Patent search cpc:"H01L2924/01041" Page 1

1.

发明授权
一种低成本合金键合丝及其制备方法与应用有权

公开(公告)号：CN105671355B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201610235857.0

申请日：2016-04-15

Applicant: 浙江佳博科技股份有限公司

Inventor： 薛子夜 , 赵义东 , 吴正浩

IPC: C22C5/06 , C22C1/02 , C22F1/14 , H01L23/49 , H01L21/48

CPC classification number: H01L2224/45 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2924/00011 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/01079 , H01L2924/01046 , H01L2924/0102 , H01L2924/01058 , H01L2924/01026 , H01L2924/01041 , H01L2924/01028 , H01L2924/01204 , H01L2924/01205 , H01L2924/01049

Abstract: 本发明提供了一种低成本合金键合丝及其制备方法与应用，该合金键合丝通过采用高纯银为基材，添加金、钯、钙、铈、铁、铌、镍等元素，并在合理分析和大量研究的基材上确定上述各组分的最适宜用量，使得合金中的各元素间产生协同促进作用，从而能够获得一种强度高、韧性好、适于高速键合的高性能合金键合丝。经试验证明，本发明的合金键合丝具有较低的电阻率及良好的导热性和机械性能，其抗拉强度优于同等线径的传统合金键合丝，且本发明的合金键合丝的材料成本仅为黄金线材的1/8，总体销售价格仅为同规格金线的1/5，大幅降低了LED及IC封装的制造成本，因而本发明的合金键合丝是分立器件和集成电路封装领域的首选材料。

2.

发明授权
各向异性导电膜和使用其的半导体装置失效转让

公开(公告)号：CN104513632B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201410521172.3

申请日：2014-09-30

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 申颍株 , 姜炅求 , 金智软 , 朴憬修 , 申遇汀 , 郑光珍 , 黄慈英

IPC: C09J7/00 , C09J163/00 , C09J171/12 , C09J11/04 , C09J9/02 , H01B5/14

CPC classification number: H01L24/29 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/27003 , H01L2224/271 , H01L2224/2712 , H01L2224/29005 , H01L2224/29083 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/29387 , H01L2224/2939 , H01L2224/29393 , H01L2224/29439 , H01L2224/29444 , H01L2224/29455 , H01L2224/32145 , H01L2224/32227 , H01L2224/83203 , H01L2224/83851 , H01L2924/0665 , H01L2924/15788 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/2064 , H01L2924/20641 , H01L2924/30101 , H05K3/323 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/05442 , H01L2924/05432 , H01L2924/05341 , H01L2924/0542 , H01L2924/0103 , H01L2924/0532 , H01L2924/01012 , H01L2924/05342 , H01L2924/0544 , H01L2924/01082 , H01L2924/053 , H01L2924/01083 , H01L2924/0536 , H01L2924/01042 , H01L2924/0535 , H01L2924/01023 , H01L2924/01041 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/0543 , H01L2924/01049 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/01006

Abstract: 本发明公开了一种各向异性导电膜和一种使用所述各向异性导电膜的半导体装置。所述各向异性导电膜具有三层结构，包含第一绝缘层、导电层和第二绝缘层，所述三层以此顺序依序堆叠。所述各向异性导电膜可通过调整所述各别层的流动性使得终端之间的空间可由所述绝缘层充分填充且可抑制导电粒子向所述空间中流出来防止终端之间短路并具有提高的连接可靠性。

3.

发明公开
高密度集成电路封装结构以及集成电路有权

公开(公告)号：CN105514057A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201610027678.8

申请日：2016-01-15

Applicant: 气派科技股份有限公司

Inventor： 梁大钟

IPC: H01L23/31 , H01L21/56

CPC classification number: H01L23/49541 , H01L21/4853 , H01L21/56 , H01L23/293 , H01L23/295 , H01L23/3121 , H01L23/4951 , H01L23/4952 , H01L23/49586 , H01L23/562 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45639 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/3512 , H01L2924/35121 , H01L2924/37001 , H01L2924/00012 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01032 , H01L2924/01041 , H01L2924/0104 , H01L2924/013 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L23/3107

Abstract: 本发明涉及一种高密度集成电路封装结构以及集成电路，属于集成电路封装的技术领域。本发明所述的高密度集成电路封装结构，包括密封金属引线框、芯片以及微米级连接线的长方体塑封结构，所述塑封结构的长度A1满足关系：1.20 mm +（B-8）×0.3 mm /2≤A1≤4.50 mm +（B-8）×1.00 mm /2；塑封结构的宽度A2满足关系：1.20 mm≤A2≤3.50 mm；塑封结构的厚度A3满足关系：A3≥0.35mm；B为外引脚线的个数。本发明的封装结构，能够适应芯片制造技术从微米级向亚微米，纳米级发展的需要，满足了低功耗、高速度、大容量、小体积的便携式产品需求。

4.

发明公开
半导体装置用胶粘薄膜以及半导体装置无效

公开(公告)号：CN103996672A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201410168418.3

申请日：2011-11-18

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 宇圆田大介 , 松村健 , 井上刚一 , 盛田美希

IPC: H01L23/552

CPC classification number: H01L25/0657 , C09J7/28 , C09J2203/326 , H01L21/6836 , H01L23/552 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2221/68327 , H01L2224/16225 , H01L2224/27436 , H01L2224/29 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29324 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/83862 , H01L2224/92247 , H01L2225/0651 , H01L2225/06537 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01037 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01055 , H01L2924/01056 , H01L2924/01057 , H01L2924/01058 , H01L2924/01059 , H01L2924/01063 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01076 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01088 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , Y10T428/28 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/01014 , H01L2924/01026 , H01L2924/01028 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299

Abstract: 本发明涉及半导体装置用胶粘薄膜以及半导体装置。本发明的课题在于减少从一个半导体芯片释放的电磁波对同一封装内的另一个半导体芯片、安装的衬底、相邻的器件、封装等产生的影响。一种半导体装置用胶粘薄膜，具有胶粘剂层和电磁波屏蔽层，其特征在于，透过所述半导体装置用胶粘薄膜的电磁波的衰减量，对于50MHz～20GHz范围的频域的至少一部分而言，为3dB以上。

5.

发明公开
用于连接半导体装置的铜-铑合金线失效

公开(公告)号：CN103715111A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310271669.X

申请日：2013-07-01

Applicant: 田中电子工业株式会社

Inventor： 天野裕之 , 三上道孝 , 冈崎纯一 , 滨本拓也 , 中岛伸一郎 , 山下勉 , 三苫修一 , 小野甲介 , 刘斌 , 执行裕之

IPC: H01L21/60 , H01L21/607

CPC classification number: H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05664 , H01L2224/43 , H01L2224/43848 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45639 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/48463 , H01L2224/85205 , H01L2924/00011 , H01L2924/01204 , H01L2924/01016 , H01L2924/01008 , H01L2924/01045 , H01L2924/00 , H01L2924/013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01083 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/00013 , H01L2924/00012 , H01L2924/01004 , H01L2924/01041 , H01L2924/01051 , H01L2924/01032 , H01L2924/01047 , H01L2924/01026 , H01L2924/01028 , H01L2924/01082 , H01L2924/0105 , H01L2924/01033 , H01L2924/01024 , H01L24/43 , H01L24/45

Abstract: 本发明提供用于连接半导体装置的铜-铑合金线。[目的]改良铜合金球焊线，使得限制在超声波接合时的铝飞溅和倾斜，并改善在二次接合时的接合性的品质。[解决问题的手段]在包含纯度为99.995质量％以上的初始铜(Cu)和量为0.1-1.5质量％的铑(Rh)的金属基体中，溶解非金属元素的量为1.0-10质量ppm的硫(S)和量为10-150质量ppm的氧(O)，随后也可以溶解量为1-10质量ppm的磷(P)。在金属中的铑起到限制硫在球表面偏析的作用，因此控制其动态强度，并且与溶解的氧协同作用，铑限制了S的活性并因此改善了在倾斜和二次接合性方面的线品质。

6.

发明授权
电路部件连接用粘接剂及使用该粘接剂的半导体装置失效

公开(公告)号：CN102010679B

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201010548715.2

申请日：2008-01-09

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 永井朗

IPC: C09J133/00 , C09J163/00 , C09J11/04 , C09J9/02 , H01L23/00

CPC classification number: C09J11/04 , C08K3/08 , C08K3/22 , C08L2666/28 , C09J163/00 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/90 , H01L2224/05111 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/0558 , H01L2224/05611 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/1134 , H01L2224/13144 , H01L2224/16238 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29369 , H01L2224/32225 , H01L2224/73104 , H01L2224/73204 , H01L2224/81903 , H01L2224/83101 , H01L2224/83191 , H01L2224/83851 , H01L2224/90 , H01L2224/9211 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01056 , H01L2924/01057 , H01L2924/01058 , H01L2924/01059 , H01L2924/01063 , H01L2924/01066 , H01L2924/01068 , H01L2924/0107 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01076 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01084 , H01L2924/014 , H01L2924/07802 , H01L2924/07811 , H01L2924/09701 , H01L2924/15788 , H01L2924/00011 , H01L2224/16225 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00014 , H01L2924/0665 , H01L2224/81 , H01L2224/83

Abstract: 本发明提供一种电路部件连接用粘接剂及使用该粘接剂的半导体装置。所述粘接剂介于具有突出的连接端子的半导体芯片和形成有配线图案的基板之间，通过加压、加热，电连接相对的所述连接端子和所述配线图案的同时粘接所述半导体芯片和所述基板；所述电路部件连接用粘接剂包括：树脂组合物和分散在该树脂组合物中的复合氧化物粒子，所述树脂组合物含有热塑性树脂、交联性树脂和使该交联性树脂形成交联结构的固化剂，所述热塑性树脂为重均分子量100万以下、玻璃化温度40℃以下且在侧链具有与所述交联性树脂反应的官能团的共聚性树脂，所述交联性树脂为环氧树脂，所述固化剂为微囊型固化剂。

7.

发明公开
电子装置有权

公开(公告)号：CN102867813A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201210171275.2

申请日：2012-05-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金容勋 , 崔仁虎 , 金京范

IPC: H01L23/552

CPC classification number: H01L23/552 , H01L21/4814 , H01L21/78 , H01L23/3121 , H01L23/3135 , H01L23/3192 , H01L23/49816 , H01L23/5225 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/05571 , H01L2224/05572 , H01L2224/13021 , H01L2224/13022 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/17181 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/9202 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06562 , H01L2225/06565 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/0102 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01056 , H01L2924/01066 , H01L2924/01074 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/15174 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2224/81 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/05552 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207

Abstract: 本发明提供一种电子装置。该电子装置包括设置在电路基底上的第一半导体封装。第二半导体封装设置在电路基底上，并与第一半导体封装隔开。绝缘的电磁屏蔽结构设置在第一半导体封装的顶表面和侧表面上。导电的电磁屏蔽结构设置在电路基底上，以覆盖第一半导体封装、第二半导体封装及绝缘的电磁屏蔽结构。

8.

发明授权
布线板以及布线板的制造方法失效

公开(公告)号：CN1874648B

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN200610088773.5

申请日：2006-06-05

Applicant: 日本特殊陶业株式会社

Inventor： 村松正树 , 由利伸冶 , 折口诚 , 浦岛和浩

IPC: H05K1/00 , H05K3/00

CPC classification number: H01L2924/01041 , H01L2924/14 , H01L2924/30107

Abstract: 一种布线板，包括：核心板，其包括核心体和陶瓷子核心，所述陶瓷子核心容纳在子核心容纳空间中，所述子核心容纳空间为与所述核心体的主表面相联系的通孔或在所述核心体的第一主表面中具有开口的凹陷；以及布线叠层，其每个都是通过所述核心板的主表面的每一个上层叠的树脂绝缘层和导体层形成，其中：填充所述核心体和所述陶瓷子核心之间的间隙的凹槽填充部分与所述第一主表面侧的布线叠层的最低树脂绝缘层构成整体；以及连接到所述陶瓷子核心的第一主表面上形成的各个导体图形的转接导体穿透所述最低树脂绝缘层。

9.

发明公开
功率用半导体装置有权

公开(公告)号：CN102414825A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN200980159009.4

申请日：2009-04-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中田和成

IPC: H01L29/78 , H01L21/3205 , H01L21/60 , H01L23/52 , H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7397 , H01L24/05 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L29/0649 , H01L29/41741 , H01L29/456 , H01L29/7813 , H01L2224/04042 , H01L2224/05073 , H01L2224/05558 , H01L2224/05624 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/4847 , H01L2224/48724 , H01L2224/85205 , H01L2924/0101 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01033 , H01L2924/01041 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01082 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/30105 , H01L2924/00014 , H01L2224/85 , H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及功率用半导体装置。栅极电极（26）用于控制流过半导体层（SL）的电流。栅极绝缘膜（29）将半导体层（SL）与栅极电极（26）彼此电绝缘。导体部（24）设置在半导体层（SL）上且与半导体层（SL）电连接。层间绝缘膜(25)以导体部（24）与栅极电极（26）电绝缘的方式设置在栅极电极（26）上。缓冲绝缘膜（23）覆盖导体部（24）及层间绝缘膜（25）上的一部分区域并且由绝缘体构成。电极层（21）具有位于导体部（24）露出的区域上的布线部分（21w）及位于缓冲绝缘膜（23）上的焊盘部分（21p）。由此，能够抑制引线（22）连接到焊盘部分（21p）时对IGBT的损伤。此外，能够防止电流集中引起的破坏的产生，能够处理更大的功率。