公开(公告)号：CN108368640A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201580079657.4

申请日：2015-05-21

Applicant: EV ,  集团 ,  E·索尔纳有限责任公司

Inventor： G.克赖因德尔 ,  H.扎格尔迈尔 ,  M.艾贝胡贝尔

IPC: C30B23/04 ,  C23C14/04 ,  C23C16/04 ,  C30B25/04 ,  H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/0002 ,  C30B23/04 ,  C30B25/04 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647

Abstract: 本发明涉及一种将掩蔽的过生长层(14)施加至晶种层(2)上以用于生产半导体组件的方法，其特征在于将用于掩蔽所述过生长层(14)的掩模(6)压印至所述晶种层(2)上。