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公开(公告)号：CN101996990B
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201010260969.4
申请日：2010-08-23
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01L28/60 , H01L23/3171 , H01L23/3192 , H01L24/02 , H01L28/86 , H01L2224/04042 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01044 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01055 , H01L2924/01056 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01087 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/14 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/19041 , H01L2924/30107 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种电子部件及其制造方法，使电子部件的向外部基板的更加高密度安装成为可能，此外，能够任意且按期望地调整端子电极的高度，由此，能够消除电子部件的检查时的现有的不良情况，并且改善电子部件的安装的成品率从而提高生产性。作为一种电子部件的电容器(1)具有：形成于基板(2)上的第一上部电极(5a)、与该第一上部电极(5a)邻接形成的第一台座(10)和第二台座(11)、覆盖第一上部电极(5a)以及第一台座(10)和第二台座(11)的保护层(6、8)、经由贯通它们的通孔导体(Va、Vc)而与第一上部电极(5a)连接并且在第一台座(10)和第二台座(11)上形成的端子电极(9a)。
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公开(公告)号：CN101996766B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201010260967.5
申请日：2010-08-23
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01L28/40 , H01L23/3171 , H01L23/3192 , H01L24/02 , H01L28/55 , H01L2224/04042 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01044 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01056 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/19041 , H01L2924/30107 , Y10T29/417 , Y10T156/1056 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种电子部件及其制造方法，其能够提高向外部基板的焊接安装时的电子部件的固定强度，由此，能够充分地提高电气特性以及可靠性等。作为电子部件的电容器(1)形成有，在基板(2)上形成的电路元件(5)、与电路元件(5b)连接的电极层(5a)、覆盖电极层(5a)的保护层(6、8)、经由贯通保护层(6、8)的通孔导体(Va、Vb)而与电极层(5a)相连接并且覆盖保护层(6、8)的侧壁面而形成的端子电极(9a、9b)，由此，垫片电极(9a、9b)被形成为覆盖从保护层(6、8)的最上面直至侧壁面，因而焊料与垫片电极(9a、9b)接触的面积增大，并能够提高焊接安装时的电容器(1)的固定强度。
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公开(公告)号：CN101996990A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010260969.4
申请日：2010-08-23
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01L28/60 , H01L23/3171 , H01L23/3192 , H01L24/02 , H01L28/86 , H01L2224/04042 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01044 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01055 , H01L2924/01056 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01087 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/14 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/19041 , H01L2924/30107 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种电子部件及其制造方法，使电子部件的向外部基板的更加高密度安装成为可能，此外，能够任意且按期望地调整端子电极的高度，由此，能够消除电子部件的检查时的现有的不良情况，并且改善电子部件的安装的成品率从而提高生产性。作为一种电子部件的电容器(1)具有：形成于基板(2)上的第一上部电极(5a)、与该第一上部电极(5a)邻接形成的第一台座(10)和第二台座(11)、覆盖第一上部电极(5a)以及第一台座(10)和第二台座(11)的保护层(6、8)、经由贯通它们的通孔导体(Va、Vc)而与第一上部电极(5a)连接并且在第一台座(10)和第二台座(11)上形成的端子电极(9a)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102193022A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110066098.7
申请日：2011-03-18
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G01R15/205 , B82Y25/00 , G01R33/093
Abstract: 本发明提供一种对涉及较宽范围的检测对象电流高灵敏度且高精度地进行检测的电流传感器。其具备：GMR元件（11～14），沿着导体相互同向延伸配置，根据流过导体的检测对象电流所产生的感应磁场，各自的电阻值示出变化；补偿电流线（30），通过流过补偿电流，将与感应磁场相反方向的补偿磁场提供给GMR元件（11～14）的每一个。GMR元件（11～14）相互连接而形成桥接电路。补偿电流通过从该桥接电路的中点取出的电位的差分产生。补偿电流线（30）中的带状部分（31～34）与GMR元件（11～14）同向延伸并且在厚度方向上与其分别重合，而且具有分别比GMR元件（11～14）的宽度（W11～W14）小的宽度（W31～34）。
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公开(公告)号：CN102193022B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201110066098.7
申请日：2011-03-18
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G01R15/205 , B82Y25/00 , G01R33/093
Abstract: 本发明提供一种对涉及较宽范围的检测对象电流高灵敏度且高精度地进行检测的电流传感器。其具备：GMR元件（11～14），沿着导体相互同向延伸配置，根据流过导体的检测对象电流所产生的感应磁场，各自的电阻值示出变化；补偿电流线（30），通过流过补偿电流，将与感应磁场相反方向的补偿磁场提供给GMR元件（11～14）的每一个。GMR元件（11～14）相互连接而形成桥接电路。补偿电流通过从该桥接电路的中点取出的电位的差分产生。补偿电流线（30）中的带状部分（31～34）与GMR元件（11～14）同向延伸并且在厚度方向上与其分别重合，而且具有分别比GMR元件（11～14）的宽度（W11～W14）小的宽度（W31～34）。
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公开(公告)号：CN101499357B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200810173166.8
申请日：2008-10-29
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G01R33/09 , G01R33/091 , H01F5/003 , H01F38/14
Abstract: 本发明提供一种具有更高响应性的磁耦合器，其中设有：在第一层(L1)上卷绕的薄膜线圈(20)；配置在第二层L2上，检测由流过薄膜线圈(20)的信号电流Im产生的感应磁场Hm的第一MR元件(31)；以及配置在该第一MR元件(31)近旁的由软磁性材料构成的磁轭(41、42)。第一MR元件(31)配置在第二层(L2)中与薄膜线圈(20)的直线区域(R21)在层叠方向上对应的位置。磁轭(41、42)在第二层(L2)上夹着第一MR元件(31)而配置在薄膜线圈(20)的卷绕中心侧和卷绕外周侧这两侧。于是，可以抑制感应磁场Hm的强度下降，并使感应磁场Hm成为更平坦的强度分布。
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公开(公告)号：CN101996766A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010260967.5
申请日：2010-08-23
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01L28/40 , H01L23/3171 , H01L23/3192 , H01L24/02 , H01L28/55 , H01L2224/04042 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01044 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01056 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/19041 , H01L2924/30107 , Y10T29/417 , Y10T156/1056 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种电子部件及其制造方法，其能够提高向外部基板的焊接安装时的电子部件的固定强度，由此，能够充分地提高电气特性以及可靠性等。作为电子部件的电容器(1)形成有，在基板(2)上形成的电路元件(5)、与电路元件(5b)连接的电极层(5a)、覆盖电极层(5a)的保护层(6、8)、经由贯通保护层(6、8)的通孔导体(Va、Vb)而与电极层(5a)相连接并且覆盖保护层(6、8)的侧壁面而形成的端子电极(9a、9b)，由此，垫片电极(9a、9b)被形成为覆盖从保护层(6、8)的最上面直至侧壁面，因而焊料与垫片电极(9a、9b)接触的面积增大，并能够提高焊接安装时的电容器(1)的固定强度。
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公开(公告)号：CN101499357A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200810173166.8
申请日：2008-10-29
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G01R33/09 , G01R33/091 , H01F5/003 , H01F38/14
Abstract: 本发明提供一种具有更高响应性的磁耦合器，其中设有：在第一层(L1)上卷绕的薄膜线圈(20)；配置在第二层L2上，检测由流过薄膜线圈(20)的信号电流Im产生的感应磁场Hm的第一MR元件(31)；以及配置在该第一MR元件(31)近旁的由软磁性材料构成的磁轭(41、42)。第一MR元件(31)配置在第二层(L2)中与薄膜线圈(20)的直线区域(R21)在层叠方向上对应的位置。磁轭(41、42)在第二层(L2)上夹着第一MR元件(31)而配置在薄膜线圈(20)的卷绕中心侧和卷绕外周侧这两侧。于是，可以抑制感应磁场Hm的强度下降，并使感应磁场Hm成为更平坦的强度分布。
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