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公开(公告)号：CN107771303A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201680036158.1
申请日：2016-04-04
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： A·H·凯沃特斯 , E·J·阿勒马克 , S·C·R·德克斯 , S·N·L·唐德斯 , W·E·恩登迪杰克 , F·J·J·简森 , R·W·L·拉法雷 , L·M·勒瓦希尔 , J·V·奥弗坎普 , N·坦凯特 , J·C·G·范德桑登
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70875 , G03F7/2041 , G03F7/70258 , G03F7/70783 , H01L21/67098 , H01L21/683
Abstract: 一种光刻设备，包括被配置成投影图案化辐射束以在被保持在衬底台上的衬底上形成曝光区域的投影系统，光刻设备进一步包括用于对衬底进行冷却的冷却设备(40)，其中冷却设备包括位于衬底台的上方且与曝光区域相邻的冷却元件(42，44)，冷却元件被配置成从衬底移除热量。
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公开(公告)号：CN109804313B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN201780060159.4
申请日：2017-08-11
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： F·范德梅尤伦 , E·J·阿勒马克 , H·H·M·考克斯 , M·A·W·丘珀斯 , J·德胡戈 , G·C·德维雷斯 , P·C·H·德威特 , S·C·R·德克斯 , R·C·G·吉杰曾 , D·V·P·赫姆舒特 , C·A·霍根达姆 , A·H·凯沃特斯 , R·W·L·拉法雷 , A·L·C·勒鲁克斯 , P·W·P·里姆彭斯 , J·V·奥弗坎普 , C·L·瓦伦丁 , K·范伯克尔 , S·H·范德莫伦 , J·C·G·范德桑登 , H·K·范德舒特 , D·F·弗勒斯 , E·A·R·威斯特豪斯
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种光刻设备，包括被配置为投射图案化辐射束以在被保持在衬底台上的衬底上形成曝光区域的投影系统，光刻设备进一步包括用于冷却衬底的冷却设备，其中冷却设备包括位于衬底台上方并且邻近于曝光区域的冷却元件，冷却元件被配置为从衬底去除热量。
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公开(公告)号：CN107771303B
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201680036158.1
申请日：2016-04-04
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： A·H·凯沃特斯 , E·J·阿勒马克 , S·C·R·德克斯 , S·N·L·唐德斯 , W·E·恩登迪杰克 , F·J·J·简森 , R·W·L·拉法雷 , L·M·勒瓦希尔 , J·V·奥弗坎普 , N·坦凯特 , J·C·G·范德桑登
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种光刻设备，包括被配置成投影图案化辐射束以在被保持在衬底台上的衬底上形成曝光区域的投影系统，光刻设备进一步包括用于对衬底进行冷却的冷却设备，其中冷却设备包括位于衬底台的上方且与曝光区域相邻的冷却元件，冷却元件被配置成从衬底移除热量。
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公开(公告)号：CN109804313A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201780060159.4
申请日：2017-08-11
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： F·范德梅尤伦 , E·J·阿勒马克 , H·H·M·考克斯 , M·A·W·丘珀斯 , J·德胡戈 , G·C·德维雷斯 , P·C·H·德威特 , S·C·R·德克斯 , R·C·G·吉杰曾 , D·V·P·赫姆舒特 , C·A·霍根达姆 , A·H·凯沃特斯 , R·W·L·拉法雷 , A·L·C·勒鲁克斯 , P·W·P·里姆彭斯 , J·V·奥弗坎普 , C·L·瓦伦丁 , K·范伯克尔 , S·H·范德莫伦 , J·C·G·范德桑登 , H·K·范德舒特 , D·F·弗勒斯 , E·A·R·威斯特豪斯
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种光刻设备，包括被配置为投射图案化辐射束以在被保持在衬底台上的衬底上形成曝光区域的投影系统，光刻设备进一步包括用于冷却衬底的冷却设备，其中冷却设备包括位于衬底台上方并且邻近于曝光区域的冷却元件，冷却元件被配置为从衬底去除热量。
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公开(公告)号：CN107743599A
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201680035202.7
申请日：2016-06-06
Applicant: ASML控股股份有限公司 , ASML荷兰有限公司
Abstract: 诸如光刻设备的设备具有量测框架，量测框架具有安装在其上的参考框架，参考框架包括参考表面。气量计相对于参考框架、量测框架和被测表面可移动。气量计中的参考喷嘴向参考表面提供气体，并且测量喷嘴向被测表面提供气体。MEMS传感器可以与气量计一起使用，以感测来自参考喷嘴和测量喷嘴中的每个喷嘴的背压的差。可选地，多个气量计被定位在阵列中，阵列可以在基本上平行于被测表面的平面的方向上延伸。计量器可以被流体连接到气量计的参考喷嘴。通道可以跨越阵列分配气体。
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