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公开(公告)号：CN114667446A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202080065378.3
申请日：2020-09-03
Applicant: ASML控股股份有限公司 , ASML荷兰有限公司
IPC: G01N21/95 , G01N21/956 , G03F7/20
Abstract: 披露了一种用于在衬底的包括目标结构的至少一部分的区域上进行量测测量的方法。所述方法包括：接收表示由所述区域所散射的辐射的一部分的辐射信息；以及在傅里叶域中使用滤波器以用于移除或抑制所接收的辐射信息的、与已由所述目标结构散射的辐射不相关的至少一部分，以用于获得用于所述量测测量的经滤波的辐射信息，其中所述滤波器的特性基于与所述目标结构相关的目标信息。
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公开(公告)号：CN108475024B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201680077317.2
申请日：2016-12-06
Applicant: ASML控股股份有限公司 , ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种检查设备，包括：衬底保持装置，其配置成保持衬底；孔装置；和光学系统，其配置成将第一测量辐射束引导至衬底上，该第一测量辐射束具有第一强度分布，且光学系统配置成在第一测量束被引导至衬底上的同时将第二聚焦辐射束引导至衬底上，该第二聚焦辐射束具有第二强度分布，其中第二强度分布的至少部分至少在衬底处和/或孔装置处与第一强度分布在空间上分离。
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公开(公告)号：CN108475024A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201680077317.2
申请日：2016-12-06
Applicant: ASML控股股份有限公司 , ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种检查设备，包括：衬底保持装置，其配置成保持衬底；孔装置；和光学系统，其配置成将第一测量辐射束引导至衬底上，该第一测量辐射束具有第一强度分布，且光学系统配置成在第一测量束被引导至衬底上的同时将第二聚焦辐射束引导至衬底上，该第二聚焦辐射束具有第二强度分布，其中第二强度分布的至少部分至少在衬底处和/或孔装置处与第一强度分布在空间上分离。
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公开(公告)号：CN111316168A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201880070939.1
申请日：2018-10-10
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20 , G01N21/956
Abstract: 披露了用于测量形成在衬底上的结构的量测设备和方法。在一种布置中，选择性提取在从所述结构反射之后的辐射束的不同的分量且独立地检测所述不同的分量。对于每个分量，从所述结构下游的光学系统的下游光瞳平面中的多个预定区中的一个预定区选择辐射。进一步从两个预定的正交偏振状态中的一个预定的正交偏振状态选择辐射。针对包括从所述下游光瞳平面中的不同的预定区选择的辐射的分量的至少一个子集中的每个，所述预定的正交偏振状态作为一对而被不同地定向。
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公开(公告)号：CN110709778A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201880036683.2
申请日：2018-05-15
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： 乔安科·拉文斯卑尔根 , N·潘迪 , 周子理 , A·E·A·科伦 , 塞巴斯蒂安努斯·阿德里安努斯·古德恩 , B·O·夫艾格金格奥尔 , S·G·J·马西森
Abstract: 公开了一种量测设备，其测量在衬底上形成的结构以确定感兴趣的参数。所述设备包括光学系统，所述光学系统配置成将辐射聚焦到所述结构上并将从所述结构反射之后的辐射引导到检测器上，其中：所述光学系统配置成使得所述检测器检测由来自光瞳平面场分布中的至少两个不同点的辐射之间的干涉产生的辐射强度，其中所述干涉使得检测到的辐射强度的包含与感兴趣的参数有关的信息的分量相对于所述检测到的辐射强度的一个或更多个其它分量被增强。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110050232B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN201780075933.9
申请日：2017-11-16
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 公开了用于测量通过光刻过程在衬底上形成的结构的量测设备和方法。在一种布置中，光学系统利用辐射照射所述结构并检测被所述结构散射的辐射。光学系统包括第一发散元件(121)。第一发散元件使仅仅来自光瞳平面场分布的第一部分(41)的散射辐射沿着第一发散方向(56)以光谱形式发散。第二发散元件(122)与第一发散元件分离开并使仅仅来自所述光瞳平面场分布的第二部分(42)的散射辐射沿着第二发散方向(57)以光谱形式发散，所述光瞳平面场分布的第二部分与所述光瞳平面场分布的第一部分不同。
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公开(公告)号：CN111527373A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201880079102.3
申请日：2018-09-18
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： P·A·J·蒂内曼斯 , A·J·登博夫 , A·E·A·科伦 , N·潘迪 , V·T·滕纳 , W·M·J·M·考恩 , 帕特里克·沃纳阿
Abstract: 描述了一种用于确定与在衬底上的至少一个结构相关的感兴趣的特性的量测系统、和相关联的方法。所述量测系统包括处理器，所述处理器配置成根据被检测到的散射辐射的特性以计算的方式确定相位和振幅信息，作为在测量获取中用照射辐射来照射所述至少一个结构的结果，所述散射辐射已经被所述至少一个结构反射或散射，所述处理器配置成使用被确定的相位和振幅来确定感兴趣的特性。
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公开(公告)号：CN116569111A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202180080452.3
申请日：2021-12-02
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F9/00
Abstract: 披露了一种量测方法。所述方法包括：测量与对量测信号的周围信号贡献相关的至少一个周围可观察参数，所述周围信号贡献包括不可归因于被测量的至少一个目标的对所述量测信号的贡献；以及根据所述周围信号可观察参数来确定校正。所述校正用于校正与使用测量辐射进行的对一个或更多个目标的测量相关的第一测量数据，所述测量辐射在所述一个或更多个目标中的一个或更多个上形成大于所述目标中的一个目标的测量光斑。
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公开(公告)号：CN111316168B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201880070939.1
申请日：2018-10-10
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20 , G01N21/956
Abstract: 披露了用于测量形成在衬底上的结构的量测设备和方法。在一种布置中，选择性提取在从所述结构反射之后的辐射束的不同的分量且独立地检测所述不同的分量。对于每个分量，从所述结构下游的光学系统的下游光瞳平面中的多个预定区中的一个预定区选择辐射。进一步从两个预定的正交偏振状态中的一个预定的正交偏振状态选择辐射。针对包括从所述下游光瞳平面中的不同的预定区选择的辐射的分量的至少一个子集中的每个，所述预定的正交偏振状态作为一对而被不同地定向。
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公开(公告)号：CN110050232A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201780075933.9
申请日：2017-11-16
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 公开了用于测量通过光刻过程在衬底上形成的结构的量测设备和方法。在一种布置中，光学系统利用辐射照射所述结构并检测被所述结构散射的辐射。光学系统包括第一发散元件(121)。第一发散元件使仅仅来自光瞳平面场分布的第一部分(41)的散射辐射沿着第一发散方向(56)以光谱形式发散。第二发散元件(122)与第一发散元件分离开并使仅仅来自所述光瞳平面场分布的第二部分(42)的散射辐射沿着第二发散方向(57)以光谱形式发散，所述光瞳平面场分布的第二部分与所述光瞳平面场分布的第一部分不同。
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