公开(公告)号：CN105981220B

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201480074985.0

申请日：2014-02-21

Applicant: VEGA格里沙贝两合公司

Inventor： 约瑟夫·费伦巴赫 ,  罗兰·韦勒 ,  莱温·迪特尔勒

IPC: H01Q3/06 ,  H01Q1/22

CPC classification number: H01Q1/225 ,  G01B15/04 ,  G01F23/284 ,  H01Q1/2291 ,  H01Q3/06 ,  H04B17/103

Abstract: 本发明涉及一种用于测定填充材料表面的拓扑的料位测量装置，且料位测量装置包括可旋转天线单元。天线单元包括高频及信号处理单元，且高频及信号处理单元能够产生测量信号并至少部分地处理所接收的信号。通过一个或多个滑动接触部或者一个或多个线圈对向所述天线单元供应电能。也通过所述滑动接触部或者所述线圈对进行数据交换。

公开(公告)号：CN107525480A

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201710775214.X

申请日：2017-08-31

Applicant: 长江存储科技有限责任公司

Inventor： 芈健 ,  陈子琪 ,  程强 ,  陈世平 ,  郭玉芳

IPC: G01B15/04 ,  G01B15/00

CPC classification number: G01B15/04 ,  G01B15/00

Abstract: 本申请实施例提供一种半导体存储器制造工艺过程中深孔测量方法和装置，所述方法包括：获取深孔图像，对所述深孔图像进行处理得到所述深孔第一边界各点的坐标以及第二边界各点的坐标；根据所述深孔第一边界各点的坐标和第二边界各点的坐标计算得到各中心点坐标；选取所述深孔顶部中心点作为第一基准中心点，选取所述深孔底部中心点作为第二基准中心点，根据第一基准中心点和第二基准中心点确定基准中心线；计算各中心点坐标相对于所述基准中心线在水平方向上的偏离程度值作为所述深孔的弯曲度值。本申请实施例可以有效提高深孔测量的准确性和效率。

公开(公告)号：CN106918314A

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201510992539.4

申请日：2015-12-27

Applicant: 神讯电脑(昆山)有限公司 ,  神基科技股份有限公司

Inventor： 吴书逸 ,  黄嘉民

IPC: G01B15/04

CPC classification number: G01B15/04

Abstract: 本发明揭示一种物体特征信息的检测系统，用以量测检测体，检测系统包含：发射天线、接收天线以及处理模块。发射天线发出输出波束至检测体，以接收对应检测体的反射波束。接收天线接收输出波束。处理模块连接发射天线与接收天线，处理模块依据接收天线接收的输出波束以决定出信道容量、于时域上依据反射波束以统计计算出回馈系数、对应信道容量产生检测体的材质信息、对应回馈系数描绘外观轮廓、经由判断程序判断外观轮廓的特征信息。借此方便且准确得知检测体的材质信息以及特征信息，以提升检测的效率。

公开(公告)号：CN102332382B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201110230743.4

申请日：2011-06-22

Applicant: 卡尔蔡司显微镜有限责任公司

Inventor： J·比伯杰 ,  R·普尔维 ,  J·帕卢斯金斯基 ,  D·多尼茨 ,  H·马蒂 ,  M·斯泰格沃尔德

IPC: H01J37/302 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/3056 ,  G01B15/04 ,  H01J37/30 ,  H01J37/3005 ,  H01J37/3007 ,  H01J37/304 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/2611 ,  H01J2237/30455 ,  H01J2237/30494 ,  H01J2237/31722 ,  H01J2237/31749

Abstract: 本发明公开了一种加工物体的方法。该方法包括在物体的表面上扫描粒子束并且探测由于扫描而从物体逸出的电子；基于探测的电子，对物体的表面上的多个位置中的每一个，确定物体的表面与预定表面的高度差；基于确定的高度差，对物体的表面上的多个位置中的每一个，确定加工强度；以及基于确定的加工强度，将离子束引导到多个位置，从而在多个位置从物体移除材料或者在物体上沉积材料。

公开(公告)号：CN101978241B

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN200980109275.6

申请日：2009-03-19

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 米仓勋 ,  波木井秀充

IPC: G01B15/00 ,  G01N23/225 ,  H01J37/22 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01B15/04 ,  G01B2210/56 ,  G01N23/00 ,  G06T7/0006 ,  G06T7/13 ,  G06T2207/10061 ,  G06T2207/10152 ,  G06T2207/30148 ,  G21K7/00 ,  H01J2237/221 ,  H01J2237/2611 ,  H01J2237/2809 ,  H01J2237/2817

Abstract: 一种微细结构体检查方法，用于检查样品微细结构图案的侧壁角度，其特征在于，具有：在多个SEM条件下拍摄所述样品微细结构图案的SEM照片的工序；测定所述SEM照片中的所述样品微细结构图案的边缘部位的白色带宽度的工序；基于所述白色带宽度随着所述多个SEM条件间的变化产生的变化量，计算出所述样品微细结构图案的侧壁角度的工序。

公开(公告)号：CN101971010B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200980106309.6

申请日：2009-02-23

Applicant: 高能加速器研究所

Inventor： 永岭谦忠

IPC: G01N23/22 ,  G01B15/04 ,  G01T1/20 ,  G01T1/29 ,  G01T1/203

CPC classification number: G01N23/22 ,  G01B15/04 ,  G01N33/383

Abstract: 提供利用宇宙射线μ介子，检查复合构造物的表层内部的非破坏检查装置和非破坏检查方法。一种非破坏检查装置，利用在行进方向只以给定量的自旋极化并大概在水平方向行进的宇宙射线μ介子(12)，检查复合构造物(11)的表层内部，该装置包括：检测伴随着在所述复合构造物(11)的内部静止的所述宇宙射线μ介子(12)的消减，在与所述宇宙射线μ介子(12)的照射方向相反方向以特性的时间常数反射放出的阳电子和电子量的阳电子和电子量检测部件(13)；从通过所述阳电子和电子量检测部件(13)检测的阳电子和电子量，把在所述复合构造物(11)的所述表层内部存在的与所述表层的第一物质(11-1)不同的第二物质(11-2)的状态以放射线照相进行数据处理并输出的放射线照相处理部件(14、15、16)。

公开(公告)号：CN1185481C

公开(公告)日：2005-01-19

申请号：CN02105676.5

申请日：2002-04-17

Applicant: 株式会社岛津制作所

Inventor： 泽田良一

IPC: G01N23/02

CPC classification number: G01B15/04 ,  G01N23/04

Abstract: 一种射线检验设备计算从射线探测器(3)输出的每一个像素的像素数据和其周围的每一个像素的像素数据之间的差。然后，该设备通过总计从相应于每一个像素的差值处理获得的灰度等级数据在灰度等级轮廓的预定灰度等级范围从XL到XH内的像素的数量、获得被检对象WA的总周边长度。由此，该设备根据该对象的总周边长度的值确定在该对象中是否出现裂缝或裂口。

公开(公告)号：CN106415199A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201580004273.6

申请日：2015-12-03

Applicant: 皇家飞利浦有限公司

Inventor： 李威 ,  殷斌 ,  罗忠池 ,  李沫

IPC: G01B15/02

CPC classification number: G01B15/04 ,  G01B15/02 ,  H05B6/6467 ,  H05B6/68 ,  H05B6/705 ,  Y02B40/146

Abstract: 式来确定食物原料的平均厚度。本发明涉及用于确定食物原料的尺寸信息的方法和设备。方法包括向食物原料施加(110)具有给定射频的电场的步骤，电场由定位为紧密接近于食物原料的源生成；测量(120)从食物原料反射的电场的能量与由所述源生成的且施加于食物原料的电场的能量之间的比率的第一步骤。方法还包括基于所述比率来确定(130)食物原料沿着施加于食物原料的电场的方向的平均厚度的第一步骤。方法还包括针对电场的源与食物原料之间的多个距离，测量(140)从食物原料反射的电场的能量与施加于食物原料的电场的能量之间的比率(R2)的第二步骤。方法还包括识别(150)由测量(140)的所述第二步骤测得的比率的幅度的相对突然变化的步骤、和导出(160)针对发生所述相对突然变化的电场的源与食物原料之间的对应距离的步骤。方法还包括基于所述对应距离和在所述对应距离处辐射的电场的

公开(公告)号：CN105981220A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201480074985.0

申请日：2014-02-21

Applicant: VEGA格里沙贝两合公司

Inventor： 约瑟夫·费伦巴赫 ,  罗兰·韦勒 ,  莱温·迪特尔勒

IPC: H01Q3/06 ,  H01Q1/22

CPC classification number: H01Q1/225 ,  G01B15/04 ,  G01F23/284 ,  H01Q1/2291 ,  H01Q3/06 ,  H04B17/103

Abstract: 本发明涉及一种用于测定填充材料表面的拓扑的料位测量装置，且料位测量装置包括可旋转天线单元。天线单元包括高频及信号处理单元，且高频及信号处理单元能够产生测量信号并至少部分地处理所接收的信号。通过一个或多个滑动接触部或者一个或多个线圈对向所述天线单元供应电能。也通过所述滑动接触部或者所述线圈对进行数据交换。

公开(公告)号：CN103703341B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201280034653.0

申请日：2012-03-23

Applicant: 株式会社日立高新技术

Inventor： 柴原琢磨 ,  及川道雄 ,  北条穣 ,  菅原仁志 ,  新藤博之

IPC: G01B15/04 ,  G01N23/225 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01J37/261 ,  G01B15/04 ,  G01N23/2251 ,  G03F1/36 ,  G03F7/70441 ,  G03F7/70625 ,  H01L22/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种图案测量装置，以及图案测量方法，可削减OPC model calibration所需的计算时间、且使精度提高。图案测量装置具备：存储半导体的电路图案的掩模边缘数据以及拍摄了电路图案的图像数据的存储部；以图像数据作为输入而提取电路图案的SEM(Scanning Electron Microscope)轮廓线，基于掩模边缘数据和提取的SEM轮廓线的数据(SEM轮廓线数据)，在曝光模拟部生成预测SEM轮廓线的数据(预测SEM轮廓线数据)的SEM轮廓线提取部；以掩模边缘数据、SEM轮廓线数据、预测轮廓线数据作为输入，将SEM轮廓线数据以及预测SEM轮廓线数据分类为一维形状的轮廓线和二维形状的轮廓线的形状分类部；以SEM轮廓线数据和预测SEM轮廓线数据作为输入，对应于一维形状以及二维形状的种类，进行SEM轮廓线数据的取样的SEM轮廓线取样部。