公开(公告)号：CN101107699A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200580046189.7

申请日：2005-11-08

Applicant: TEL艾派恩有限公司

Inventor： 罗伯特·M·杰弗肯 ,  约翰·J·豪特拉 ,  史蒂文·R·谢尔曼 ,  亚瑟·J·勒恩

IPC: H01L21/44 ,  H01L23/48 ,  H01L23/40 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76867 ,  C23C14/0605 ,  C23C14/0635 ,  C23C14/0652 ,  C23C14/221 ,  C23C16/26 ,  C23C16/325 ,  C23C16/345 ,  C23C16/513 ,  H01J2237/0812 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/02301 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/321 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/76822 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76886 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了用在互连结构中的铜互连布线层(602)的表面上的一层或多层帽封层(614)，以及通过应用气体团簇离子束处理而形成用于集成电路的改善的集成互连结构的方法。本发明具有降低铜扩散并且提高电迁移寿命的结果，并且避免了选择性金属帽封技术的使用和其附带的产量问题。

公开(公告)号：CN100472739C

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200580046189.7

申请日：2005-11-08

Applicant: TEL艾派恩有限公司

Inventor： 罗伯特·M·杰弗肯 ,  约翰·J·豪特拉 ,  史蒂文·R·谢尔曼 ,  亚瑟·J·勒恩

IPC: H01L21/44 ,  H01L23/48 ,  H01L23/40 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76867 ,  C23C14/0605 ,  C23C14/0635 ,  C23C14/0652 ,  C23C14/221 ,  C23C16/26 ,  C23C16/325 ,  C23C16/345 ,  C23C16/513 ,  H01J2237/0812 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/02301 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/321 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/76822 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76886 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了用在互连结构中的铜互连布线层(602)的表面上的一层或多层帽封层(614)，以及通过应用气体团簇离子束处理而形成用于集成电路的改善的集成互连结构的方法。本发明具有降低铜扩散并且提高电迁移寿命的结果，并且避免了选择性金属帽封技术的使用和其附带的产量问题。