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公开(公告)号：CN105565383B
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201510660846.2
申请日：2015-10-14
Applicant: 丰田自动车工程及制造北美公司
CPC classification number: C01G39/06 , C01B3/08 , C01D15/02 , C01P2002/08 , C01P2002/20 , C01P2002/72 , C01P2002/82 , C01P2004/04 , C01P2004/24 , Y02E60/36
Abstract: 本发明涉及纳米尺寸二维材料的溶剂热合成。一种形成二维纳米材料的方法，其包括以下步骤：提供块状二维材料；提供碘化锂；在溶剂中悬浮碘化锂和块状二维材料以形成溶液；引发溶剂热反应以形成锂化的块状二维材料。可以在溶剂热反应之后剥离所得的锂化的块状二维材料以形成二维层状材料。
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公开(公告)号：CN108017051A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201710072827.7
申请日：2017-02-10
Applicant: 常州烯晨新材料科技有限公司
IPC: C01B32/19
CPC classification number: C01B2204/04 , C01B2204/22 , C01P2002/08 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/64
Abstract: 本发明提供一种高导电性石墨烯微片的制备方法，其利用钠离子半径约为0.098nm，熔融状态下钠原子（钠离子）可以嵌入到鳞片石墨的层中，再利用钠的活泼金属的特性，易于水，乙醇等溶剂发生反应，产生的气体的能量足以撑开鳞片石墨层间距的范德华力16.7KJ/mol，通过这种方法可以规模化制备厚度为2‑10nm的石墨烯微片，其电导率高达105s/cm，且制备方法环保无污染。
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公开(公告)号：CN106698425A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201710065358.6
申请日：2017-02-06
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C01B32/342
CPC classification number: C01P2002/08 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2006/12 , C01P2006/14 , C01P2006/80
Abstract: 本发明公开了一种吸附CO2的虾壳基含氮活性炭的制备方法，步骤如下：(1)将洗净、干燥后的废弃虾壳成粉到100‑140目，随后用过量的1mol/L盐酸浸泡12h，浸泡产物经过滤、蒸馏水洗至中性、干燥后得到虾壳粉末；(2)将虾壳粉末和草酸钾按一定质量比在研磨机中混合均匀，得到混合物；(3)将上述混合物在N2气氛下炭化，得到炭化料；(4)炭化料经1mol/L盐酸与蒸馏水反复洗涤至中性、干燥后得到所述的虾壳基含氮活性炭。本发明的优点在于：炭化、活化一步完成，替代传统的后活化方法；所需原料环保可再生，制备工艺简单；可实现原位氮参杂，所制备的氮参杂活性炭在室温常压下对CO2具有优良的吸附性能与稳定的循环再生吸附性能。
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公开(公告)号：CN106629613A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611186961.1
申请日：2016-12-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: C01B13/14
CPC classification number: C01B13/14 , C01P2002/01 , C01P2002/08 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/04
Abstract: 本发明公开了一种离子插层型二维材料的制备方法，采用熔盐法，在预定温度下使盐成为熔融态，并将金属盐前驱物加入熔盐中，反应预定时间后取出，冷却后清洗、抽滤烘干后，获得离子插层型的二维材料；可制得阳离子插层型的二维金属氧化物和阴离子插层型的二维金属氢氧化物；所制得的二维材料中的阳离子和阴离子的种类可以由熔盐与金属盐的材料来调控；也可采用该方法来制备其他离子插层型二维材料，所制得的离子插层型二维材料在储能，催化，离子交换等方面具有极大的应用前景。
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公开(公告)号：CN105209389A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201480027098.8
申请日：2014-04-11
Applicant: 帝化株式会社
CPC classification number: A61K8/0262 , A61K8/19 , A61K8/26 , A61K8/27 , A61K8/36 , A61K8/361 , A61K8/365 , A61K8/368 , A61K8/41 , A61K8/44 , A61K8/445 , A61K8/466 , A61K8/4913 , A61K8/4926 , A61K2800/56 , A61K2800/651 , A61K2800/652 , A61Q1/12 , A61Q19/008 , C01B13/363 , C01F7/005 , C01G9/00 , C01P2002/08 , C01P2002/22
Abstract: 期待表现出不饱和脂肪酸的选择吸附性、在分散于水中时pH为中性区域(弱酸性到弱碱性)的层状双氢氧化物及使用了该层状双氢氧化物的化妆品。本发明的层状双氢氧化物的特征在于，由基本层、插入基本层间的中间层及层间水构成，基本层由以M(II)1－XM(III)X(OH)2(式中，M(II)为1种或2种二价金属，M(III)为三价金属，x为0.2～0.33。)表示的金属双氢氧化物构成，中间层是以R1－COOH或R2－SO3H(R1及R2表示选自脂肪族烃基、取代脂肪族烃基、芳香族烃基、取代芳香族烃基、杂环基、取代杂环基中的1种或2种以上的取代基。)表示的化合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107082438A
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201710292813.6
申请日：2017-04-28
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C01C3/12 , H01M4/58 , H01M10/054
CPC classification number: C01C3/12 , C01P2002/08 , C01P2002/30 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/30 , C01P2004/50 , C01P2004/51 , C01P2004/62 , C01P2006/12 , C01P2006/40 , H01M4/58 , H01M10/054 , H01M2004/021 , H01M2004/028
Abstract: 本发明涉及一种普鲁士蓝纳米花结构电极材料的制备方法，包括以下步骤：1)首先取六水合氯化镍和无水柠檬酸钠溶于去离子水中；2)取十水合亚铁氰化钠溶于去离子水中；3)将步骤2)所得溶液倾倒加入步骤1)得到的混合溶液中，搅拌均匀得到混合溶液；4)将步骤3)所得的混合溶液静置；5)离心收集沉淀并洗涤数次，真空烘干得到普鲁士蓝前驱体粉末；6)将前驱体粉末加入氢氧化钠溶液并超声；7)将产物离心收集并洗涤，真空烘干后得到浅绿色粉末，即得。本发明的有益效果是：具有明显增大的比表面积从而有效地增大了电解液和电极材料的反应位点，降低了离子扩散距离，其作为钠离子电池正极活性材料时，表现出功率高、循环稳定性好的特点。
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公开(公告)号：CN100572600C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200810116510.X
申请日：2008-07-11
Applicant: 北京化工大学
IPC: C23C28/04
CPC classification number: C01G51/006 , C01F7/005 , C01G53/006 , C01P2002/08 , C01P2002/22 , C01P2002/72 , C01P2004/01 , C08L5/16 , C25D11/08
Abstract: 一种垂直基底生长的环糊精插层水滑石薄膜及其制备方法，属于有机—无机复合材料及其制备技术领域。插层水滑石的化学式为：[(M2+)1-x(M3+)x(OH)2]x+(CMCDn-)x/n·mH2O。制备方法先将铝片在恒电压条件下的阳极氧化；再分别称取二价金属盐，阴离子修饰的环糊精和NH4NO3溶解于去离子水中配成反应合成液，再用氨水调节反应合成液的pH在5.9～8.5之间。将阳极氧化铝/铝基片垂直悬吊在上述反应合成液中，在一定温度下反应一定时间制得环糊精插层水滑石膜。优点在于：利用原位生长技术得到的环糊精插层水滑石薄膜固定于铝基底上，实现了水滑石的固定化和器件化，且得到的水滑石具有一定的机械强度，这将极大方便环糊精插层水滑石材料在生产生活中的应用。
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公开(公告)号：CN101323953A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200810116510.X
申请日：2008-07-11
Applicant: 北京化工大学
IPC: C23C28/04
CPC classification number: C01G51/006 , C01F7/005 , C01G53/006 , C01P2002/08 , C01P2002/22 , C01P2002/72 , C01P2004/01 , C08L5/16 , C25D11/08
Abstract: 一种垂直基底生长的环糊精插层水滑石薄膜及其制备方法，属于有机－无机复合材料及其制备技术领域。插层水滑石的化学式为：[(M2+)1－x(M3+)x(OH)2x+(CMCDn－)x/n·mH2O。制备方法先将铝片在恒电压条件下阳极氧化；再分别称取二价金属盐，阴离子修饰的环糊精和NH4NO3溶解于去离子水中配成反应合成液，再用氨水调节反应合成液的pH在5.9～8.5之间。将阳极氧化铝/铝基片垂直悬吊在上述反应合成液中，在一定温度下反应一定时间制得环糊精插层水滑石膜。优点在于：利用原位生长技术得到的环糊精插层水滑石薄膜固定于铝基底上，实现了水滑石的固定化和器件化，且得到的水滑石具有一定的机械强度，这将极大方便环糊精插层水滑石材料在生产生活中的应用。
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公开(公告)号：CN1414924A
公开(公告)日：2003-04-30
申请号：CN00817837.2
申请日：2000-11-20
Applicant: 约翰逊研究发展公司
CPC classification number: C01G51/42 , C01G49/0027 , C01G53/42 , C01P2002/08 , C01P2002/72 , C01P2002/77 , C01P2004/01 , C01P2006/40 , H01M4/0421 , H01M4/0423 , H01M4/131 , H01M4/485 , H01M4/525
Abstract: 提供一种生产锂化材料层的方法，其中在水溶解中溶解Li(acac)和Co(acac)3的混合物以生产溶液。通过使溶液雾化、使雾化溶液进入加热气体流以蒸发溶液、以及将蒸汽化溶液引导到基底上，在基底上淀积溶液。
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公开(公告)号：CN108695073A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810269346.X
申请日：2018-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01G4/1281 , C01G33/006 , C01P2002/08 , C01P2002/34 , C01P2002/50 , C01P2002/72 , C01P2002/78 , C01P2004/03 , C01P2006/40 , C04B35/4682 , C04B35/47 , C04B35/472 , C04B35/491 , C04B35/495 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3227 , C04B2235/3255 , C04B2235/5292 , C04B2235/768 , C04B2235/80 , C04B2235/85 , C07C211/01 , C07C211/63 , H01G4/1218 , H01G4/1227 , H01G4/1236 , H01G4/14 , H01G4/232 , H01G4/242 , H01G4/30 , H01G4/33 , H01G4/06
Abstract: 二维钙钛矿材料、包括其的介电材料和多层电容器。所述二维钙钛矿材料包括：包括层叠的具有正电荷的第一层和具有负电荷的第二层的层状金属氧化物、从所述层状金属氧化物剥落的单层纳米片、多个所述单层纳米片的纳米片层叠体、或其组合，其中所述二维钙钛矿材料以大于或等于约80体积％的量包括具有二维晶体结构的第一相，基于100体积％的所述二维钙钛矿材料，和所述二维钙钛矿材料由化学式1表示。
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