公开(公告)号：CN103827991B

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201280043679.1

申请日：2012-08-20

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐藤高弘 ,  石间雄也 ,  梅本周作 ,  铃木孝志 ,  冈本悟 ,  坂口义一

IPC: H01F17/00

CPC classification number: H01F5/06 ,  H01F17/0013 ,  H01F2017/004

Abstract: 层叠型线圈部件具备：素体，其通过层叠多层绝缘体层而形成；以及线圈部，其通过多个线圈导体而形成在前述素体的内部；素体具有：在内部配置有线圈部的线圈部配置层；以及以夹持线圈部配置层的方式设置有至少一对且保持线圈部配置层的形状的保形层；保形层由含有SrO的玻璃陶瓷构成，线圈部配置层的软化点比保形层的软化点或熔点低。

公开(公告)号：CN103827992B

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201280043701.2

申请日：2012-08-20

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐藤高弘 ,  石间雄也 ,  梅本周作 ,  铃木孝志 ,  冈本悟 ,  坂口义一

IPC: H01F17/00

CPC classification number: H01F5/003 ,  H01F17/0013 ,  H01F41/042

Abstract: 在层叠型线圈部件（1）中，烧成后的线圈导体（4,5）的粒径为10μm～22μm。通过将烧成后的线圈导体（4,5）的粒径设为10μm以上，能够将线圈导体的表面粗糙度减小至能够在高频下得到足够的Q值的程度。另外，通过使烧成后的线圈导体（4,5）的粒径为22μm以下，能够抑制烧成中线圈导体（4,5）的金属急剧熔解。通过上述情况，能够确保高品质，并且也能够得到高Q值。

公开(公告)号：CN101580385A

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200910138920.9

申请日：2009-05-12

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 梅本周作 ,  铃木孝志 ,  角田晃一 ,  桃井博 ,  高桥圣树 ,  近藤真一

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/45 ,  C04B35/14 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  H01F17/00 ,  H01F27/28

CPC classification number: C04B35/18 ,  C04B35/20 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/365 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/785 ,  H01F5/003 ,  H01F17/0013 ,  H01F2017/0066 ,  H01F2017/0093 ,  H01G4/10 ,  H01G4/105 ,  H01G4/12 ,  H01G4/1209 ,  H03H7/0115 ,  H03H7/427 ,  H03H2001/0085 ,  H05K1/0306

Abstract: 本发明提供一种电介质陶瓷组合物，它作为主成分含有：从单独的Zn的氧化物、以及Mg的氧化物以及Zn的氧化物中选出的一种、Cu的氧化物、Si的氧化物，作为副成分含有：从Si的氧化物、Zn的氧化物、Ba的氧化物、Ca的氧化物、Sr的氧化物、Li的氧化物中选出的至少一种、B的氧化物，且包含玻璃软化点为750℃以下的玻璃成分，相对于100％重量的所述主成分，所述玻璃成分的含有量为1.5～15重量％。如果采用本发明，则可以提供能够相对减少玻璃成分的含有量，并且能够在低温(例如950℃以下)下进行烧结，并且显示良好的特性(介电常数、f·Q值、绝缘电阻)，也可以与不同材料同时烧结。电介质陶瓷组合物、叠层符合电子部件、叠层共模滤波器、叠层陶瓷线圈以及叠层陶瓷电容。

公开(公告)号：CN112558374A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN202011022277.6

申请日：2020-09-25

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 梅本周作

IPC: G02F1/225 ,  G02F1/035

Abstract: 本发明提供一种具有低折射率且高介电常数的缓冲层的光调制器。本发明的光调制器(100)具备：光波导(10a、10b)；与光波导(10a、10b)相对地设置的电极(7、8)；以及设置于光波导(10a、10b)与电极(7、8)之间的缓冲层(4)。缓冲层(4)的主材料是氟化镧。

公开(公告)号：CN105859142A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201610081946.4

申请日：2016-02-05

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 梅本周作 ,  铃木孝志 ,  高桥圣树 ,  佐藤英和 ,  秋田由香里 ,  飞田和哉 ,  近藤真一

IPC: C03C10/00

CPC classification number: C03C3/089 ,  C03B19/06 ,  C03C3/091 ,  C03C3/093 ,  C03C8/22 ,  C03C14/004 ,  C04B35/00 ,  H01F17/0013 ,  H01F27/292 ,  C03C10/0036

Abstract: 本发明的玻璃陶瓷组合物其特征在于，具有由第1玻璃、第2玻璃、Al2O3以及SiO2构成的主成分，所述第1玻璃为SiO2?K2O?B2O3系玻璃，所述第2玻璃为MO?SiO2?Al2O3?B2O3系玻璃(M为碱土金属)和/或CaO?SiO2?Al2O3?ZnO?ZrO2?B2O3系玻璃，所述主成分在将其总量作为100重量％时，含有所述第2玻璃12～30重量％，合计含有所述第1玻璃以及所述第2玻璃40～56重量％，进一步含有Al2O3 7～18重量％。

公开(公告)号：CN103964824A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201410043014.1

申请日：2014-01-29

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 梅本周作 ,  铃木孝志 ,  佐藤英和 ,  高桥圣树 ,  近藤真一

IPC: C04B35/14

CPC classification number: H01B3/12 ,  C03C8/22 ,  C03C14/00 ,  C03C2214/20

Abstract: 一种电介质陶瓷组合物，其主要成分含有40～65重量%的SiO2-K2O-B2O3类玻璃、35～50重量%的石英，剩余部分由无定形二氧化硅构成。相对于100重量%的上述主要成分，作为副成分含有1.5～4重量%的氧化铝、5～20重量%的K2O-MO-SiO2-B2O3类玻璃（MO为CaO或者SrO中至少任意一种）。

公开(公告)号：CN119882285A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202411449835.5

申请日：2024-10-17

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐佐木权治 ,  菊川隆 ,  梅本周作

IPC: G02F1/035 ,  G02B6/122 ,  G02B6/12 ,  G02B6/13

Abstract: 本发明提供电光元件和光学调制元件。一种电光元件，其具有：单晶基板、由在前述单晶基板的主面上接触而形成的电介质薄膜形成的光波导(10)、以及对光波导(10)施加电压的电极，电介质薄膜由铌酸锂膜形成，所述铌酸锂膜为c轴取向的外延膜，所述电介质薄膜的LiNb3O8与LiNbO3的X射线强度比(LiNb3O8(60‑2)/LiNbO3(006))为0.02以上。

公开(公告)号：CN119335767A

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202410949818.1

申请日：2024-07-16

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 梅本周作 ,  佐佐木权治 ,  菊川隆

IPC: G02F1/03 ,  C30B29/30 ,  C30B25/18 ,  G02F1/035 ,  G02B6/12

Abstract: 本发明的技术问题在于，提供一种能够形成不易在铌酸锂膜产生裂纹、能够应用于从可见光到红外光的广泛的光、光损耗少的光波导元件和光调制元件的带电介质薄膜的基板。本发明的带电介质薄膜的基板(1)具有：单晶基板(2)、应力缓和层(31)、和电介质薄膜(3)，应力缓和层(31)由c轴取向的外延膜构成，并且包括：LiNbO3的双晶结构，其包含第一晶体(3a)、以c轴为中心地所述第一晶体3a旋转180°而得到的第二晶体(3b)；以及LiNb3O8相，电介质薄膜(3)由作为c轴取向的外延膜的铌酸锂膜构成，并且具有LiNbO3的双晶结构，膜厚为0.5μm～2μm，最大域宽度大于应力缓和层(31)的最大域宽度，应力缓和层(31)的膜厚相对于电介质薄膜(3)的膜厚的比例为5％～25％。

公开(公告)号：CN105859142B

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201610081946.4

申请日：2016-02-05

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 梅本周作 ,  铃木孝志 ,  高桥圣树 ,  佐藤英和 ,  秋田由香里 ,  飞田和哉 ,  近藤真一

IPC: C03C10/00

Abstract: 本发明的玻璃陶瓷组合物其特征在于，具有由第1玻璃、第2玻璃、Al2O3以及SiO2构成的主成分，所述第1玻璃为SiO2‑K2O‑B2O3系玻璃，所述第2玻璃为MO‑SiO2‑Al2O3‑B2O3系玻璃(M为碱土金属)和/或CaO‑SiO2‑Al2O3‑ZnO‑ZrO2‑B2O3系玻璃，所述主成分在将其总量作为100重量％时，含有所述第2玻璃12～30重量％，合计含有所述第1玻璃以及所述第2玻璃40～56重量％，进一步含有Al2O3 7～18重量％。

公开(公告)号：CN101580385B

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN200910138920.9

申请日：2009-05-12

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 梅本周作 ,  铃木孝志 ,  角田晃一 ,  桃井博 ,  高桥圣树 ,  近藤真一

IPC: H01G4/12 ,  C04B35/453 ,  C04B35/45 ,  C04B35/14 ,  H01G4/30 ,  H01F17/00 ,  H01F27/28

CPC classification number: C04B35/18 ,  C04B35/20 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/365 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/785 ,  H01F5/003 ,  H01F17/0013 ,  H01F2017/0066 ,  H01F2017/0093 ,  H01G4/10 ,  H01G4/105 ,  H01G4/12 ,  H01G4/1209 ,  H03H7/0115 ,  H03H7/427 ,  H03H2001/0085 ,  H05K1/0306

Abstract: 本发明提供一种电介质陶瓷组合物，它作为主成分含有：从单独的Zn的氧化物、以及Mg的氧化物以及Zn的氧化物中选出的一种、Cu的氧化物、Si的氧化物，作为副成分含有：从Si的氧化物、Zn的氧化物、Ba的氧化物、Ca的氧化物、Sr的氧化物、Li的氧化物中选出的至少一种、B的氧化物，且包含玻璃软化点为750℃以下的玻璃成分，相对于100％重量的所述主成分，所述玻璃成分的含有量为1.5～15重量％。如果采用本发明，则可以提供能够相对减少玻璃成分的含有量，并且能够在低温(例如950℃以下)下进行烧结，并且显示良好的特性(介电常数、f·Q值、绝缘电阻)，也可以与不同材料同时烧结。