-
公开(公告)号：CN102162999B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201110042165.1
申请日：2011-02-17
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70716 , G03F7/70341 , G03F7/70775
Abstract: 本发明公开了一种衬底台、光刻设备和使用光刻设备制造器件的方法。所述衬底台包括：位于所述衬底台上的编码器板；在所述编码器板与所述衬底台的顶部表面之间的间隙，所述间隙相对于所述衬底台的外周位于所述编码器板的径向向内的位置处；以及在所述间隙的所述表面中的具有一个或更多个开口的流体抽取系统，用于从所述间隙抽取液体。
-
公开(公告)号：CN102269935B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201110139210.5
申请日：2011-05-23
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： J·H·A·范德瑞吉德特 , J·J·奥腾斯 , M·M·P·A·沃梅尤恩 , E·J·A·曼德尔斯
CPC classification number: G03F7/70758 , H02K41/03
Abstract: 本发明公开一种位移装置、光刻设备以及定位方法。所述位移装置具有相对于彼此是可位移的第一和第二部分，所述第一部分设置有磁体系统，所述第二部分设置有线圈组件单元组，线圈组件单元组包括：具有平行于第二方向取向的电流导体的至少三个第一线圈组件单元；具有平行于第一方向取向的电流导体的至少两个第二线圈组件单元，其中位移装置包括控制装置，所述控制装置配置成控制第二部分相对于第一部分的位置，其中，当第二部分主要沿第二方向移动时，控制单元配置成通过仅使用第一线圈组件单元沿第三方向将第二部分悬浮离开第一部分。
-
公开(公告)号：CN101713929A
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200910178543.1
申请日：2009-09-27
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： R·T·P·考姆彭 , M·M·P·A·沃梅尤恩 , A·B·杰尤恩克 , E·R·鲁普斯卓 , J·J·奥腾斯 , P·斯密特斯 , H·J·M·凡阿毕伦 , A·A·梅尤恩迪杰克斯 , M·霍本 , R·W·A·H·理纳尔斯
CPC classification number: G03F7/70716 , G03F7/70775
Abstract: 本发明公开了一种光刻设备和一种器件制造方法。所述光刻设备包括：照射系统，其配置用于调节辐射束；支撑结构，其构造用于支撑图案形成装置，所述图案形成装置能够将图案在所述辐射束的横截面上赋予所述辐射束，以形成图案化的辐射束；反射镜块，其设置有构造用以保持衬底的衬底台；和投影系统，其配置用以将所述图案化的辐射束投射到所述衬底的目标部分上，其中所述反射镜块构造并布置用以减小所述反射镜块和所述衬底台之间的滑动。如果反射镜块的加速度大且衬底台相对于反射镜块局部地滑动，会发生滑动。滑动会导致曝光误差，因为衬底的位置不再由所需的精确度来确定。
-
公开(公告)号：CN101713929B
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN200910178543.1
申请日：2009-09-27
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： R·T·P·考姆彭 , M·M·P·A·沃梅尤恩 , A·B·杰尤恩克 , E·R·鲁普斯卓 , J·J·奥腾斯 , P·斯密特斯 , H·J·M·凡阿毕伦 , A·A·梅尤恩迪杰克斯 , M·霍本 , R·W·A·H·理纳尔斯
CPC classification number: G03F7/70716 , G03F7/70775
Abstract: 本发明公开了一种光刻设备和一种器件制造方法。所述光刻设备包括：照射系统，其配置用于调节辐射束；支撑结构，其构造用于支撑图案形成装置，所述图案形成装置能够将图案在所述辐射束的横截面上赋予所述辐射束，以形成图案化的辐射束；反射镜块，其设置有构造用以保持衬底的衬底台；和投影系统，其配置用以将所述图案化的辐射束投射到所述衬底的目标部分上，其中所述反射镜块构造并布置用以减小所述反射镜块和所述衬底台之间的滑动。如果反射镜块的加速度大且衬底台相对于反射镜块局部地滑动，会发生滑动。滑动会导致曝光误差，因为衬底的位置不再由所需的精确度来确定。
-
公开(公告)号：CN102156391B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201110115693.5
申请日：2006-11-16
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70341
Abstract: 本发明公开了一种用于浸没式光刻的阻挡构件(10)。所述阻挡构件包括位于底表面上的抽取器组件(70)，所述抽取器组件(70)设置成面对衬底(W)。所述抽取器组件包括板(200)，所述板(200)设置成将位于液体去除装置和所述衬底之间的空隙分成两部分，使得弯月面(310)形成于位于液体去除装置和所述板之间的上通道(220)中，并且使得弯月面(320)形成于位于所述板下面的所述板和衬底之间的下通道(230)中。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102162999A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110042165.1
申请日：2011-02-17
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70716 , G03F7/70341 , G03F7/70775
Abstract: 本发明公开了一种衬底台、光刻设备和使用光刻设备制造器件的方法。所述衬底台包括：位于所述衬底台上的编码器板；在所述编码器板与所述衬底台的顶部表面之间的间隙，所述间隙相对于所述衬底台的外周位于所述编码器板的径向向内的位置处；以及在所述间隙的所述表面中的具有一个或更多个开口的流体抽取系统，用于从所述间隙抽取液体。
-
公开(公告)号：CN101681124A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880021208.4
申请日：2008-06-20
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： R·T·P·克姆蓬 , J·H·W·雅各布斯 , M·H·A·李恩德尔斯 , J·J·奥腾斯 , M·F·P·斯密特斯
IPC: G03F7/20
CPC classification number: H01L21/6831 , G03F7/707 , G03F7/70783 , H01L21/6838 , H01L21/68714
Abstract: 本发明涉及一种夹持装置，其配置用以将物体(20，120)夹持在支撑件(1，101)上。夹持装置包括：第一装置，其配置用以采用第一力驱使物体和支撑件彼此离开；和第二装置，其配置用以采用第二力驱使物体和支撑件朝向彼此。第一装置和第二装置配置成在完成物体在支撑件上的夹持之前，同步地分别施加第一力和第二力以将物体成形为所需形状。
-
公开(公告)号：CN112352301B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN201980039657.X
申请日：2019-06-07
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 一种改进的用于使用粒子束检查装置检查样品的系统和方法，更具体地，一种利用多个带电粒子束扫描样品的系统和方法。一种使用N个带电粒子束扫描样品区域的改进的方法，其中N是大于或等于2的整数，并且其中样品区域包括N个连续扫描线的多个扫描区段，该方法包括使样品在第一方向上移动。该方法还包括利用N个带电粒子束中的第一带电粒子束扫描多个扫描区段中朝向第一带电粒子束的探测斑点移动的至少部分扫描区段的第一扫描线。该方法还包括利用N个带电粒子束中的第二带电粒子束扫描多个扫描区段中朝向第二带电粒子束的探测斑点移动的至少部分扫描区段的第二扫描线。此外，一种提供多束工具，包括：束配置系统，包括被配置为生成带电粒子的一次束的带电粒子源、被配置为保持样品的载物台、以及位于带电粒子源与载物台之间配置成将一次束分成束阵列的偏转器系统；其中所述束配置系统被配置为提供旋转束配置，所述旋转束配置具有基于所述束阵列的行中的束数量而确定的旋转角度。
-
公开(公告)号：CN113196172B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN201980077503.X
申请日：2019-10-07
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： 周子理 , N·潘迪 , O·V·兹维尔 , P·沃纳尔 , M·范德沙尔 , E·G·麦克纳马拉 , A·J·登博夫 , P·C·欣南 , M·博兹库尔特 , J·J·奥腾斯 , K·布哈塔查里亚 , M·库比斯
IPC: G03F7/20
Abstract: 测量套刻的方法使用来自在衬底(W)上形成的一对子目标(1032，1034)上的位置(LOI)的多个非对称性测量。对于每个子目标，基于设计到子目标中的已知偏移变化，多个非对称性测量被拟合为非对称性与套刻之间的至少一个预期关系(1502，1504)。在一个示例中，通过变化顶部光栅和底部光栅的节距(P1/P2)，来提供连续的偏移变化。该对子目标之间的偏移变化相等并且相反(P2/P1)。套刻(OV)基于针对两个子目标的拟合关系之间的相对移动(xs)来被计算。将非对称性测量拟合为至少一个预期关系的步骤包括：完全或部分忽略偏离预期关系和/或落在拟合关系的特定段之外的测量(1506，1508，1510)。
-
公开(公告)号：CN113196172A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201980077503.X
申请日：2019-10-07
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： 周子理 , N·潘迪 , O·V·兹维尔 , P·沃纳尔 , M·范德沙尔 , E·G·麦克纳马拉 , A·J·登博夫 , P·C·欣南 , M·博兹库尔特 , J·J·奥腾斯 , K·布哈塔查里亚 , M·库比斯
IPC: G03F7/20
Abstract: 测量套刻的方法使用来自在衬底(W)上形成的一对子目标(1032，1034)上的位置(LOI)的多个非对称性测量。对于每个子目标，基于设计到子目标中的已知偏移变化，多个非对称性测量被拟合为非对称性与套刻之间的至少一个预期关系(1502，1504)。在一个示例中，通过变化顶部光栅和底部光栅的节距(P1/P2)，来提供连续的偏移变化。该对子目标之间的偏移变化相等并且相反(P2/P1)。套刻(OV)基于针对两个子目标的拟合关系之间的相对移动(xs)来被计算。将非对称性测量拟合为至少一个预期关系的步骤包括：完全或部分忽略偏离预期关系和/或落在拟合关系的特定段之外的测量(1506，1508，1510)。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
21
records
(took 0.045 seconds)
