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公开(公告)号：CN116646303A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202211241999.X
申请日：2022-10-11
Applicant: 重庆中科渝芯电子有限公司 , 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明公开一种用等离子体和反应离子刻蚀制造双台阶型连接孔的方法，步骤包括：1)在衬底(1)上淀积第一介质层(2)；2)在第一介质层(2)上淀积第二介质层(3)；3)在第二介质层(3)上形成连接孔图形；4)刻蚀第二介质层(3)的连接孔图形，形成第一个台阶；5)刻蚀第一介质层(2)，形成第二个台阶；6)利用刻蚀工艺去除光刻图形；7)淀积金属层(4)，填充连接孔，引出电阻。本发明通过对刻蚀过程的控制，利用两种不同的介质的刻蚀速率差异在单次光刻的前提下形成了双台阶的连接孔形貌。
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公开(公告)号：CN102226989A
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN201110161889.8
申请日：2011-06-16
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H01L21/762 , H01L21/02 , B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种混合晶向硅衬底的制造方法。采用常规的硅硅晶片键合、光刻、腐蚀、常规外延、化学机械抛光和减薄工艺，就能制成混合晶向的硅衬底。只需使用一块掩膜版，无需淀积SiO2做为掩蔽层，不需做SPACER氧化和槽隔离。具有工艺简单、外延层生长速度稳定可控，材料表面平整、缺陷少等优点，具有高的压阻系数特性，对压力敏感。它适用于15～40V的高压模拟集成电路和MEMS器件的制造领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102664148B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201210153851.0
申请日：2012-05-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H01L21/306 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种湿法腐蚀NiCrSi膜的方法。本发明方法由于采用了单独用水枪近距离对硅片双面冲洗的步骤，有效解决了现有常规腐蚀方法中其硅片表面硫酸铈难以去除的问题；由于湿法腐蚀NiCrSi后生成物硫酸铈不溶于水，不适合常规腐蚀方法的一次腐蚀多个硅片，只能适合本发明的单片逐一腐蚀，因此本发明方法在原材料成本控制上优于常规腐蚀方法。本发明方法通过采用固定支架的培养皿，有效解决了常规方法的操作不便问题；通过采用单独放置硅片的带提手的工夹具，有效解决了常规腐蚀方法的过腐蚀问题。本发明方法在腐蚀NiCrSi膜后，硅片表面由硫酸铈造成的点子缺陷小于20个/视场，其加工的表面镜检合格率能达90%以上。
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公开(公告)号：CN102664148A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201210153851.0
申请日：2012-05-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H01L21/306 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种湿法腐蚀NiCrSi膜的方法。本发明方法由于采用了单独用水枪近距离对硅片双面冲洗的步骤，有效解决了现有常规腐蚀方法中其硅片表面硫酸铈难以去除的问题；由于湿法腐蚀NiCrSi后生成物硫酸铈不溶于水，不适合常规腐蚀方法的一次腐蚀多个硅片，只能适合本发明的单片逐一腐蚀，因此本发明方法在原材料成本控制上优于常规腐蚀方法。本发明方法通过采用固定支架的培养皿，有效解决了常规方法的操作不便问题；通过采用单独放置硅片的带提手的工夹具，有效解决了常规腐蚀方法的过腐蚀问题。本发明方法在腐蚀NiCrSi膜后，硅片表面由硫酸铈造成的点子缺陷小于20个/视场，其加工的表面镜检合格率能达90%以上。
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公开(公告)号：CN102110642A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN201010582112.4
申请日：2010-12-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H01L21/768 , H01L21/311
Abstract: 本发明涉及一种提高台阶金属覆盖率的通孔刻蚀方法。本发明方法通过调整牺牲层，即光致抗蚀剂的曝光显影及高温坚膜条件，在光致抗蚀剂上形成通孔图案，再以图案化的牺牲层作为掩蔽层，通过调整离子体刻蚀工艺的工艺条件参数，得到开口具有一定斜度且顶部轮廓圆滑的介质通孔。本发明方法的通孔处的台阶金属覆盖率达90％以上。本方法在一台等离子刻蚀机机上只用一种程序，一次形成通孔结构，生产效率大大提高，生产成本大幅降低。本发明方法广泛用于集成电路制造技术中的干法刻蚀领域。
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公开(公告)号：CN115842043A
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202211560545.9
申请日：2022-12-07
Applicant: 重庆中科渝芯电子有限公司
IPC: H01L29/08 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种带LS源极结构的平面MOSFET，包括第一导电类型的高掺杂衬底、第一导电类型高掺杂的外延层、阱区，所述第一导电类型的外延层覆盖于第一导电类型的高掺杂衬底上，外延层上制造有阱区，阱区内还制造有LOCOS源极区。本发明MOSFET器件通过引入LOCOS源极结构，可避免栅介质因强电场损伤，有效降低寄生三极管效应，提高器件的可靠性，同时还可有效降低栅源电容；其相应制造方法具有工艺实现简单、工艺效果可控、易重复的有益效果。
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公开(公告)号：CN115132652A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210777549.6
申请日：2022-07-01
Applicant: 重庆中科渝芯电子有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明公开一种用等离子体和反应离子刻蚀制造双台阶型连接孔的方法，步骤包括：1)在衬底(1)上淀积第一介质层(2)；2)在第一介质层(2)上淀积第二介质层(3)；3)在第二介质层(3)上形成连接孔图形；4)刻蚀第二介质层(3)的连接孔图形，形成第一个台阶；5)刻蚀第一介质层(2)，形成第二个台阶；6)利用刻蚀工艺去除光刻图形；7)淀积金属层(4)，填充连接孔，引出电阻。本发明通过对刻蚀过程的控制，利用两种不同的介质的刻蚀速率差异在单次光刻的前提下形成了双台阶的连接孔形貌。
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