度高，具有较高的产业利用价值。
-
公开(公告)号：CN110002853A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910351001.3
申请日：2019-04-28
Applicant: 郑州大学
IPC: C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/622 , C04B35/64 , C23C14/35 , C23C14/08
Abstract: 本发明公开了一种两步烧结工艺制备IGZO靶材的方法，包括：按比例定量In2O3、Ga2O3和ZnO三种氧化物粉体，与去离子水、稀释剂和粘结剂混合，制备成高固含量的IGZO浆料；IGZO浆料成型为IGZO陶瓷生坯体；IGZO陶瓷生坯体在温度600～800℃下脱脂；将脱脂后的IGZO陶瓷生坯体升温至第一步烧结温度1400～1500℃，然后，降温至第二步烧结温度1320～1360℃，在第二步烧结温度下保温8～14小时。模具简单，工艺操作简便，便于制备各种尺寸的靶材，生坯烧结性好，能够制备高密度、低电阻率、晶粒细小的IGZO陶瓷靶材，相对密度可达99.5％，电阻率低至1.59mΩ·cm，晶粒尺寸低至4.78μm，降低的烧结温度可以相应的降低生产成本，延长设备使用寿命，适用于工业化生产。
-
公开(公告)号：CN109468604A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201910026546.7
申请日：2019-01-11
Applicant: 郑州大学
Abstract: 本发明公开了一种高透射率IGZO薄膜的制备方法，该方法包括：基片处理步骤、预溅射步骤和镀膜步骤。本方法有效地提高了IGZO薄膜的透射率，无需对衬底进行加热或对IGZO透明导电薄膜进行后期热处理，避免了高温热处理过程对沉积IGZO透明导电薄膜的不耐高温的衬底的不利影响，制得的薄膜颗粒尺寸适宜、薄膜连续且均匀，薄膜表面平整、光滑，无孔洞等表面缺陷。降低了生产成本，简化了生产工艺，扩大了IGZO透明导电薄膜的推广领域和范围，具有巨大的工业价值。
-
公开(公告)号：CN108409340A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810466234.3
申请日：2018-05-16
Applicant: 郑州大学
IPC: C04B35/64 , C04B35/453 , C04B35/10
Abstract: 本发明公开了一种管状靶材的内旋转高温烧结方法，包括管状靶材素坯成型、加热烧结管状靶材素坯，加热过程中使管状靶材素坯处于旋转状态，以及，降温直至室温、得到烧结好的管状靶材。本发明实施例公开的管状靶材的内旋转高温烧结方法，能够制备出收缩均匀、无开裂、无烧结变形的管状靶材，制备方法简单，易于工业化应用。
-
公开(公告)号：CN111362298B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202010151073.6
申请日：2020-03-06
Applicant: 郑州大学
Abstract: 一种粒形可控的氧化铟球形粉体的制备方法，包括步骤：(1)将浓度为35～50％的硫酸溶液与金属铟反应，反应进行一定的时间，然后加入浓度为65～68％的硝酸溶液与金属铟反应，得到含有硫酸铟和硝酸铟的混合溶液体系；(2)调节混合溶液体系中铟离子的浓度在0.45～0.6M之间；(3)将混合溶液与沉淀剂进行沉淀反应，至溶液pH值为9～10之间，然后将溶液沉淀老化一定时间得到氢氧化铟前驱体浆料；(4)使用陶瓷膜过滤洗涤前驱体浆料，至洗涤过滤液的pH值为7～8之间、电导率小于等于50μS/cm时结束洗涤，得到纯化的前驱体试样；(5)将前驱体试样在80～130℃烘干；(6)将前驱体试样进行球磨，然后将前驱体在煅烧温度下进行煅烧，得到氧化铟粉体。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
55
records
(took 0.024 seconds)
