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公开(公告)号：CN119677101A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411290838.9
申请日：2024-09-14
Applicant: 铠侠股份有限公司
Abstract: 本发明提供特性优异的半导体装置的制造方法和半导体制造装置。实施方式的半导体装置的制造方法具备以下工序：在基板上形成含有铟(In)的第1导电膜；在第1导电膜上形成第1绝缘膜；在第1绝缘膜上形成第2导电膜；在第2导电膜上形成第2绝缘膜；形成贯通第2绝缘膜、第2导电膜及第1绝缘膜、且到达第1导电膜的开口部；在开口部中形成与开口部的底面及侧面接触的第3绝缘膜；除去开口部的底的第3绝缘膜，使开口部的底的第1导电膜露出；进行选自采用含有硅(Si)的第1气体的第1处理及采用含有氧(O)的第2气体的第2处理中的至少任一项处理；在至少任一项处理后，在不使基板暴露在大气压以上的气氛中的情况下在开口部中形成半导体膜。
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公开(公告)号：CN118692904A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410200957.4
申请日：2024-02-23
Applicant: 铠侠股份有限公司
Abstract: 本实施方式涉及一种半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置的制造方法包括：将衬底搬入到成膜装置的腔室中，所述衬底包含具有露出铟的第1表面及露出金属的第2表面的结构；在第1温度下向所述腔室供给铟的还原气体；以及在供给所述还原气体之后，在高于所述第1温度的第2温度下向所述腔室供给膜形成用气体。
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公开(公告)号：CN116806096A
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202211630610.0
申请日：2022-12-19
Applicant: 铠侠股份有限公司
Abstract: 实施方式提供一种能提高特性的半导体装置及半导体存储装置。实施方式的半导体装置具备：半导体层，包含硅(Si)；第1绝缘层，设置在半导体层的第1方向；第2绝缘层，在与第1方向垂直的第1剖面中，由半导体层包围，包含硅(Si)及氧(O)；第3绝缘层，在第1剖面中由第2绝缘层包围，包含金属元素及氧(O)；及导电层，在与第1方向垂直的第2剖面中，由第1绝缘层包围，设置在第3绝缘层的第1方向，与半导体层分开。
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公开(公告)号：CN116314293A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211006451.7
申请日：2022-08-22
Applicant: 铠侠股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/06 , H01L29/417 , H01L29/78 , H10B12/00
Abstract: 实施方式提供能降低导通电阻的半导体装置及半导体存储装置。实施方式的半导体装置具备：第1电极；第2电极；氧化物半导体层，其设置在第1电极与第2电极之间；栅电极，其将氧化物半导体层包围；栅极绝缘层，其设置在栅电极与氧化物半导体层之间；第1绝缘层，其设置在第1电极与栅电极之间；以及第2绝缘层，其设置在第2电极与栅电极之间，在与从第1电极朝向第2电极的第1方向平行的截面中，将连结第1电极与第1绝缘层的界面的第1端部和第2电极与第2绝缘层的界面的第2端部的方向定义为第2方向，在截面中，氧化物半导体层的第1部分在第2方向上设置在栅极绝缘层与第1电极之间，在截面中，氧化物半导体层的第2部分在第2方向上设置在栅极绝缘层与第2电极之间。
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公开(公告)号：CN116949427A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310088366.8
申请日：2023-02-09
Applicant: 铠侠股份有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/44
Abstract: 本发明的实施方式涉及能够缩短成膜时间的成膜装置和成膜方法。实施方式的成膜装置具备：包含侧壁的腔室；设在腔室上部的喷淋头；设在腔室中并用于保持基板的保持器；向喷淋头供给第1气体的第1气体供给管；设在第1气体供给管上的第1阀；设在腔室的除喷淋头以外的区域上的气体供给部；向气体供给部供给第2气体的第2气体供给管；设在第2气体供给管上的第2阀；从腔室排出气体的气体排出管；以及与气体排出管连接的排气装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116864521A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202210993759.9
申请日：2022-08-18
Applicant: 铠侠股份有限公司
IPC: H01L29/417 , H01L29/78 , H10B12/00
Abstract: 实施方式提供晶体管特性优异的半导体器件以及半导体存储器件。实施方式的半导体器件具备：第1电极；第2电极；氧化物半导体层，其设置在第1电极与第2电极之间；栅电极，其将氧化物半导体层包围；以及栅极绝缘层，其设置在栅电极与氧化物半导体层之间，与第1电极分离，包含氮(N)。并且，从第1电极朝向第2电极的第1方向上的第1电极与栅极绝缘层之间的第1距离比第1方向上的第1电极与栅电极之间的第2距离小。
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公开(公告)号：CN114628398A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202110804572.5
申请日：2021-07-16
Applicant: 铠侠股份有限公司
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 本发明的实施方式提供一种能够适当地将包含金属元素的2个膜接近地配置的半导体装置。根据一实施方式，半导体装置具备：积层膜，交替地包含多个电极层与多个绝缘层；电荷存储层，介隔第1绝缘膜设置在所述积层膜内；半导体层，介隔第2绝缘膜设置在所述电荷存储层内；以及第1部分，在所述电极层与所述绝缘层之间及所述电极层与所述第1绝缘膜之间，介隔第3绝缘膜设置在所述绝缘膜及所述第1绝缘膜的表面。所述第3绝缘膜包含第1金属元素及第1元素，所述第1部分包含第2元素及第3元素。所述电极层具备：第1电极层，包含第2金属元素，设置在所述第1部分侧；以及第2电极层，包含第3金属元素，设置在所述第1部分的相反侧；所述第2元素与所述第3元素的电负性之差大于所述第1金属元素与所述第1元素的电负性之差。
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公开(公告)号：CN118693151A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202310964170.0
申请日：2023-08-02
Applicant: 铠侠股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/51 , H10B12/00
Abstract: 本发明的实施方式涉及半导体装置及半导体存储装置。实施方式的半导体装置具备：第1电极；第2电极；氧化物半导体层，设置于第1电极与第2电极之间，包括第1区域、第2区域以及位于第1区域与第2区域之间的第3区域；栅极电极，与第3区域对向；第1绝缘层，与第1区域对向；第2绝缘层，与第2区域对向；以及栅极绝缘层，设置于栅极电极与氧化物半导体层之间、第1绝缘层与氧化物半导体层之间以及第2绝缘层与氧化物半导体层之间，包含选自Al、Hf、Zr、La、Y、Zn、In、Sn以及Ga中的至少一个金属元素和氧(O)，具有与氧化物半导体层不同的化学组成。
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公开(公告)号：CN115835623A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202210077720.2
申请日：2022-01-24
Applicant: 铠侠股份有限公司
IPC: H10B12/00
Abstract: 本发明实施方式提供具备泄漏电流小的电容器绝缘膜的半导体存储装置。本发明实施方式的半导体存储装置具备：第一导电层与第二导电层之间的第一氧化物半导体层；将第一氧化物半导体层包围的第一栅极电极；第一电极，其与第二导电层电连接，包含Ti；第二电极，其将第一电极包围，包含Ti；第一电极与第二电极之间的第一电容器绝缘膜；与第一导电层电连接的第三导电层；第三导电层与第四导电层之间的第二氧化物半导体层；将第二氧化物半导体层包围的第二栅极电极；第三电极，其与第四导电层电连接，包含钛(Ti)；第四电极，其将第三电极包围，包含Ti；以及第三电极与第四电极之间的第二电容器绝缘膜。
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公开(公告)号：CN115132744A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202110928778.9
申请日：2021-08-13
Applicant: 铠侠股份有限公司
Inventor： 福田夏树 , 楢崎亮太 , 来栖贵史 , 神谷优太 , 松尾和展 , 森伸二 , 本田彰司 , 落合隆文 , 山下博幸 , 金山纯一 , 黄河 , 斋藤雄太 , 高桥恒太 , 石丸友纪 , 虎谷健一郎
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11575 , H01L27/11582 , H01L27/11524 , H01L27/11548 , H01L27/11556
Abstract: 实施方式提供能够实现高集成化的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：第1导电层，在第1方向上延伸；第2导电层，在第1方向上延伸，在第2方向上与第1导电层并排；第1绝缘层，设置于第1导电层与第2导电层之间；半导体层，在第2方向上延伸，在第3方向上与第1导电层、第2导电层以及第1绝缘层对置；第1电荷积蓄层，设置于第1导电层与半导体层之间；第2电荷积蓄层，设置于第2导电层与半导体层之间；第1高介电常数层，设置于第1导电层与第1电荷积蓄层之间；以及第2高介电常数层，设置于第2导电层与第2电荷积蓄层之间。第1电荷积蓄层中的至少一部分在第2方向上不隔着第2高介电常数层而与第2电荷积蓄层对置。
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