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公开(公告)号：CN116152507A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310270799.5
申请日：2018-03-15
Applicant: 株式会社日立高新技术
Abstract: 本发明涉及图像处理系统及图像处理方法，目的在于：兼顾对使用了识别器的图像识别所使用的对照图像进行学习的图像处理系统的数据量的抑制和识别器的识别性能提高。为了达到上述目的，提出一种具备使用对照图像来识别图像的识别器(9)的图像处理系统，该图像处理系统具备对图像识别所需要的对照图像数据进行机器学习的机器学习引擎(1)，该机器学习引擎使用识别失败了的图像(2)，搜索识别成功了的图像(3)，向通过该搜索得到的识别成功了的图像，附加根据通过上述输入装置选择出的上述识别失败了的图像的部分图像而得到的信息，生成修正对照图像数据(13)。
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公开(公告)号：CN110352431A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201880014768.0
申请日：2018-03-15
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: G06K9/78
Abstract: 本发明的目的在于：兼顾对使用了识别器的图像识别所使用的对照图像进行学习的图像处理系统的数据量的抑制和识别器的识别性能提高。为了达到上述目的，提出一种具备使用对照图像来识别图像的识别器(9)的图像处理系统，该图像处理系统具备对图像识别所需要的对照图像数据进行机器学习的机器学习引擎(1)，该机器学习引擎使用识别失败了的图像(2)，搜索识别成功了的图像(3)，向通过该搜索得到的识别成功了的图像，附加根据通过上述输入装置选择出的上述识别失败了的图像的部分图像而得到的信息，生成修正对照图像数据(13)。
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公开(公告)号：CN105074896A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201480009471.7
申请日：2014-02-05
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01L21/66 , G01N23/225
CPC classification number: G06T7/001 , G01N23/225 , G01N23/2251 , G01N2223/6113 , G06T2207/10061 , G06T2207/30148 , H01J37/222 , H01J37/28 , H01J2237/221 , H01J2237/2817 , H01L22/12
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够求出用于适当地选择针对半导体器件的处理的评价结果的图案测定装置以及半导体测量系统。为了达到上述目的，本发明提出一种图案测定装置，其具备进行电子器件的电路图案和基准图案的比较的运算装置，该运算装置根据上述电路图案和基准图案之间的测量结果与至少2个阈值的比较，以电路图案的处理单位将该电路图案分类。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119256206A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202280096303.0
申请日：2022-05-30
Applicant: 株式会社日立高新技术
Abstract: 针对每个图像取得条件设定基于设计数据的设计图像，并针对多个设计图像中的每个设计图像设定测长光标。一种制程制作系统，其制作记述了观察对象的测长步骤的制程，其执行如下处理：存储处理，存储包含多个层的观察对象的设计数据；层设定处理，针对观察对象的每个图像取得条件，从多个层中设定一个或多个层；以及测长光标设定处理，在由通过设定处理设定的一个或多个层中存在的设计构成的设计图像中，设定表示观察对象的测长区域的测长光标。
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公开(公告)号：CN110352431B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN201880014768.0
申请日：2018-03-15
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: G06V10/98 , G06V10/772 , G06V10/774 , G06T7/00
Abstract: 本发明的目的在于：兼顾对使用了识别器的图像识别所使用的对照图像进行学习的图像处理系统的数据量的抑制和识别器的识别性能提高。为了达到上述目的，提出一种具备使用对照图像来识别图像的识别器(9)的图像处理系统，该图像处理系统具备对图像识别所需要的对照图像数据进行机器学习的机器学习引擎(1)，该机器学习引擎使用识别失败了的图像(2)，搜索识别成功了的图像(3)，向通过该搜索得到的识别成功了的图像，附加根据通过上述输入装置选择出的上述识别失败了的图像的部分图像而得到的信息，生成修正对照图像数据(13)。
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公开(公告)号：CN105074896B
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201480009471.7
申请日：2014-02-05
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01L21/66 , H01J37/28 , H01J37/22 , G01N23/225 , G06T7/00
CPC classification number: G06T7/001 , G01N23/225 , G01N23/2251 , G01N2223/6113 , G06T2207/10061 , G06T2207/30148 , H01J37/222 , H01J37/28 , H01J2237/221 , H01J2237/2817 , H01L22/12
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够求出用于适当地选择针对半导体器件的处理的评价结果的图案测定装置以及半导体测量系统。为了达到上述目的，本发明提出一种图案测定装置，其具备进行电子器件的电路图案和基准图案的比较的运算装置，该运算装置根据上述电路图案和基准图案之间的测量结果与至少2个阈值的比较，以电路图案的处理单位将该电路图案分类。
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公开(公告)号：CN103703341B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201280034653.0
申请日：2012-03-23
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: G01B15/04 , G01N23/225 , H01L21/66
CPC classification number: H01J37/261 , G01B15/04 , G01N23/2251 , G03F1/36 , G03F7/70441 , G03F7/70625 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种图案测量装置，以及图案测量方法，可削减OPC model calibration所需的计算时间、且使精度提高。图案测量装置具备：存储半导体的电路图案的掩模边缘数据以及拍摄了电路图案的图像数据的存储部；以图像数据作为输入而提取电路图案的SEM(Scanning Electron Microscope)轮廓线，基于掩模边缘数据和提取的SEM轮廓线的数据(SEM轮廓线数据)，在曝光模拟部生成预测SEM轮廓线的数据(预测SEM轮廓线数据)的SEM轮廓线提取部；以掩模边缘数据、SEM轮廓线数据、预测轮廓线数据作为输入，将SEM轮廓线数据以及预测SEM轮廓线数据分类为一维形状的轮廓线和二维形状的轮廓线的形状分类部；以SEM轮廓线数据和预测SEM轮廓线数据作为输入，对应于一维形状以及二维形状的种类，进行SEM轮廓线数据的取样的SEM轮廓线取样部。
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公开(公告)号：CN103703341A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201280034653.0
申请日：2012-03-23
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: G01B15/04 , G01N23/225 , H01L21/66
CPC classification number: H01J37/261 , G01B15/04 , G01N23/2251 , G03F1/36 , G03F7/70441 , G03F7/70625 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种图案测量装置，以及图案测量方法，可削减OPC model calibration所需的计算时间、且使精度提高。图案测量装置具备：存储半导体的电路图案的掩模边缘数据以及拍摄了电路图案的图像数据的存储部；以图像数据作为输入而提取电路图案的SEM(Scanning Electron Microscope)轮廓线，基于掩模边缘数据和提取的SEM轮廓线的数据(SEM轮廓线数据)，在曝光模拟部生成预测SEM轮廓线的数据(预测SEM轮廓线数据)的SEM轮廓线提取部；以掩模边缘数据、SEM轮廓线数据、预测轮廓线数据作为输入，将SEM轮廓线数据以及预测SEM轮廓线数据分类为一维形状的轮廓线和二维形状的轮廓线的形状分类部；以SEM轮廓线数据和预测SEM轮廓线数据作为输入，对应于一维形状以及二维形状的种类，进行SEM轮廓线数据的取样的SEM轮廓线取样部。
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