公开(公告)号：CN101124676A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200480024332.8

申请日：2004-07-28

Applicant: 高级技术材料公司

Inventor： 许从应 ,  托马斯·H·包姆 ,  米凯尔·B·科岑斯基

IPC: H01L23/58

CPC classification number: C23C18/122 ,  C23C18/00 ,  C23C18/08 ,  C23C18/1204 ,  C23C18/1208 ,  C23C18/1212 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1275 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76877 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及材料在基片上的超临界流体辅助沉积，所述基片例如用于制造集成电路装置的半导体基片。采用超临界流体基组合物而实现上述沉积，所述组合物含有待沉积于基片表面上的材料的前体。该方法允许使用对气相沉积方法因缺乏必需的挥发性和传送性而完全不适用于沉积应用的前体。

公开(公告)号：CN1902297A

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN200480039626.8

申请日：2004-11-30

Applicant: 高级技术材料公司

Inventor： 米凯尔·B·科岑斯基 ,  托马斯·H·鲍姆 ,  埃利奥多·G·根丘 ,  许从应

IPC: C09K13/00 ,  C09K13/04 ,  H01L21/302

CPC classification number: B81C1/00936 ,  B08B7/0021 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2201/117 ,  H01L21/02063

Abstract: 本发明记载了从具有含硅牺牲层的微电子机械系统(MEMS)和其它半导体基片除去该牺牲层的方法和组合物。该蚀刻组合物包括超临界流体(SCF)、蚀刻剂物质、助溶剂和任选的表面活性剂。该蚀刻组合物克服了作为清洗剂的SCF的固有缺陷，即SCF的非极性特性及与其相关的不能溶解必须从半导体基片除去的极性物质。所得蚀刻后的基片相对于采用常规湿式蚀刻技术进行蚀刻的基片具有更低的粘滞发生。