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公开(公告)号：CN105593157B
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201480054613.1
申请日：2014-09-15
Applicant: 卡文迪什动力有限公司
Inventor： 迈克·雷诺
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/0038 , B81C1/00801 , B81C2201/0108 , B81C2201/0176 , B81C2201/053
Abstract: 本发明总体涉及形成MEMS器件的方法以及通过该方法形成的MEMS器件。在形成MEMS器件时，在腔体内围绕开关元件沉积牺牲材料。所述牺牲材料最终被移除以释放腔内的开关元件。所述开关元件具有在其之上的薄介电层以阻止蚀刻剂与该开关元件的导电材料相互作用。在制造过程期间，介电层被沉积在牺牲材料之上。为了确保介电层和牺牲材料之间的良好粘附，在将介电层沉积在牺牲材料上之前在牺牲材料上沉积富含硅的氧化硅层。
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公开(公告)号：CN104093662A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201280060077.7
申请日：2012-12-06
Applicant: 佐治亚技术研究公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00261 , B81B3/0018 , B81C1/00333 , B81C2201/0108 , B81C2203/0154
Abstract: MEMS器件的可移动部分在呈晶片形式时被包封并保护，使得可以使用商品引线框架封装。外涂聚合物如环氧环己基多面体寡聚倍半硅氧烷(EPOSS)已用作图案化牺牲聚合物以及外涂空气腔室的掩模材料。所产生的空气腔室为清洁、无碎屑并且稳固的。腔室具有在MEMS器件的引线框架封装过程中耐受模塑压力的实质强度。已制造20μm x400μm至300μm x400μm的许多腔室且显示为机械稳定的。这些可能容纳许多尺寸的MEMS器件。已使用纳米压痕研究腔室的强度，并使用分析及有限元技术模拟。使用该方案封装的电容谐振器已显示清洁的感测电极和良好的功能。
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公开(公告)号：CN1717437A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200380102854.0
申请日：2003-10-31
Applicant: 佐治亚技术研究公司
Inventor： 保罗·A.·科尔 , 休安·比斯特鲁普·艾伦 , 克利福德·李·亨德森 , 约瑟夫·保罗·贾亚钱德兰 , 霍利·里德 , 切莱斯塔·E.·怀特
CPC classification number: B81C1/00476 , B81C2201/0108 , H01L21/7682 , Y10S430/114
Abstract: 本发明提供聚合物、其应用方法、以及其分解方法。其中一种聚合物实例包括含有牺牲聚合物以及光产酸源的组合物。
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公开(公告)号：CN1671617A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN03818473.7
申请日：2003-07-31
Applicant: 株式会社尼康
Inventor： 石津谷徹
CPC classification number: B81B3/0072 , B81C2201/0108 , G02B6/3518 , G02B6/3546 , G02B6/3572 , G02B6/3584 , G02B6/3596 , Y10S438/926
Abstract: 一种具备多个立体结构体的立体结构元件，提供可以不产生立体结构体的形状的不均匀性、均匀形成的结构。具有基板(11)和在基板(11)上的预定的有效区域(20)配置的立体结构体(1)。该立体结构体(1)，在其与基板(11)之间，具备通过去除牺牲层形成的空间部。在基板(11)上设置虚设区域(21)以包围有效区域(20)，在虚设区域(21)配置虚设结构体(33)。虚设结构体(33)，在它与基板(11)之间，具有通过去除牺牲层形成的空间部。由于是这样的结构，所以在进行去除牺牲层的灰化工序时，虚设区域(21)的温度只上升到与有效区域(20)相同的程度，防止在有效区域(20)发生温度分布。
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公开(公告)号：CN1613154A
公开(公告)日：2005-05-04
申请号：CN02826974.8
申请日：2002-11-08
Inventor： 达纳·R·德吕斯
CPC classification number: B81B3/0024 , B81B3/0051 , B81B2201/014 , B81B2201/018 , B81B2203/0118 , B81B2203/04 , B81B2207/07 , B81C1/0015 , B81C2201/0107 , B81C2201/0108 , B81C2201/0109 , H01H1/04 , H01H1/504 , H01H59/0009 , H01H61/04 , H01H2001/0042 , H01H2001/0063 , H01H2001/0089 , H01H2059/0072 , H01H2061/006 , H01L23/3735 , H01L23/522 , H01L27/1203 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H02N1/006 , H02N10/00 , Y10T29/49222 , H01L2924/00
Abstract: 根据一个实施例，提供一种悬挂在基板上方的可移动MEMS部件。该部件可包括结构层，该结构层具有与基板分开一定间隙的可移动电极。该部件还可包括至少一个支座凸块，该支座凸块固定到结构层上并延伸到所述间隙中，当该部件移动时用于防止可移动电极与导电材料接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101831163B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201010103798.4
申请日：2003-10-31
Applicant: 佐治亚技术研究公司
Inventor： 保罗·A.·科尔 , 休安·比斯特鲁普·艾伦 , 克利福德·李·亨德森 , 约瑟夫·保罗·贾亚钱德兰 , 霍利·里德 , 切莱斯塔·E.·怀特
IPC: C08L69/00 , C08L45/00 , C09J169/00 , C09J145/00 , G03F7/039 , B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00476 , B81C2201/0108 , H01L21/7682 , Y10S430/114
Abstract: 本发明提供聚合物、其应用方法、以及其分解方法。其中一种聚合物实例包括含有牺牲聚合物以及光产酸源的组合物。
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公开(公告)号：CN101445217B
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200810241103.1
申请日：2008-12-30
Applicant: 北京大学
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00039 , B81C2201/0108
Abstract: 本发明公开了一种衬底上基片的微细加工方法，该方法包括：使用聚合物作为中间黏附层，通过压力键合的方法，将衬底与基片键合在一起，形成衬底上基片；对基片减薄，并深刻蚀形成通孔；对通孔进行回填，再次对基片进行深刻蚀形成电镀孔；在电镀孔内电镀金属，形成衬底与基片间支撑；释放通孔，通过通孔对聚合物进行刻蚀，从而释放结构。或，形成衬底上基片后，基片减薄，并深刻蚀形成电镀孔；在电镀孔内电镀金属，形成衬底与基片间的支撑，再对基片深刻蚀形成通孔；通过通孔对聚合物进行刻蚀，最后释放结构。本发明可在衬底上实现多种材料的低成本、高精度、高深宽比三维加工，且工艺与CMOS工艺兼容的微机械加工，可用于加工多种MEMS器件。
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公开(公告)号：CN101445217A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810241103.1
申请日：2008-12-30
Applicant: 北京大学
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00039 , B81C2201/0108
Abstract: 本发明公开了一种衬底上基片的微细加工方法，该方法包括：使用聚合物作为中间黏附层，通过压力键合的方法，将衬底与基片键合在一起，形成衬底上基片；对基片减薄，并深刻蚀形成通孔；对通孔进行回填，再次对基片进行深刻蚀形成电镀孔；在电镀孔内电镀金属，形成衬底与基片间支撑；释放通孔，通过通孔对聚合物进行刻蚀，从而释放结构。或，形成衬底上基片后，基片减薄，并深刻蚀形成电镀孔；在电镀孔内电镀金属，形成衬底与基片间的支撑，再对基片深刻蚀形成通孔；通过通孔对聚合物进行刻蚀，最后释放结构。本发明可在衬底上实现多种材料的低成本、高精度、高深宽比三维加工，且工艺与CMOS工艺兼容的微机械加工，可用于加工多种MEMS器件。
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公开(公告)号：CN100474519C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN02826975.6
申请日：2002-11-08
Inventor： 肖恩·J·坎宁安 , 斯韦特兰娜·塔蒂克-卢奇克
IPC: H01L21/302 , H01L21/4763 , H01P1/10 , H01H57/00 , H02B1/00
CPC classification number: B81B3/0024 , B81B3/0051 , B81B2201/014 , B81B2201/018 , B81B2203/0118 , B81B2203/04 , B81B2207/07 , B81C1/0015 , B81C2201/0107 , B81C2201/0108 , B81C2201/0109 , H01H1/04 , H01H1/504 , H01H59/0009 , H01H61/04 , H01H2001/0042 , H01H2001/0063 , H01H2001/0089 , H01H2059/0072 , H01H2061/006 , H01L23/3735 , H01L23/522 , H01L27/1203 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H02N1/006 , H02N10/00 , Y10T29/49222 , H01L2924/00
Abstract: 一种用于制造三层横梁MEMS器件的方法，包括：在衬底上淀积牺牲层(310)，和移去牺牲层(310)上的第一导电层的一部分来形成第一导电微型结构(312)；在第一导电微型结构(312)、牺牲层(310)和衬底(300)上淀积结构层(322)，并且形成一个穿过结构层(322)到达第一导电微型结构(312)的通路；在结构层(322)上和通路中淀积第二导电层(336)；通过移去第二导电层(336)的一部分来形成第二导电微型结构(324)，其中第二导电微型结构(324)通过该通路与第一导电微型结构(312)电通信；并且移去足够量的牺牲层(310)以使第一导电微型结构(312)和该衬底分开，其中在第一端由衬底支撑结构层(322)且在相对的第二端在衬底的上方自由悬挂。
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公开(公告)号：CN1613128A
公开(公告)日：2005-05-04
申请号：CN02826914.4
申请日：2002-11-08
Inventor： 肖恩·J·坎宁安 , 达纳·R·德吕斯 , 苏巴哈姆·塞特 , 斯韦特兰娜·塔蒂克-卢奇克
IPC: H01H57/00
CPC classification number: B81B3/0024 , B81B3/0051 , B81B2201/014 , B81B2201/018 , B81B2203/0118 , B81B2203/04 , B81B2207/07 , B81C1/0015 , B81C2201/0107 , B81C2201/0108 , B81C2201/0109 , H01H1/04 , H01H1/504 , H01H59/0009 , H01H61/04 , H01H2001/0042 , H01H2001/0063 , H01H2001/0089 , H01H2059/0072 , H01H2061/006 , H01L23/3735 , H01L23/522 , H01L27/1203 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H02N1/006 , H02N10/00 , Y10T29/49222 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种悬挂在基板(102)上的活动的、三层微元件(108)，并且包括第一导电层(116)，将该第一导电层构图限定活动电极(114)。用间隙将基板(102)与第一金属层(116)分开。微元件(108)还包括在第一金属层(116)上形成并且一端相对于基板(102)固定的电介质层(112)。此外，微元件(102)包括在介质层(112)上形成的第二导电层(120)，并且构图限定与活动电极(114)电连接的电极互连(124)。
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