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公开(公告)号:CN101038443B
公开(公告)日:2012-07-04
申请号:CN200710085566.9
申请日:2007-03-12
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor: M·A·范德科霍夫 , J·H·W·乔科布斯 , T·尤特迪克 , N·A·拉勒曼特
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70858 , G03F7/70258 , G03F7/70341 , G03F7/705 , G03F7/70575 , G03F7/706
Abstract: 公开了一种光刻装置,其包括测量系统或预测系统,分别用于测量和/或预测与浸液的温度波动相关的影响;还包括控制系统,用于分别根据由测量系统和/或预测系统获得的测量结果和/或预测结果来控制与浸液相关的所述影响或其它影响.还公开了一种相关的控制系统和器件制造方法。
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公开(公告)号:CN1790170B
公开(公告)日:2010-05-05
申请号:CN200510131777.2
申请日:2005-12-16
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/027 , G01J1/42
CPC classification number: G03F7/70566 , G03F7/706
Abstract: 通过投影辐射束来照射在投影系统(PL)和辐射传感器(DS)之间的检偏片(AP)。该检偏片包含2个交叉区域,其中每一个传输具有不同偏振方向的辐射。构图该投影辐射束而不影响该束的偏振。通过构图投影辐射束,使得一个区域接收比另一区域更多的辐射,辐射传感器(DS)被给予偏振选择性。
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公开(公告)号:CN102147574A
公开(公告)日:2011-08-10
申请号:CN201110083335.0
申请日:2004-06-09
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor: J·洛夫 , H·布特勒 , S·N·L·当德斯 , A·科勒斯辰科 , E·R·鲁普斯特拉 , H·J·M·梅杰 , J·C·H·穆肯斯 , R·A·S·里特塞马 , F·范沙克 , T·F·森格斯 , K·西蒙 , J·T·德斯米特 , A·斯特拉艾杰 , B·斯特里科克 , E·T·M·比拉尔特 , C·A·胡根达姆 , H·范桑坦 , M·A·范德科霍夫 , M·克鲁恩 , A·J·登博夫 , J·J·奥坦斯 , J·J·S·M·梅坦斯
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70141 , G03F7/70341 , G03F7/7085 , G03F7/70883
Abstract: 本发明公开了一种光刻装置和器件制造方法。在所述装置中,投影系统的最后元件和传感器之间的空间填充有液体。
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公开(公告)号:CN1573564B
公开(公告)日:2011-05-18
申请号:CN200410047698.9
申请日:2004-06-09
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor: J·洛夫 , H·布特勒 , S·N·L·当德斯 , A·科勒斯辰科 , E·R·鲁普斯特拉 , H·J·M·梅杰 , J·C·H·穆肯斯 , R·A·S·里特塞马 , F·范沙克 , T·F·森格斯 , K·西蒙 , J·T·德斯米特 , A·斯特拉艾杰 , B·斯特里科克 , E·T·M·比拉尔特 , C·A·胡根达姆 , H·范桑坦 , M·A·范德科霍夫 , M·克鲁恩 , A·J·登博夫 , J·J·奥坦斯 , J·J·S·M·梅坦斯
CPC classification number: G03F7/70141 , G03F7/70341 , G03F7/7085 , G03F7/70883
Abstract: 本发明公开了一种光刻投影装置,在该装置中投影系统的最后元件和传感器之间的空间填充有液体。
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公开(公告)号:CN100520580C
公开(公告)日:2009-07-29
申请号:CN200310119736.2
申请日:2003-12-03
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70558 , G01J1/429 , G01J1/58 , G03F7/7085
Abstract: 一种光刻投影装置包括:辐射系统,用来提供一次辐射的投影束;用于支撑作图装置的支撑结构,该作图装置用来按照所需图形对投影束作图;用于夹持衬底的衬底台;投影系统,用来将作图的束投射至衬底的目标部分上;辐射感测器,它可以在投影束经过的路径上移动,用来接收来自投影束的一次辐射,该感测器包括:一种辐射敏感材料,它将入射的一次辐射转变为二次辐射;能感测从该材料发出的二次辐射的感测装置;及一种滤波材料,它防止二次辐射在背离辐射感测装置的方向传播。
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公开(公告)号:CN113795912A
公开(公告)日:2021-12-14
申请号:CN202080034454.4
申请日:2020-05-07
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: H01L21/683 , G03F7/20
Abstract: 一种设备,包括:静电夹具,所述静电夹具用于夹持部件;和用于在所述静电夹具相邻处产生自由电荷的机构。所述静电夹具包括一电极或多个电极。所述设备被配置成:在第一模式中操作,在所述第一模式中,所述电极或每个电极被设置处于一电位,使得在所述静电夹具与所述部件之间产生夹持电场以夹持所述部件;在第二模式中操作,在所述第二模式中,所述电极的所述电位或每个电极的每个电位被设置成对所述部件的夹持被松开;和在第三模式中操作,在所述第三模式中,所述电极的所述电位或每个电极的每个电位被设置成使得与在所述第一模式或第二模式中操作相比,由所述机构产生的通往所述部件的与所述静电夹具相邻的表面的自由电荷的通量增加。
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公开(公告)号:CN102147574B
公开(公告)日:2013-10-09
申请号:CN201110083335.0
申请日:2004-06-09
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor: J·洛夫 , H·布特勒 , S·N·L·当德斯 , A·科勒斯辰科 , E·R·鲁普斯特拉 , H·J·M·梅杰 , J·C·H·穆肯斯 , R·A·S·里特塞马 , F·范沙克 , T·F·森格斯 , K·西蒙 , J·T·德斯米特 , A·斯特拉艾杰 , B·斯特里科克 , E·T·M·比拉尔特 , C·A·胡根达姆 , H·范桑坦 , M·A·范德科霍夫 , M·克鲁恩 , A·J·登博夫 , J·J·奥坦斯 , J·J·S·M·梅坦斯
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70141 , G03F7/70341 , G03F7/7085 , G03F7/70883
Abstract: 本发明公开了一种光刻装置和器件制造方法。在所述装置中,投影系统的最后元件和传感器之间的空间填充有液体。
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公开(公告)号:CN1504831A
公开(公告)日:2004-06-16
申请号:CN200310119736.2
申请日:2003-12-03
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70558 , G01J1/429 , G01J1/58 , G03F7/7085
Abstract: 一种光刻投影装置包括:辐射系统,用来提供一次辐射的投影束;用于支撑作图装置的支撑结构,该作图装置用来按照所需图形对投影束作图;用于夹持衬底的衬底台;投影系统,用来将作图的束投射至衬底的目标部分上;辐射感测器,它可以在投影束经过的路径上移动,用来接收来自投影束的一次辐射,该感测器包括:一种辐射敏感材料,它将入射的一次辐射转变为二次辐射;能感测从该材料发出的二次辐射的感测装置;及一种滤波材料,它防止二次辐射在背离辐射感测装置的方向传播。
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公开(公告)号:CN101038443A
公开(公告)日:2007-09-19
申请号:CN200710085566.9
申请日:2007-03-12
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor: M·A·范德科霍夫 , J·H·W·乔科布斯 , T·尤特迪克 , N·A·拉勒曼特
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70858 , G03F7/70258 , G03F7/70341 , G03F7/705 , G03F7/70575 , G03F7/706
Abstract: 公开了一种光刻装置,其包括测量系统或预测系统,分别用于测量和/或预测与浸液的温度波动相关的影响;还包括控制系统,用于分别根据由测量系统和/或预测系统获得的测量结果和/或预测结果来控制与浸液相关的所述影响或其它影响。还公开了一种相关的控制系统和器件制造方法。
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公开(公告)号:CN1790170A
公开(公告)日:2006-06-21
申请号:CN200510131777.2
申请日:2005-12-16
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/027 , G01J1/42
CPC classification number: G03F7/70566 , G03F7/706
Abstract: 通过投影辐射束来照射在投影系统(PL)和辐射传感器(DS)之间的检偏片(AP)。该检偏片包含2个交叉区域,其中每一个传输具有不同偏振方向的辐射。构图该投影辐射束而不影响该束的偏振。通过构图投影辐射束,使得一个区域接收比另一区域更多的辐射,辐射传感器(DS)被给予偏振选择性。
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